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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -故障（ v br（br）GSS）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
STGP100N30	6.1000	RFQ	849	Stmicroelectronics	StripFet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STGP100	标准		250 w		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			180V，25a，10ohm，15V												-	330 v	90 a		2.5V @ 15V，50a	-		- /134ns
2N5611	43.0350	RFQ	4237	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-213AA，TO-66-2				25 w		TO-66（TO-213AA）	-			到达不受影响	150-2N5611	Ear99	8541.29.0095	1																100 v	5 a							-				PNP	-	-	-
FF6MR12KM1HPHPSA1	412.5275	RFQ	8940	Infineon技术	-	托盘	积极的				FF6MR12		-				-	rohs3符合条件		到达不受影响				8													-
2SA1626-AZ	-	RFQ	8918	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的										下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	400
FF600R12ME7B11BPSA2	337.7200	RFQ	6522	Infineon技术	EconoDual™3	托盘	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	FF600R12			20兆	标准	ag-econod	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	2独立														沟渠场停止	1200 v	600 a		1.75V @ 15V，600A					35 µA	是的	92 NF @ 25 V
2DA1774QLP-7B	0.0775	RFQ	6809	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-UFDFN	2DA1774			250兆		X1-DFN1006-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																40 V	100 ma							100NA（ICBO）				PNP	200mv @ 5mA，50mA	120 @ 1mA，6v	100MHz
PMV65xper	0.4200	RFQ	3348	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PMV65		MOSFET （金属 o化物）			TO-236AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道			20 v	2.8A（ta）	2.5V，4.5V	78mohm @ 2.8a，4.5V	1.25V @ 250µA	9 NC @ 4.5 V	±12V	618 pf @ 10 V	-	480MW（TA），6.25W（tc）
PMV37EN2R	0.4400	RFQ	17	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PMV37		MOSFET （金属 o化物）			TO-236AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道			30 V	4.5A（ta）	4.5V，10V	36mohm @ 4.5A，10V	2V @ 250µA	6.3 NC @ 10 V	±20V	209 pf @ 15 V	-	510MW（TA），5W（5W）TC）
JANSL2N2907AUB	102.2804	RFQ	6955	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/291	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅				500兆		UB	-			到达不受影响	150-JANSL2N2907AUB			1																60 V	600 MA							50NA				PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
PSMN085-150K，518	-	RFQ	1883年	Nexperia USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道			150 v	3.5A（TC）	10V	85MOHM @ 3.5A，10V	4V @ 1mA	40 NC @ 10 V	±20V	1310 PF @ 25 V	-	3.5W（TC）
FJX4011RTF	-	RFQ	4810	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SC-70，SOT-323	FJX401			200兆		SOT-323	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																40 V	100 ma							100NA（ICBO）				pnp-预先偏见	300mv @ 1mA，10mA	100 @ 1mA，5V	200 MHz	22 KOHMS
BSC0924NDIATMA1	1.3500	RFQ	79	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC0924		MOSFET （金属 o化物）	1W		PG-Tison-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）				30V	17a，32a		5mohm @ 20a，10v	2V @ 250µA	10NC @ 4.5V		1160pf @ 15V	逻辑级别门，4.5V驱动器
DMP1046UFDB-13	0.4800	RFQ	4124	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫	DMP1046		MOSFET （金属 o化物）	1.4W		U-DFN2020-6（B型）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10,000	2（p 通道（双）				12V	3.8a		61MOHM @ 3.6A，4.5V	1V @ 250µA	17.9nc @ 8V		915pf @ 6V	-
NTE235	6.3000	RFQ	4	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				1.2W		TO-220	下载	rohs3符合条件			2368-NTE235	Ear99	8541.29.0095	1				-												75V	3a											NPN		25 @ 500mA，5V	150MHz			-
QS8J13TR	0.8700	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	QS8J13		MOSFET （金属 o化物）	1.25W		TSMT8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）				12V	5.5a		22mohm @ 5.5a，4.5V	1V @ 1mA	60nc @ 4.5V		6300pf @ 6V	逻辑级别门
