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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
IRFPS38N60L	-	RFQ	1105	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-274AA	IRFPS38	MOSFET （金属 o化物）			SUPER-247™to-274AA）	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	38A（TC）	10V	150MOHM @ 23A，10V	5V @ 250µA	320 NC @ 10 V	±30V	7990 pf @ 25 V	-	540W（TC）
IFS200B12N3E4B31BPSA1	425.2850	RFQ	5534	Infineon技术	MIPAQ™	托盘	积极的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	IFS200		940 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	全桥												沟渠场停止	1200 v	400 a	2.1V @ 15V，200a			1 MA	是的	14 NF @ 25 V
SMP4393	-	RFQ	5569	交流	SMP4393	条	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-3			350兆		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	4966-SMP4393	Ear99	8541.21.0095	1		n通道	40 V							13pf @ 20V							12 ma @ 20 V	1.5 V @ 1 na				70欧姆
KSC2785OBU	-	RFQ	2793	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	KSC2785		250兆		TO-92S	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000														50 V	150 ma				100NA（ICBO）				NPN	300mv @ 10mA，100mA	70 @ 1mA，6v	300MHz
BCR142E6327HTSA1	0.3800	RFQ	225	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCR142		200兆		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000														50 V	100 ma				100NA（ICBO）				npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	150 MHz	22 KOHMS	47科姆斯
CPH3115-TL-H	0.4200	RFQ	2	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SC-96	CPH311		900兆		3-CPH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000														30 V	1.5 a				100NA（ICBO）				PNP	375mv @ 15mA，750mA	200 @ 100mA，2V	450MHz
AO8830	-	RFQ	9936	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	AO883	MOSFET （金属 o化物）	1.5W		8-tssop	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）公共排水		20V	-		27mohm @ 6a，10v	1V @ 1mA	5.2nc @ 4.5V		290pf @ 10V	逻辑级别门
IPI35CN10N g	-	RFQ	7845	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI35C	MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道	100 v	27a（TC）	10V	35mohm @ 27a，10v	4V @ 29µA	24 NC @ 10 V	±20V	1570 pf @ 50 V	-	58W（TC）
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IPP90R340C3XKSA1	-	RFQ	5492	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP90R	MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道	900 v	15A（TC）	10V	340MOHM @ 9.2A，10V	3.5V @ 1mA	94 NC @ 10 V	±20V	2400 PF @ 100 V	-	208W（TC）
NDTL01N60ZT3G	-	RFQ	5410	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	NDTL01	MOSFET （金属 o化物）			SOT-223（TO-261）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道	600 v	250mA（tc）	10V	15ohm @ 400mA，10v	4.5V @ 50µA	4.9 NC @ 10 V	±30V	92 PF @ 25 V	-	2W（TC）
FDD4N60NZ	-	RFQ	5280	Onmi	Unifet-II™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD4N60	MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	600 v	3.4A（TC）	10V	2.5OHM @ 1.7A，10V	5V @ 250µA	10.8 NC @ 10 V	±25V	510 pf @ 25 V	-	114W（TC）
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PDTC124XS，126	-	RFQ	4984	NXP USA Inc.	-	（TB）	过时的		通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PDTC124		500兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000														50 V	100 ma				1µA				npn-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	80 @ 5mA，5V		22 KOHMS	47科姆斯
NVD5890NT4G-VF01	1.0000	RFQ	8859	Onmi	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	到达不受影响				1
BDW24C-S	-	RFQ	9391	Bourns Inc.	-	管子	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	BDW24		2 w		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	15,000														100 v	6 a				500µA				pnp-达灵顿	3V @ 60mA，6a	750 @ 2a，3v	-
SP000797380	1.0000	RFQ	4167	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）			PG-TO220-3-111	下载						0000.00.0000	1		n通道	600 v	20.2A（TC）	10V	190MOHM @ 9.5A，10V	3.5V @ 630µA	63 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 100 V	-	34W（TC）
FQB6N60TM	-	RFQ	4952	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FQB6	MOSFET （金属 o化物）			d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	600 v	6.2A（TC）	10V	1.5OHM @ 3.1a，10v	5V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±30V	1000 pf @ 25 V	-	3.13W（TA），130W（tc）
BC847CWE6327BTSA1	-	RFQ	6773	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC847		250兆		PG-SOT323	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000														45 v	100 ma				15NA（icbo）				NPN	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	250MHz
mpsa70rlrm	-	RFQ	5525	Onmi	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	MPSA70		625兆		TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000														40 V	100 ma				100NA（ICBO）				PNP	250mv @ 1mA，10mA	40 @ 5mA，10v	125MHz
IRFBF20PBF-BE3	2.4100	RFQ	975	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFBF20	MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-IRFBF20PBF-BE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	900 v	1.7A（TC）		8ohm @ 1A，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	490 pf @ 25 V	-	54W（TC）
CAS310M17BM3	1.0000	RFQ	9806	Wolfspeed，Inc。	-	盒子	积极的	-	底盘安装	模块	CAS310	MOSFET （金属 o化物）	-		-	下载		不适用		1697-CAS310M17BM3	Ear99	8541.29.0095	1	-		1700V	310a		-	-	-		-	标准
FCH125N60E	-	RFQ	2014	Onmi	SuperFet®II	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	FCH125	MOSFET （金属 o化物）			TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道	600 v	29A（TC）	10V	125mohm @ 14.5A，10V	3.5V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±20V	2990 pf @ 380 V	-	278W（TC）
2SAR514RTL	0.5700	RFQ	1	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-96	2SAR514		1 w		TSMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	3,000														80 V	700 MA				1µA（ICBO）				PNP	400mv @ 15mA，300mA	120 @ 100mA，3v	380MHz
irlr3410pbf	-	RFQ	8585	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）			D-pak	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道	100 v	17a（TC）	4V，10V	105mohm @ 10a，10v	2V @ 250µA	34 NC @ 5 V	±16V	800 pf @ 25 V	-	79W（TC）
SQ4917EY-T1_BE3	1.5500	RFQ	22	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ4917	MOSFET （金属 o化物）	5W（TC）		8-SOIC	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）		60V	8A（TC）		48mohm @ 4.3A，10V	2.5V @ 250µA	65nc @ 10V		1910pf @ 30V	-
MSCSM120DUM31CTBL2NG	296.3200	RFQ	5418	微芯片技术	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	MSCSM120	（SIC）	310W		-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCSM120DUM31CTBL2NG	Ear99	8541.29.0095	1	4 n通道，常见来源		1200V	79a		31mohm @ 40a，20v	2.8V @ 1mA	232nc @ 20v		3020pf @ 1000V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²