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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
SIRA72DP-T1-GE3	1.2000	RFQ	2377	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sira72			MOSFET （金属 o化物）			PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						40 V	60a（TC）	4.5V，10V	3.5MOHM @ 10A，10V	2.4V @ 250µA	30 NC @ 4.5 V	+20V，-16V	3240 pf @ 20 V	-	56.8W（TC）
PBHV9515QA147	0.0800	RFQ	55	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的												下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,974
BSC670N25NSFDATMA1	3.5000	RFQ	8691	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC670			MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道						250 v	24A（TC）	10V	67MOHM @ 24A，10V	4V @ 90µA	30 NC @ 10 V	±20V	2410 pf @ 125 V	-	150W（TC）
SCH1430-TL-W	-	RFQ	5460	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	Sch143			MOSFET （金属 o化物）			SOT-563/SCH6	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	5,000		n通道						20 v	2A（TA）	1.8V，4.5V	125mohm @ 1A，4.5V	1.3V @ 1mA	1.8 NC @ 4.5 V	±12V	128 pf @ 10 V	-	800MW（TA）
FQPF5N60C	1.5800	RFQ	215	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF5			MOSFET （金属 o化物）			TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						600 v	4.5A（TC）	10V	2.5OHM @ 2.25a，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±30V	670 pf @ 25 V	-	33W（TC）
IRFR3303Trl	-	RFQ	1036	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	= 94-4737	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						30 V	33A（TC）	10V	31mohm @ 18a，10v	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	750 pf @ 25 V	-	57W（TC）
IXFT20N100P	10.9044	RFQ	3038	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft20			MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道						1000 v	20A（TC）	10V	570MOHM @ 10A，10V	6.5V @ 1mA	126 NC @ 10 V	±30V	7300 PF @ 25 V	-	660W（TC）
IRL3716STRLPBF	-	RFQ	9372	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001578504	Ear99	8541.29.0095	800		n通道						20 v	180a（TC）	4.5V，10V	4MOHM @ 90A，10V	3V @ 250µA	79 NC @ 4.5 V	±20V	5090 pf @ 10 V	-	210W（TC）
ON5441518	0.7300	RFQ	32	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的												-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	2,000
AFT09S200W02NR3	-	RFQ	2548	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	70 v		表面安装	OM-780-2	AFT09		960MHz	ldmos			OM-780-2	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935311675528	Ear99	8541.29.0075	250			-		1.4 a	56W	19.2db											-										28 V
PMCXB900UELZ	0.4200	RFQ	11	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-xfdfn暴露垫	PMCXB900			MOSFET （金属 o化物）	380MW		DFN1010B-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	5,000	n和p通道互补							20V	600mA		620MOHM @ 600mA，4.5V	950mv @ 250µA	0.7NC @ 4.5V		21.3pf @ 10V	-
2SB1168S	0.4000	RFQ	17	Onmi	*	大部分	积极的												下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1
BUK7Y7R2-60EX	-	RFQ	2919	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669				MOSFET （金属 o化物）			LFPAK56，Power-SO8	下载						0000.00.0000	1		n通道						60 V	-	10V	-	-		±20V		-	167W（TC）
IRFH5025TRPBF	3.1700	RFQ	2	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	IRFH5025			MOSFET （金属 o化物）			8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道						250 v	3.8A（TA）	10V	100mohm @ 5.7a，10v	5V @ 150µA	56 NC @ 10 V	±20V	2150 pf @ 50 V	-	3.6W（ta），8.3W（tc）
IPD50P04P4L11ATMA1	1.5800	RFQ	2287	Infineon技术	汽车，Optimos™-P2	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD50			MOSFET （金属 o化物）			PG-TO252-3-313	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道						40 V	50A（TC）	4.5V，10V	10.6mohm @ 50a，10v	2.2V @ 85µA	59 NC @ 10 V	±16V	3900 PF @ 25 V	-	58W（TC）
SIPC10N60C3X1SA2	-	RFQ	2062	Infineon技术	-	大部分	积极的					SIPC10							-	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响	SP000482570		0000.00.0000	1									-
