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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	申请	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
IXTY4N65X2-TRL	1.2663	RFQ	1584年	ixys	Ultra X2	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ixty4			MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixty4nnnnn65x2-trltr	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						650 v	4A（TC）	10V	850MOHM @ 2A，10V	5V @ 250µA	8.3 NC @ 10 V	±30V	455 pf @ 25 V	-	80W（TC）
SIZ916DT-T1-GE3	-	RFQ	6283	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	8-Powerwdfn	SIZ916			MOSFET （金属 o化物）	22.7W，100W		8-Powerpair®（6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（半桥）							30V	16a，40a		6.4mohm @ 19a，10v	2.4V @ 250µA	26NC @ 10V		1208pf @ 15V	-
IXFV36N50P	-	RFQ	2442	ixys	HiperFet™，Polarp2™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3，短选项卡	IXFV36			MOSFET （金属 o化物）			加220	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						500 v	36a（TC）	10V	170MOHM @ 500mA，10V	5V @ 4mA	93 NC @ 10 V	±30V	5500 PF @ 25 V	-	540W（TC）
RN2306，LF	0.1900	RFQ	2146	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				表面安装	SC-70，SOT-323	RN2306				100兆		SC-70	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0075	3,000																				50 V	100 ma									500NA				pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	200 MHz	4.7科姆斯	47科姆斯
2SB1228	0.5700	RFQ	2	Onmi	*	大部分	积极的													下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
DMJ70H1D3SI3	-	RFQ	7861	二极管合并	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	DMJ70			MOSFET （金属 o化物）			TO-251（TH3 3）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道						700 v	4.6A（TC）	10V	1.3OHM @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	13.9 NC @ 10 V	±30V	351 PF @ 50 V	-	41W（TC）
FZ1200R12HE4HOSA2	637.5500	RFQ	1	Infineon技术	IHM-B	托盘	积极的		-40°C〜150°C（TJ）		底盘安装	模块	FZ1200				7150 w	标准	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2	单个开关																		沟渠场停止	1200 v	1825 a		2.1V @ 15V，1.2KA							5 ma	不	74 NF @ 25 V
2C5416	18.0747	RFQ	4065	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的													-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-2C5416			1
A2T21S161W12SR3	-	RFQ	6110	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	28 V			底盘安装	NI-780-2S2L	A2T21		2.11GHz〜2.2GHz	ldmos			NI-780-2S2L	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935363146128	Ear99	8541.29.0075	250			-			38W	-											-
IRFR24N15DPBF	-	RFQ	3046	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道						150 v	24A（TC）	10V	95mohm @ 14a，10v	5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±30V	890 pf @ 25 V	-	140W（TC）
AO4447A_104	-	RFQ	1473	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AO44			MOSFET （金属 o化物）			8-SOIC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	785-AO4447A_104TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道						30 V	18.5a（ta）	4.5V，10V	5.8mohm @ 18.5a，10v	2.2V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	5020 PF @ 15 V	-	3.1W（TA）
SI1467DH-T1-GE3	0.6700	RFQ	9993	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1467			MOSFET （金属 o化物）			SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道						20 v	2.7A（TC）	1.8V，4.5V	90MOHM @ 2A，4.5V	1V @ 250µA	13.5 NC @ 4.5 V	±8V	561 PF @ 10 V	-	1.5W（TA），2.78W（tc）
RN2304，LF	0.1800	RFQ	5	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				表面安装	SC-70，SOT-323	RN2304				100兆		SC-70	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0075	3,000																				50 V	100 ma									500NA				pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	200 MHz	47科姆斯	47科姆斯
TSM055N03PQ56	0.7033	RFQ	5653	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	8-POWERTDFN	TSM055			MOSFET （金属 o化物）			8-pdfn（5x5.8）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM055N03PQ56TR	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道						30 V	80A（TC）	4.5V，10V	5.5MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	11.1 NC @ 4.5 V	±20V	1160 pf @ 25 V	-	74W（TC）
