RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
RM1A5N30S3AE	0.0390	RFQ	6517	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323				MOSFET （金属 o化物）		SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM1A5N30S3AETR		8541.10.0080	30,000	n通道						30 V	1.5A（TA），1.4a（tc）	2.5V，4.5V	144MOHM @ 1A，4.5V	1.5V @ 250µA		±10V	105 pf @ 15 V	-	400MW（TA），500MW（（（（（（（（（（（
KSC2669YTA	0.0200	RFQ	9489	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3					200兆	TO-92S	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,752																				30 V	30 ma									100NA（ICBO）		NPN	400mv @ 1mA，10mA	120 @ 2mA，12v	250MHz
3SK222-T2-A	0.4400	RFQ	195	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
irlr3410pbf	-	RFQ	8585	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		D-pak	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道						100 v	17a（TC）	4V，10V	105mohm @ 10a，10v	2V @ 250µA	34 NC @ 5 V	±16V	800 pf @ 25 V	-	79W（TC）
FDD26AN06A0-F085	-	RFQ	3404	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD26AN06			MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道						60 V	（7A）（ta），36a （TC）	10V	26mohm @ 36a，10v	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	800 pf @ 25 V	-	75W（TC）
MMBT3906FN3_R1_001	0.2700	RFQ	7	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-UFDFN	MMBT3906				250兆	3-DFN（0.6x1）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000																				40 V	200 ma									50NA		PNP	400mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	250MHz
2N4938	-	RFQ	8519	中央半导体公司	-	大部分	过时的		-	通过洞	TO-78-6金属罐	2N493				-	TO-78-6	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																				-	-									-		-	-	-	-
STF21N90K5	8.0000	RFQ	200	Stmicroelectronics	SuperMesh5™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF21			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道						900 v	18.5A（TC）	10V	299MOHM @ 9A，10V	5V @ 100µA	43 NC @ 10 V	±30V	1645 PF @ 100 V	-	40W（TC）
PBSS5620PA，115	0.4500	RFQ	2	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	3-Powerudfn	PBSS5620				2.1 w	3-Huson（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	3,000																				20 v	6 a									100NA		PNP	350mv @ 300mA，6a	190 @ 2a，2v	80MHz
CLF1G0060S-30U	144.3750	RFQ	7998	Ampleon USA Inc.	-	托盘	不适合新设计	150 v		表面安装	SOT-1227B	CLF1G0060		3GHz〜3.5GHz	甘姆特		SOT1227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	20		-		70 MA	30W	13DB											-										50 V
SPU03N60S5IN	0.5100	RFQ	1	Infineon技术	-	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
DTC123EE3HZGTL	0.4100	RFQ	3	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-75，SOT-416	DTC123				150兆	EMT3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	846-DTC123EE3HZGTLCT	Ear99	8541.21.0075	3,000																				50 V	100 ma									500NA		npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	20 @ 20mA，5V	250 MHz	2.2 kohms	2.2 kohms
TPT5609-C-AP	-	RFQ	3126	微商业公司	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	TPT5609				750兆w	到92	-	rohs3符合条件	不适用			Ear99	8541.21.0075	1																				20 v	1 a									1µA（ICBO）		NPN	500mv @ 80mA，800mA	120 @ 500mA，2V	190MHz
FQU5N50TU	-	RFQ	6782	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	FQU5			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	70	n通道						500 v	3.5A（TC）	10V	1.8OHM @ 1.75a，10V	5V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±30V	610 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），50W（50W）（TC）
IXFP4N85XM	3.3100	RFQ	1	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IXFP4N85			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道						850 v	3.5A（TC）	10V	2.5OHM @ 2A，10V	5.5V @ 250µA	7 NC @ 10 V	±30V	247 PF @ 25 V	-	35W（TC）
