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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
RN2104MFV，L3F	-	RFQ	2607	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-723	RN2104				150兆		VESM	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		RN2104MFVL3F	Ear99	8541.21.0075	8,000																				50 V	100 ma							500NA			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250 MHz	47科姆斯	47科姆斯
DMP3026SFDF-13	0.1462	RFQ	4371	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫	DMP3026			MOSFET （金属 o化物）			U-DFN2020-6（f型）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10,000		P通道						30 V	10.3a（ta）	4V，10V	19mohm @ 4.5A，10V	3V @ 250µA	19.6 NC @ 10 V	±25V	1204 pf @ 15 V	-	2W（TA）
2SK3377-Z-AZ	0.8300	RFQ	771	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）			TO-252（MP-3Z）	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-2SK3377-Z-AZ	Ear99	8541.29.0075	1		n通道						60 V	20A（TA）	4V，10V	44mohm @ 10a，10v	2.5V @ 1mA	17 NC @ 10 V	±20V	760 pf @ 10 V	-	1W（TA），30W（TC）
FQD12P10TM-F085	1.2200	RFQ	2	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD12P10			MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道						100 v	9.4A（TC）	10V	290MOHM @ 4.7A，10V	4V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±30V	800 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），50W（50W）（TC）
2SCR572D3FRATL	1.6000	RFQ	273	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	2SCR572				10 W		TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500																				30 V	5 a							1µA（ICBO）			NPN	400mv @ 100mA，2a	200 @ 500mA，3V	300MHz
STD100N10F7	2.8800	RFQ	26	Stmicroelectronics	DeepGate™，diplfet™VII	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD100			MOSFET （金属 o化物）			DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						100 v	80A（TC）	10V	8mohm @ 40a，10v	4.5V @ 250µA	61 NC @ 10 V	±20V	4369 PF @ 50 V	-	120W（TC）
DMTH3002LPS-13	1.2100	RFQ	9034	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	DMTH3002			MOSFET （金属 o化物）			PowerDI5060-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						30 V	100A（TC）	4.5V，10V	1.6mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	77 NC @ 10 V	±16V	5000 pf @ 15 V	-	1.2W（TA），136W（tc）
PMXB65ENE，147	0.2100	RFQ	2	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的												下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
GTVA262701FA-V2-R0	152.3168	RFQ	4351	Wolfspeed，Inc。	甘	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125 v		表面安装	H-87265J-2	GTVA262701		2.62GHZ〜2.69GHz	hemt			H-87265J-2	下载				1697-GTVA262701FA-V2-R0TR	Ear99	8541.29.0075	50			-		320 MA	270W	17dB											-									48 v
APT11N80KC3G	-	RFQ	8224	Microsemi Corporation	coolmos™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）			TO-220 [K]	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						800 v	11A（TC）	10V	450MOHM @ 7.1A，10V	3.9V @ 680µA	60 NC @ 10 V	±20V	1585 pf @ 25 V	-	156W（TC）
PMZB200Une315	0.0600	RFQ	156	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的												下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	10,000
HAT1047RWS-E	-	RFQ	3087	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）			8-sop	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道						30 V	14A（TA）	4.5V，10V	12mohm @ 7a，10v	2.5V @ 1mA	64 NC @ 10 V	±20V	3500 PF @ 10 V	-	2.5W（TA）
NVMFS6H800NT1G	5.2000	RFQ	1392	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS6			MOSFET （金属 o化物）			5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道						80 V	28a（28a）（203a tc）（TC）	10V	2.1MOHM @ 50a，10v	4V @ 330µA	85 NC @ 10 V	±20V	5530 PF @ 40 V	-	3.8W（TA），200W（（tc）
MCG35P04-TP	0.4700	RFQ	3	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	MCG35			MOSFET （金属 o化物）			DFN3333	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		P通道						40 V	35a	4.5V，10V	25mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	26.6 NC @ 10 V	±20V	1257 PF @ 20 V	-	38W