BSP295E6327	-	RFQ	1323	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA				MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223-4	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						60 V	1.8A（ta）	4.5V，10V	300MOHM @ 1.8A，10V	1.8V @ 400µA	17 NC @ 10 V	±20V	368 PF @ 25 V	-	1.8W（TA）
TK80S06K3L （T6L1，NQ	-	RFQ	7483	东芝半导体和存储	U-Mosiv	胶带和卷轴（（tr）	过时的		175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TK80S06			MOSFET （金属 o化物）			DPAK+	-	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道						60 V	80a（ta）	6V，10V	5.5MOHM @ 40a，10v	3V @ 1mA	85 NC @ 10 V	±20V	4200 PF @ 10 V	-	100W（TC）
MRF5S21100HSR3	-	RFQ	5820	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v			NI-780	MRF5		2.16GHz〜2.17GHz	ldmos			NI-780	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		5A991G	8541.29.0075	250			-		1.05 a	23W	13.5dB											-										28 V
STF18NM60ND	-	RFQ	4677	Stmicroelectronics	FDMESH™II	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF18			MOSFET （金属 o化物）			TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						600 v	13A（TC）	10V	290MOHM @ 6.5A，10V	5V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±25V	1030 pf @ 50 V	-	30W（TC）
2N6299	27.2384	RFQ	6463	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-213AA，TO-66-2	2N6299				64 W		TO-66（TO-213AA）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																					80 V	8 a							500µA			pnp-达灵顿	2V @ 80mA，8a	750 @ 4A，3V	-
2N5412	519.0900	RFQ	4715	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	螺柱坐骑	TO-211MA，TO-210AC，TO-61-4，螺柱					100 W		TO-61	-			到达不受影响	150-2N5412	Ear99	8541.29.0095	1																					60 V	15 a							-			PNP	-	-	-
BUZ30AHXKSA1	-	RFQ	8987	Infineon技术	Sipmos®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道						200 v	21a（TC）	10V	130MOHM @ 13.5A，10V	4V @ 1mA		±20V	1900 pf @ 25 V	-	125W（TC）
BSC027N06LS5ATMA1	2.6800	RFQ	36	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC027			MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道						60 V	100A（TC）	4.5V，10V	2.7MOHM @ 50A，10V	2.3V @ 49µA	30 NC @ 4.5 V	±20V	4400 PF @ 30 V	-	83W（TC）
AOSP36326C	0.4600	RFQ	87	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AOSP363			MOSFET （金属 o化物）			8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						30 V	12a（12a）	4.5V，10V	11mohm @ 12a，10v	2.3V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	542 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
MUN5211T1	0.0500	RFQ	30	Onmi	-	大部分	积极的			表面安装	SC-70，SOT-323	MUN5211				310 MW		SC-70-3（SOT323）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																					50 V	100 ma							500NA			npn-预先偏见	250mv @ 300µA，10mA	35 @ 5mA，10v		10 kohms	10 kohms
MV2N4860UB	80.4916	RFQ	5752	微芯片技术	*	大部分	积极的					MV2N4860							-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
afghl30t65rqdn	4.9500	RFQ	8686	Onmi	汽车，AEC-Q101	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	afghl30	标准			230.8 w		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-AFGHL30T65RQDN	Ear99	8541.29.0095	450				400V，15A，2.5OHM，15V															39 ns	现场停止	650 v	42 a	120 a	1.82V @ 15V，30a	（340µJ）（在320µJ上）	37 NC	18NS/68NS
MG1775S-BN4MM	-	RFQ	2092	Littelfuse Inc.	-	大部分	过时的		-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	S-3模块					520 w	标准	S3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		-MG1775S-BN4MM	Ear99	8541.29.0095	50	半桥																			沟渠场停止	1700 v	125 a		2.45V @ 15V，75a					3 ma	不	6.8 nf @ 25 V
2SA2154CT-Y（TPL3）	-	RFQ	5156	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883	2SA2154				100兆		CST3	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	10,000																					50 V	100 ma							100NA（ICBO）			PNP	300mv @ 10mA，100mA	120 @ 2mA，6v	80MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²