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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	申请	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
RJK0395DPA-00＃j5a	0.5100	RFQ	3	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		150°C（TJ）		表面安装	8-WFDFN暴露垫			MOSFET （金属 o化物）			8-wpak	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					30 V	30a（TA）		7.7MOHM @ 15A，10V	-	11 NC @ 4.5 V		1670 pf @ 10 V	-	30W（TC）
SI1028X-T1-GE3	-	RFQ	3803	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	SOT-563，SOT-666	SI1028		MOSFET （金属 o化物）	220MW		SC-89（SOT-563F）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）						30V	-		650MOHM @ 500mA，10V	2.5V @ 250µA	2NC @ 10V		16pf @ 15V	逻辑级别门
BCR158E6327	1.0000	RFQ	6105	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的				表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCR158			200兆		PG-SOT23-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																			50 V	100 ma			100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	200 MHz	2.2 kohms	47科姆斯
PMPB25Enex	0.4700	RFQ	6	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	6-udfn暴露垫	PMPB25		MOSFET （金属 o化物）			DFN2020MD-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道					30 V	10a（10a）	4.5V，10V	24mohm @ 7.2a，10v	2.5V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	607 PF @ 15 V	-	2.1W（TA）
BSS138K	-	RFQ	2650	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			MOSFET （金属 o化物）			SOT-23-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1		n通道					50 V	220mA（ta）	1.8V，2.5V	1.6OHM @ 50mA，5V	1.2V @ 250µA	2.4 NC @ 10 V	±12V	58 pf @ 25 V	-	350MW（TA）
FP75R12KE3BOSA1	236.8800	RFQ	76	Infineon技术	-	托盘	积极的		-40°C〜125°C（TJ）		底盘安装	模块	FP75R12			355 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的																	npt	1200 v	105 a	2.2V @ 15V，75A		5 ma	不	5.3 nf @ 25 V
STMFS4834NST	0.5300	RFQ	6	Onmi	*	大部分	积极的												-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1,500
2N5731	519.0900	RFQ	9155	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		螺柱坐骑	TO-211MA，TO-210AC，TO-61-4，螺柱				75 w		TO-61	-			到达不受影响	150-2N5731	Ear99	8541.29.0095	1																			80 V	20 a			-			PNP	-	-	-
PDTC144EQBZ	0.2700	RFQ	5	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				表面安装，可润湿的侧面	3-XDFN暴露垫	PDTC144			340兆		DFN1110D-3	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	5,000																			50 V	100 ma			100NA			pnp-预先偏见	100mv @ 500µA，10mA	80 @ 5mA，5V	180 MHz	47科姆斯	47科姆斯
BC56PAS115	-	RFQ	8724	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的												下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
NDS332P	0.4900	RFQ	2	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	NDS332		MOSFET （金属 o化物）			SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道					20 v	1A（1A）	2.7V，4.5V	300MOHM @ 1.1A，4.5V	1V @ 250µA	5 NC @ 4.5 V	±8V	195 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
BD137G	0.8600	RFQ	9083	Onmi	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD137			1.25 w		TO-126	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500																			60 V	1.5 a			100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，2V	-
PBSS4260QAZ	0.4900	RFQ	150	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）		表面安装	3-XDFN暴露垫	PBSS4260			325兆		DFN1010D-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	5,000																			60 V	2 a			100NA（ICBO）			NPN	190MV @ 50mA，1a	40 @ 2a，2v	180MHz
PD55003	-	RFQ	6324	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	40 V				Powerso-10裸露的底部垫	PD55003	500MHz	ldmos			10-Powerso	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			2.5a	50 mA	3W	17dB											-					12.5 v
SI1441EDH-T1-BE3	0.5300	RFQ	9791	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1441		MOSFET （金属 o化物）			SC-70-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响	742-SI1441EDH-T1-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道					20 v	（4A）（4A），4A （TC）		41MOHM @ 5A，4.5V	1V @ 250µA	33 NC @ 8 V	±10V		-	1.6W（TA），2.8W（TC）