FS300R120E4B0SA1	-	RFQ	5062	Infineon技术	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
SIS334DN-T1-GE3	-	RFQ	4068	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS334		MOSFET （金属 o化物）			PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道			30 V	20A（TC）	4.5V，10V	11.3mohm @ 10a，10v	2.4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	640 pf @ 15 V	-	3.8W（TA），50W（TC）
IXGH50N60B	-	RFQ	7731	ixys	HiperFast™	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH50	标准		300 w		TO-247AD	下载		不适用	到达不受影响	IXGH50N60B-NDR	Ear99	8541.29.0095	30			480V，50a，2.7Ohm，15V												-	600 v	75 a	200 a	2.3V @ 15V，50a	3MJ（（）	160 NC	50NS/150NS
J2A012YXZ/S1AY73AJ	-	RFQ	7237	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的				J2A0						-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	2,500
BC857	0.0482	RFQ	4996	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BC857			250MW		SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			8541.21.0000	3,000																45V	100mA							15NA（icbo）				2 PNP （双）	650mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	100MHz
2SK1920-E	0.8300	RFQ	46	Onmi	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
TPH1400ANH，L1Q	1.5000	RFQ	4	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPH1400		MOSFET （金属 o化物）			8（5x5）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道			100 v	24A（TC）	10V	13.6mohm @ 12a，10v	4V @ 300µA	22 NC @ 10 V	±20V	1900 pf @ 50 V	-	1.6W（TA），48W（tc）
MSC015SMA070B	35.7600	RFQ	1898年	微芯片技术	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	MSC015		sicfet （碳化硅）			TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	691-MSC015SMA070B	Ear99	8541.29.0095	30		n通道			700 v	131a（TC）	20V	19mohm @ 40a，20v	2.4V @ 1mA	215 NC @ 20 V	+25V，-10V	4500 PF @ 700 V	-	400W（TC）
IRL3202S	-	RFQ	4897	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRL3202S	Ear99	8541.29.0095	50		n通道			20 v	48A（TC）	4.5V，7V	16mohm @ 29a，7v	700mv @ 250µA（250µA））	43 NC @ 4.5 V	±10V	2000 pf @ 15 V	-	69W（TC）
EMF7T2R	-	RFQ	5744	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-563，SOT-666	EMF7			150MW		EMT6	-	rohs3符合条件		到达不受影响	846-EMF7T2RTR			8,000																50V，12V	100mA，500mA							500NA，100NA（ICBO）				1 NPN预先偏见，1 NPN	300mv @ 500µA，10mA / 250mv @ 10mA，200ma	20 @ 20mA，5v / 270 @ 10mA，2V	250MHz，320MHz	2.2kohms	2.2kohms
SST175 SOT-23 3L ROHS	7.1900	RFQ	9	线性集成系统公司	SST175	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜135°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				350兆		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道										-											30 V				125欧姆
NTMFS4C01NT1G	-	RFQ	6071	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4		MOSFET （金属 o化物）			5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道			30 V	47A（TA），303A（tc）	4.5V，10V	0.9MOHM @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	139 NC @ 10 V	±20V	10144 PF @ 15 V	-	3.2W（TA），134W（tc）
pbls6003d-qx	0.1062	RFQ	3942	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-74，SOT-457	PBLS6003			200MW，250MW		6-TSOP	-	rohs3符合条件		到达不受影响	1727-PBLS6003D-QXTR	Ear99	8541.21.0075	3,000																50V，60V	100mA，700mA							1µA，100NA				1 NPN预偏，1 pnp	150mv @ 500µA，10mA / 340mv @ 100mA，1a	30 @ 5mA，5v / 200 @ 1mA，5v	185MHz	10KOHMS	10KOHMS
IRF3708pbf	-	RFQ	6886	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道			30 V	62A（TC）	2.8V，10V	12mohm @ 15a，10v	2V @ 250µA	24 NC @ 4.5 V	±12V	2417 PF @ 15 V	-	87W（TC）
FQA32N20C	1.3100	RFQ	1	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3			MOSFET （金属 o化物）			to-3pn	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道			200 v	32A（TC）	10V	82MOHM @ 16a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±30V	2220 PF @ 25 V	-	204W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²