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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
2N4896	16.3650	RFQ	7620	微芯片技术	-	大部分	积极的		-	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以					7 W	TO-5AA	-			到达不受影响	150-2N4896	Ear99	8541.29.0095	1																				60 V	5 a								-		PNP	-	-	-
JANSF2N222221AUB/TR	149.4750	RFQ	9875	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的											-				150-JANSF2N222221AUB/TR			50
2N5793U/tr	71.0700	RFQ	1560年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	6-SMD，没有铅	2N5793				600MW	你	-			到达不受影响	150-2N5793U/TR	Ear99	8541.21.0095	100																				40V	600mA								10µA（ICBO）		2 NPN （双）	900mv @ 30mA，300mA	40 @ 150mA，10v	-
JAN2N3867P	32.4919	RFQ	2924	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/350	大部分	积极的		-55°C 〜200°C	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以					1 w	TO-5AA	-			到达不受影响	150-JAN2N3867P	Ear99	8541.29.0095	1																				40 V	3 a								1µA		PNP	1.5V @ 250mA，2.5a	50 @ 500mA，1V	-
JANTXV2N5416U4/TR	-	RFQ	5956	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/485	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅					1 w	U4	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV2N5416U4/tr	Ear99	8541.29.0095	1																				300 v	1 a								1ma		PNP	2V @ 5mA，50mA	30 @ 50mA，10v	-
MNS2N2222AUBP	12.3700	RFQ	2244	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/255	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅					500兆	UB	-			到达不受影响	150-MNS2N222222AUBP	Ear99	8541.21.0095	1																				50 V	800 MA								50NA		NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
JAN2N3724L	-	RFQ	9720	微芯片技术	-	大部分	积极的		200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以						TO-5	-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1																				30 V	500 MA								-		NPN	-	-	-
PQMH2147	-	RFQ	5002	NXP半导体	-	大部分	积极的											-				2156-PQMH2147			1
BUK7K5R1-30E，115	1.7800	RFQ	1	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-12205，8-LFPAK56	buk7k5			MOSFET （金属 o化物）	68W	LFPAK56D	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	2 n 通道（双）							30V	40a		5.1MOHM @ 10a，10v	4V @ 1mA	31.1nc @ 10V		2352pf @ 25V	逻辑级别门
BLF6G38-25,112	-	RFQ	7317	Ampleon USA Inc.	-	托盘	过时的	65 v		底盘安装	SOT-608A	BLF6G38		3.4GHz〜3.6GHz	ldmos		CDFM2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		5A991G	8541.29.0075	20			8.2a		225 MA	4.5W	15DB											-							28 V
PMPB100ENEA115	0.1500	RFQ	27	Nexperia USA Inc.	*	大部分	积极的					PMPB100						下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
IXFP10N80P	6.3800	RFQ	281	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXFP10			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						800 v	10A（TC）	10V	1.1OHM @ 5A，10V	5.5V @ 2.5mA	40 NC @ 10 V	±30V	2050 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IRGC20B60KB	-	RFQ	8528	Infineon技术	-	大部分	过时的		-	表面安装	死		标准				死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		1				-															npt	600 v	20 a	1.3V @ 15V，4A	-	-
PTFA212001F1V4XWSA1	-	RFQ	4759	Infineon技术	-	托盘	过时的	65 v		表面安装	2-flatpack，鳍铅，法兰			2.14GHz	ldmos		H-37260-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000432154	过时的	0000.00.0000	1			-		1.6 a	50W	15.8db											-							30 V
AONS32100	2.1100	RFQ	14	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-powersmd，平面线	AONS321			MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						25 v	（73A）（TA），400A （TC）	4.5V，10V	0.73MOHM @ 20A，10V	1.6V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	15200 PF @ 12.5 V	-	6.2W（250W）（250W）TC）
MPQ7091	0.6700	RFQ	2	Onmi	*	大部分	积极的											下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1
2N3773	179.3250	RFQ	5351	微芯片技术	*	大部分	积极的											-			到达不受影响	150-2N3773			1
ZXM64P02XTA	1.3900	RFQ	11	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	ZXM64P02			MOSFET （金属 o化物）		8-msop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道						20 v	3.5A（ta）	2.7V，4.5V	90MOHM @ 2.4a，4.5V	700mv @ 250µA（250µA））	6.9 NC @ 4.5 V	±12V	900 pf @ 15 V	-	1.1W（TA）
RFM04U6P（TE12L，F）	1.5493	RFQ	7126	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	16 V		表面安装	TO-243AA	RFM04U6		470MHz	MOSFET		PW-Mini	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道		2a		500 MA	4.3W	13.3db											-							6 V
NTE2910	7.9500	RFQ	266	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的		-55°C 200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3						TO-18	下载	rohs3符合条件			2368-NTE2910	Ear99	8541.29.0095	1		n通道						40 V							14pf @ 20V											40 V	5 ma @ 20 V	500 mv @ 1 na		100欧姆
PHE13005,127	-	RFQ	8169	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PHE13						下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000
STW43NM60ND	-	RFQ	9367	Stmicroelectronics	FDMESH™	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW43N			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-8461-5	Ear99	8541.29.0095	30		n通道						600 v	35A（TC）	10V	88mohm @ 17.5a，10v	5V @ 250µA	145 NC @ 10 V	±25V	4300 PF @ 50 V	-	255W（TC）
2SC4793，YHF（j	-	RFQ	4612	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SC4793				2 w	TO-220NIS	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0075	1																				230 v	1 a								1µA（ICBO）		NPN	1.5V @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，5V	100MHz
KSP8599CTA	0.0200	RFQ	9617	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）					625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	8,000																				80 V	500 MA								100NA		PNP	400mv @ 5mA，100mA	100 @ 1mA，5V	150MHz
PBSS4021PT，215	0.4700	RFQ	161	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PBSS4021				1.1 w	TO-236AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	3,000																				20 v	3.5 a								100NA		PNP	330mv @ 400mA，4a	140 @ 2a，2v	155MHz
SQJ910AEP-T2_GE3	0.5433	RFQ	7378	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SQJ910			MOSFET （金属 o化物）	48W（TC）	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SQJ910AEP-T2_GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）							30V	30A（TC）		7mohm @ 12a，10v	2.5V @ 250µA	39nc @ 10V		1869pf @ 15V	-
APT5010LLG	17.0200	RFQ	6384	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	APT5010			MOSFET （金属 o化物）		TO-264 [L]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道						500 v	46A（TC）	10V	100mohm @ 23a，10v	5V @ 2.5mA	95 NC @ 10 V	±30V	4360 pf @ 25 V	-	520W（TC）
DTC114ECA	0.1500	RFQ	3080	Yangzhou Yangjie电子技术有限公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DTC114				200兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99		3,000																				50 V	100 ma								100NA		npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V	250 MHz	10 kohms	10 kohms
2SA1362-gr，LF	0.4000	RFQ	7	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2SA1362				200兆	S-Mini	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0075	3,000																				15 v	800 MA								100NA（ICBO）		PNP	200mv @ 8mA，400mA	200 @ 100mA，1V	120MHz
BCW61C	0.2800	RFQ	2	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					250兆	SOT-23	下载	Rohs不合规			2368-BCW61C	Ear99	8541.21.0095	1																				32 v	100 ma								20NA（ICBO）		PNP	550mv @ 1.25mA，50mA	250 @ 2mA，5v	100MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²