FQP4N50	-	RFQ	6409	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FQP4			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道						500 v	3.4A（TC）	10V	2.7OHM @ 1.7A，10V	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	460 pf @ 25 V	-	70W（TC）
IXGH24N60AU1	-	RFQ	8644	ixys	HiperFast™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH24	标准			150 w	TO-247AD	下载		不适用	到达不受影响	IXGH24N60AU1-NDR	Ear99	8541.29.0095	30			480V，24a，10ohm，15V															50 ns	-	600 v	48 a	96 a	2.7V @ 15V，24a	600µJ（在）上，1.5MJ（OFF）	90 nc	25NS/150NS
BS170RLM	1.0000	RFQ	4762	Onmi	-	大部分	过时的					BS170						-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000
DMP2104LP-7	0.4300	RFQ	78	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-udfn	DMP2104			MOSFET （金属 o化物）		DFN1411-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	P通道						20 v	1.5A（TA）	1.8V，4.5V	150MOHM @ 950mA，4.5V	1V @ 250µA		±12V	320 pf @ 16 V	-	500MW（TA）
SI3867DV-T1-GE3	-	RFQ	6583	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3867			MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道						20 v	3.9a（ta）	2.5V，4.5V	51MOHM @ 5.1A，4.5V	1.4V @ 250µA	11 NC @ 4.5 V	±12V		-	1.1W（TA）
MSC750SMA170B4	5.6100	RFQ	137	微芯片技术	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4				sicfet （碳化硅）		TO-247-4	下载		（1 （无限）	到达不受影响	150-MSC750SMA170B4	Ear99	8541.29.0095	90	n通道						1700 v	7A（TC）	20V	940MOHM @ 2.5A，20V	3.25V @ 100µA（100µA））	11 NC @ 20 V	+23V，-10V	184 PF @ 1360 V	-	68W（TC）
mps6601rlra	-	RFQ	1829年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	MPS660				625兆	TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																				25 v	1 a									100NA		NPN	600mv @ 100mA，1a	50 @ 500mA，1V	100MHz
NVHL040N65S3HF	8.5422	RFQ	3882	Onmi	SuperFet®III，FRFET®	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NVHL040N65S3HF	Ear99	8541.29.0095	30	n通道						650 v	65A（TC）	10V	40mohm @ 32.5a，10v	5V @ 2.1mA	157 NC @ 10 V	±30V	6655 PF @ 400 V	-	446W（TC）
DMTH47M2SPSWQ-13	0.3045	RFQ	6286	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-POWERTDFN	DMTH47			MOSFET （金属 o化物）		PowerDI5060-8（type UX）	下载			到达不受影响	31-DMTH47M2SPSPSPSWQ-13TR	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道						40 V	73A（TC）	10V	7.5mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	12.1 NC @ 10 V	±20V	897 PF @ 20 V	-	3.3W（TA），68W（tc）
BC847BV，315	1.0000	RFQ	5101	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载						0000.00.0000	1
IF170AST3	-	RFQ	9680	交流	IF170	条	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-3					350兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	4966-IF170AST3	Ear99	8541.21.0095	1	n通道						30 V							15pf @ 10V														4 mA @ 10 V	600 mv @ 1 na		80欧姆
ZVP4525E6TA	0.9100	RFQ	3822	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	ZVP4525			MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道						250 v	197MA（ta）	3.5V，10V	14ohm @ 200ma，10v	2V @ 1mA	3.45 NC @ 10 V	±40V	73 pf @ 25 V	-	1.1W（TA）
IRFR3704Tr	-	RFQ	3357	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	SP001573372	Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道						20 v	75A（TC）	10V	9.5Mohm @ 15a，10v	3V @ 250µA	19 nc @ 4.5 V	±20V	1996 PF @ 10 V	-	90W（TC）
DTA14444EET1G	0.1600	RFQ	11	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SC-75，SOT-416	DTA144				200兆	SC-75，SOT-416	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																				50 V	100 ma									500NA		pnp-预先偏见	250mv @ 300µA，10mA	80 @ 5mA，10v		47科姆斯	47科姆斯
DMTH6005LFG-7	0.5078	RFQ	2590	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	DMTH6005			MOSFET （金属 o化物）		PowerDI3333-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	31-DMTH6005LFG-7TR	Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道						60 V	19.7a（ta），100a（tc）	4.5V，10V	4.1MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	48.7 NC @ 10 V	±20V	3150 pf @ 30 V	-	2.38W（ta），75W（（（（（（（（（（

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²