FDC637AN	0.8000	RFQ	3359	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	FDC637		MOSFET （金属 o化物）			SuperSot™-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					20 v	6.2a（ta）	2.5V，4.5V	24mohm @ 6.2a，4.5V	1.5V @ 250µA	16 NC @ 4.5 V	±8V	1125 PF @ 10 V	-	1.6W（TA）
BSS138-13P	0.0301	RFQ	3806	微商业公司	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BSS138		MOSFET （金属 o化物）			SOT-23	下载				353-BSS138-13P	Ear99	8541.21.0095	1		n通道					50 V	220mA（ta）	4.5V，10V	2.5Ohm @ 300mA，10v	1.5V @ 1mA	1.65 NC @ 10 V	±20V	60 pf @ 25 V	-	350MW
AO7600	-	RFQ	4091	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	AO760		MOSFET （金属 o化物）	300MW		SC-70-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道						20V	900mA，600mA		300MOHM @ 900mA，4.5V	900mv @ 250µA	1.9nc @ 4.5V		120pf @ 10V	逻辑级别门
IPB13N03LB g	-	RFQ	9149	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB13N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					30 V	30A（TC）	4.5V，10V	12.5MOHM @ 30a，10v	2V @ 20µA	11 NC @ 5 V	±20V	1355 pf @ 15 V	-	52W（TC）
AUIRF3415	-	RFQ	5883	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001516548	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					150 v	43A（TC）	10V	42mohm @ 22a，10v	4V @ 250µA	200 NC @ 10 V	±20V	2400 PF @ 25 V	-	200W（TC）
BCW61DE6327	0.0400	RFQ	64	Infineon技术	-	大部分	积极的		150°C（TJ）		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				330兆		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	7,454																			32 v	100 ma			20NA（ICBO）			PNP	550mv @ 1.25mA，50mA	380 @ 2mA，5V	250MHz
FJX2907ATF	-	RFQ	8317	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-		表面安装	SC-70，SOT-323	FJX290			325兆		SC-70（SOT323）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000																			60 V	600 MA			10NA（ICBO）			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	200MHz
IAUT300N08S5N011ATMA1	6.8700	RFQ	1	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	8-Powersfn			MOSFET （金属 o化物）			PG-HSOF-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道					80 V	410a（TJ）	6V，10V	1.1MOHM @ 100A，10V	3.8V @ 275µA	231 NC @ 10 V	±20V	16250 PF @ 40 V	-	375W（TC）
BFG93A/X，215	-	RFQ	4423	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		175°C（TJ）		表面安装	TO-253-4，TO-253AA	BFG93			300MW		SOT-143B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000						-													12V	35mA						NPN		40 @ 30mA，5V	6GHz			1.7db〜2.3db @ 1GHz〜2GHz
FGP3040G2	1.0100	RFQ	3	Fairchild半导体	*	大部分	积极的												-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1
IRFP140R	2.5400	RFQ	6300	哈里斯公司	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-247	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	31		n通道					100 v	31a（TC）	10V	77mohm @ 19a，10v	4V @ 250µA	59 NC @ 10 V	±20V	1275 PF @ 25 V	-	180W（TC）
GA50JT06-258	625.7790	RFQ	9468	基因半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜225°C（TJ）		通过洞	TO-258-3，TO-258AA	GA50JT06		SIC （硅碳化物交界晶体管）			TO-258	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		1242-1253	Ear99	8541.29.0095	10		-					600 v	100A（TC）	-	25mohm @ 50a	-		-		-	769W（TC）
AOB418L	-	RFQ	4373	Alpha＆欧米茄半导体公司	SDMOS™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	AOB41		MOSFET （金属 o化物）			TO-263（D2PAK）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					100 v	9.5A（ta），105a （TC）	4.5V，10V	9.7mohm @ 20a，10v	3.9V @ 250µA	83 NC @ 10 V	±12V	5200 PF @ 50 V	-	2.1W（TA），333W（tc）
ALD810022SCLI	5.5750	RFQ	4876	高级线性设备公司	SAB™	管子	积极的	10.6V		超级电容器自动平衡	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	ALD810022					16-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	50			80mA																							4 n通道
DTC123JCAHZGT116	0.3700	RFQ	5	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的				表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DTC123			200兆		SST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																			50 V	100 ma			500NA			npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250 MHz	2.2 kohms	47科姆斯

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²