APTGT75TL60T3G	93.2700	RFQ	10	微芯片技术	-	管子	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SP3	APTGT75				250 w	标准	SP3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	三级逆变器																		沟渠场停止	600 v	100 a		1.9V @ 15V，75a					250 µA	是的	4.62 NF @ 25 V
2N6547T1	349.2000	RFQ	9125	微芯片技术	-	大部分	积极的		200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3							TO-204AD（TO-3）	-			到达不受影响	150-2N6547T1	Ear99	8541.29.0095	1																				400 v	15 a							-			NPN	-	-	-
JANSL2N3810U	262.3106	RFQ	4590	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/336	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	6-SMD，没有铅	2N3810				350MW		你	-			到达不受影响	150-JANSL2N3810U			1																				60V	50mA							10µA（ICBO）			2 PNP （双）	250mv @ 100µA，1mA	150 @ 1mA，5V	-
APTGL325A120D3G	316.5800	RFQ	4966	微芯片技术	-	大部分	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	D-3模块	APTGL325				1500 w	标准	D3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	半桥																		沟渠场停止	1200 v	420 a		2.2V @ 15V，300A					5 ma	不	18.6 NF @ 25 V
2N4037	15.8550	RFQ	8438	微芯片技术	*	大部分	积极的												-			到达不受影响	150-2N4037			1
2n3960ub/tr	59.6550	RFQ	8319	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅					400兆		UB	-			到达不受影响	150-2N3960UB/TR	Ear99	8541.21.0075	100																				12 v								10µA（ICBO）			NPN	300mv @ 3mA，30mA	60 @ 10mA，1V	-
FQP2P25	-	RFQ	3576	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	750		P通道						250 v	2.3a（TC）	10V	4ohm @ 1.15a，10v	5V @ 250µA	8.5 NC @ 10 V	±30V	250 pf @ 25 V	-	52W（TC）
ALD310708PCL	8.6100	RFQ	3247	高级线性设备公司	EPAD®，零阈值™	管子	积极的		0°C〜70°C	通过洞	16 浸（0.300英寸，7.62mm）	ALD310708			MOSFET （金属 o化物）	500MW		16-PDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1014-1297	Ear99	8541.21.0095	50	4个p通道，匹配对							8V	-		-	780mv @ 1µA	-		2.5pf @ 5V	-
BSS84K-TP	0.3300	RFQ	17	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BSS84			MOSFET （金属 o化物）			SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道						60 V	130mA（ta）	4.5V，10V	6ohm @ 500mA，10v	2.5V @ 250µA		±20V	30 pf @ 5 V	-	225MW
FGH50N6S2	-	RFQ	7389	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	FGH50	标准			463 w		TO-247-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	150				390V，30a，3ohm，15V															-	600 v	75 a	240 a	2.7V @ 15V，30a	（260µJ）（在250µJ上）	70 NC	13ns/55ns
2SCR583D3FRATL	2.5500	RFQ	2	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63					10 W		TO-252	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500																				50 V	7 a							1µA（ICBO）			NPN	350mv @ 150mA，3a	180 @ 1A，3V	280MHz
ISZ330N12LM6ATMA1	1.4900	RFQ	9652	Infineon技术	Optimos™6	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	ISZ330			MOSFET （金属 o化物）			PG-TSDSON-8 FL	-		（1 （无限）					5,000		n通道						120 v	5.7a（ta），24a （TC）	3.3V，10V	33mohm @ 9a，10v	2.2V @ 11µA	9 NC @ 10 V	±20V	650 pf @ 60 V	-	2.5W（ta），43W（tc）
ixta300N04T2	5.2412	RFQ	6291	ixys	TRENCHT2™	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta300			MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						40 V	300A（TC）	10V	2.5MOHM @ 500mA，10V	4V @ 250µA	145 NC @ 10 V	±20V	10700 PF @ 25 V	-	480W（TC）
TK22V65X5，LQ	5.6600	RFQ	2	东芝半导体和存储	DTMOSIV-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C	表面安装	4-VSFN暴露垫				MOSFET （金属 o化物）			4-DFN-EP（8x8）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						650 v	22a（22a）	10V	170mohm @ 11a，10v	4.5V @ 1.1mA	50 NC @ 10 V	±30V	2400 PF @ 300 V	-	180W（TC）
MSCSM70AM19T1AG	100.9200	RFQ	10	微芯片技术	-	大部分	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	MSCSM70			（SIC）	365W（TC）		-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCSM70AM19T1AG	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（相腿）							700V	124A（TC）		19mohm @ 40a，20v	2.4V @ 4mA	215nc @ 20V		4500pf @ 700V	-
SI7232DN-T1-GE3	0.9100	RFQ	8529	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®1212-8	SI7232			MOSFET （金属 o化物）	23W		POWERPAK®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）							20V	25a		16.4mohm @ 10a，4.5V	1V @ 250µA	32nc @ 8v		1220pf @ 10V	逻辑级别门

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²