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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
BLC10G22XS-570AVTY	87.6150	RFQ	7451	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	65 v		表面安装	SOT-1258-4	BLC10		2.11GHZ〜2.18GHz	ldmos （双），普通来源		SOT1258-4	-	rohs3符合条件			1603-BLC10G22XS-570AVTYTR			100	2 n 通道（双）公共来源		2.8µA		1.15 a	570W	15.7dB											-										30 V
AON7400AL_101	-	RFQ	7269	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	AON740			MOSFET （金属 o化物）		8-DFN （3x3）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道						30 V	（15a）（TA），40a （TC）	4.5V，10V	7.5mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±20V	1380 pf @ 15 V	-	3.1W（TA），25W（tc）
IRGB15B60KDPBF-INF	2.1400	RFQ	2	Infineon技术	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准			208 w	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1				400V，15A，22OHM，15V															92 ns	npt	600 v	31 a	62 a	2.2V @ 15V，15a	（220µJ）（在340µJ上）	84 NC	34NS/184NS
APT15F60B	-	RFQ	4244	Microsemi Corporation	Power MOS 8™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT15F60			MOSFET （金属 o化物）		TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道						600 v	16A（TC）	10V	430MOHM @ 7A，10V	5V @ 500µA	72 NC @ 10 V	±30V	2882 PF @ 25 V	-	290W（TC）
IXA20I1200HB	-	RFQ	3887	ixys	-	管子	积极的					IXA20						-	rohs3符合条件	（1 （无限）		238-IXA20I1200HB			1
APT20M11JVR	72.3300	RFQ	8308	微芯片技术	PowerMosv®	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT20M11			MOSFET （金属 o化物）		isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道						200 v	175a（TC）	10V	11mohm @ 500mA，10v	4V @ 5mA	180 NC @ 10 V	±30V	21600 PF @ 25 V	-	700W（TC）
2N6288	-	RFQ	7530	Onmi	-	管子	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	2N6288				40 W	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																					30 V	7 a										1ma	NPN	3.5V @ 3a，7a	30 @ 3a，4v	4MHz
SIR466DP-T1-GE3	1.1800	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir466			MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						30 V	40a（TC）	4.5V，10V	3.5MOHM @ 15A，10V	2.4V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±20V	2730 PF @ 15 V	-	5W（5W），54W（tc）（TC）
DTA143ZE	0.0210	RFQ	300	Yangjie技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-523	DTA143				150兆	SOT-523	-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-DTA143Zetr	Ear99		3,000																					50 V	100 ma										500NA	pnp- +二极管	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250 MHz	4.7科姆斯
NDT454P	1.0000	RFQ	6529	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	NDT454			MOSFET （金属 o化物）		SOT-223-4	下载					Ear99	8542.39.0001	1		P通道						30 V	5.9a（ta）	4.5V，10V	50mohm @ 5.9a，10v	2.7V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±20V	950 pf @ 15 V	-	（3W）（TA）
2n7002-g	0.4800	RFQ	2	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2N7002			MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道						60 V	115mA（tc）	5V，10V	7.5OHM @ 500mA，10v	2.5V @ 250µA		±20V	50 pf @ 25 V	-	200MW（TC）
UNUR521NG0L	-	RFQ	3206	松下电子组件	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SC-85	UNUR521				150兆	smini3-f2	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0075	3,000																					50 V	100 ma										500NA	npn-预先偏见	250mv @ 300µA，10mA	80 @ 5mA，10v	150 MHz	4.7科姆斯	47科姆斯
irlu8203pbf	-	RFQ	2653	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA				MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响	*irlu8203pbf	Ear99	8541.29.0095	75		n通道						30 V	110A（TC）	4.5V，10V	6.8mohm @ 15a，10v	3V @ 250µA	50 NC @ 4.5 V	±20V	2430 pf @ 15 V	-	140W（TC）
2SC3303 bp	-	RFQ	5493	微商业公司	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	2SC3303				1 w	TO-251	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000																					80 V	5 a										1µA（ICBO）	NPN	400mv @ 150mA，3a	70 @ 1A，1V	20MHz
BUK9Y38-100E，115	1.0200	RFQ	9267	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	BUK9Y38			MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道						100 v	30A（TC）	5V，10V	38mohm @ 5A，5V	2.1V @ 1mA	21.6 NC @ 5 V	±10V	2541 PF @ 25 V	-	94.9W（TC）