IFN160AST3	-	RFQ	6467	交流	IFN160	条	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	SOT-23-3					350兆		SOT-23-3	-	rohs3符合条件		到达不受影响	4966-IFN160AST3	Ear99	8541.21.0095	1		n通道						50 V																					600 mV @ 10 µA				440欧姆
BLP15M9S70XY	16.9428	RFQ	9321	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	65 v			表面安装	TO-270AA	BLP15		2GHz	ldmos			TO-270-2F-1	-	rohs3符合条件			1603-BLP15M9S70XYTR			100	n通道		1.4µA		400 MA	70W	17.8db											-								32 v
2SC3746R	0.4000	RFQ	7	Sanyo	*	大部分	积极的													下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-2SC3746R-600057			1
BCV61BE6433HTMA1	0.1302	RFQ	9563	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	30V		当前镜子	表面安装	TO-253-4，TO-253AA	BCV61						PG-SOT-143-3D	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000			100mA																															2 NPN，基本收集器交界处
BD882HY-TP	0.1145	RFQ	9868	微商业公司	-	大部分	积极的		150°C（TJ）		表面安装	TO-243AA	BD882				500兆		SOT-89	下载				353-BD882HY-TP	Ear99	8541.21.0095	1																				70 v	3 a									1µA（ICBO）				NPN	500mv @ 200mA，2a	160 @ 1A，2V	50MHz
DTC144EE	0.0260	RFQ	300	Yangjie技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				表面安装	SOT-523	DTC144				150兆		SOT-523	-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-DTC144Eetr	Ear99		3,000																				50 V	100 ma									500NA				npn- +二极管	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5V	250 MHz	47科姆斯
BFR193FH6327	0.0800	RFQ	99	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）		表面安装	SOT-723					580MW		PG-TSFP-3-1	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000							19db													12V	80mA													NPN		70 @ 30mA，8v	8GHz			1db〜1.6dB @ 900MHz〜1.8GHz
PMV48XPVL	0.1715	RFQ	9236	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PMV48			MOSFET （金属 o化物）			TO-236AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934065361235	Ear99	8541.21.0095	10,000		P通道						20 v	3.5A（ta）	2.5V，4.5V	55mohm @ 2.4a，4.5V	1.25V @ 250µA	11 NC @ 4.5 V	±12V	1000 pf @ 10 V	-	510MW（TA）
NGB8202NT4G	-	RFQ	3375	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NGB820	逻辑			150 w		D²Pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800				300V，9A，1KOHM，5V															-	440 v	20 a	50 a	1.9V @ 4.5V，20A	-	- /5µs
APTGT75H60T2G	-	RFQ	1814年	Microsemi Corporation	-	大部分	积极的		-40°C〜175°C（TJ）		底盘安装	SP2	APTGT75				250 w	标准	SP2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	完整的桥梁逆变器																		沟渠场停止	600 v	100 a		1.9V @ 15V，75a							250 µA	是的	4.62 NF @ 25 V
PMBFJ309,215	-	RFQ	7304	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PMBFJ3				250兆		SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道						25 v							5pf @ 10V												25 v	12 ma @ 10 V	1 V @ 1 µA				50欧姆
SI7464DP-T1-GE3	1.8900	RFQ	8218	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	PowerPak®SO-8	SI7464			MOSFET （金属 o化物）			PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						200 v	1.8A（ta）	6V，10V	240MOHM @ 2.8A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V		-	1.8W（TA）
ON4970,115	-	RFQ	4487	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				表面安装	TO-261-4，TO-261AA	ON49		-	-			SC-73	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934042780115	Ear99	8541.29.0095	1,000	-		-			-	-											-
AOTF8T50PL	-	RFQ	2164	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3完整包	AOTF8			MOSFET （金属 o化物）			TO-220F	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						500 v	8A（TC）	10V	810MOHM @ 4A，10V	5V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±30V	905 PF @ 100 V	-	28W（TC）
IRF7507pbf	-	RFQ	5489	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产				表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	IRF7507			MOSFET （金属 o化物）	1.25W		micro8™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001566226	Ear99	8541.29.0095	80	n和p通道							20V	2.4a，1.7a		140MOHM @ 1.7A，4.5V	700mv @ 250µA（250µA））	8NC @ 4.5V		260pf @ 15V	逻辑级别门
BCP240C	-	RFQ	1842年	BEREX INC	-	托盘	积极的	12 v				死			6GHz〜18GHz	Phemt fet			死	-	rohs3符合条件	不适用	到达受影响	4704-BCP240C	Ear99	8541.21.0040	5			1.03a		360 MA	33DBM	9DB											-								8 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²