ISL9V50363	-	RFQ	3338	Onmi	Ecospark®	管子	过时的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ISL9	逻辑			250 w	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400				300V，1KOHM，5V																-	390 v	46 a		1.6V @ 4V，10a	-	32 NC	- /10.8µs
SIRA64DP-T1-RE3	0.9200	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sira64			MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						30 V	60a（TC）	4.5V，10V	2.1MOHM @ 10a，10v	2.2V @ 250µA	65 NC @ 10 V	+20V，-16V	3420 PF @ 15 V	-	27.8W（TC）
RFD16N05LSM	1.0000	RFQ	2354	哈里斯公司	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RFD16			MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	1		n通道						50 V	16A（TC）	4V，5V	47mohm @ 16a，5v	2V @ 250mA	80 NC @ 10 V	±10V		-	60W（TC）
BSM600D12P4G103	1.0000	RFQ	5523	Rohm半导体	-	盒子	积极的		175°C（TJ）	底盘安装	模块	BSM600			（SIC）	1.78kW（TC）	模块	下载		（1 （无限）		846-BSM600D12P4G103			4	2 n通道							1200V	567a（TC）		-	4.8V @ 291.2mA	-		59000pf @ 10V	标准
SPP77N06S2-12	-	RFQ	6787	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SPP77N			MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-1	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道						55 v	80A（TC）	10V	12mohm @ 38a，10v	4V @ 93µA	60 NC @ 10 V	±20V	2350 pf @ 25 V	-	158W（TC）
TK16J60W5，S1VQ	5.2000	RFQ	32	东芝半导体和存储	-	管子	积极的		150°C	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	TK16J60			MOSFET （金属 o化物）		to-3p n（n）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	25		n通道						600 v	15.8A（TA）	10V	230MOHM @ 7.9A，10V	4.5V @ 790µA	43 NC @ 10 V	±30V	1350 pf @ 300 V	-	130W（TC）
IRFR9014PBF-BE3	0.6468	RFQ	5929	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9014			MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载				742-irfr9014pbf-be3tr	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道						60 V	5.1A（TC）	10V	500MOHM @ 3.1A，10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	270 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
MJE18002D2	0.4600	RFQ	13	摩托罗拉	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3					50 W	TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1																					450 v	2 a										100µA	NPN	750mv @ 200mA，1a	14 @ 400mA，1V	13MHz
IRGP50B60PD1-EP	-	RFQ	3649	国际整流器	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3		标准			390 w	TO-247AD	下载					Ear99	8542.39.0001	1				390V，33a，3.3孔，15V															42 ns	npt	600 v	75 a	150 a	2.85V @ 15V，50a	（255µJ）（在），375µj（（（（（）	205 NC	30NS/130NS
FDR838P	-	RFQ	7360	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-lsop （0.130英寸，宽3.30mm）	FDR83			MOSFET （金属 o化物）		Supersot™-8	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道						20 v	8a（8a）	2.5V，4.5V	17mohm @ 8a，4.5V	1.5V @ 250µA	45 NC @ 4.5 V	±8V	3300 PF @ 10 V	-	1.8W（TA）
RGW00TK65DGVC11	7.2700	RFQ	4787	Rohm半导体	-	管子	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3PFM，SC-93-3	RGW00	标准			89 w	to-3pfm	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				400V，50a，10ohm，15V															95 ns	沟渠场停止	650 v	45 a	200 a	1.9V @ 15V，50a	（1.18mj）（在），960µJ（OFF）上）	141 NC	52NS/180NS
J212 TO-92 3L ROHS	3.9400	RFQ	996	线性集成系统公司	J212	大部分	积极的		-55°C〜150°C	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					360兆w	到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000		n通道													4pf @ 15V														25 v	15 ma @ 15 V	4 V @ 1 na
2SB1234-TB-E	-	RFQ	2669	Sanyo	*	大部分	过时的											-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-2SB1234-TB-E-600057			1
AO4806L	-	RFQ	3926	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AO480			MOSFET （金属 o化物）	2W	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）							20V	-		14mohm @ 9.4a，10v	1V @ 250µA	17.9nc @ 4.5V		1810pf @ 10V	逻辑级别门
AOCA32116E	0.2223	RFQ	3124	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅	AOCA32116			MOSFET （金属 o化物）	1.7W（TA）	4-Alphadfn（1.2x1.2）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	8,000	2 n 通道（双）公共排水							20V	6a（6a）		36mohm @ 3a，4.5V	1.3V @ 250µA	5.5nc @ 4.5V		-	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²