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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IXXA30N65C3HV	5.6612	RFQ	9253	ixys	XPT™，GenX3™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXXA30	标准		230 w		TO-263HV	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			400V，24a，10ohm，15V											33 ns	-	650 v	52 a	113 a	2.2V @ 15V，24a	（500µJ）（在450µJ上）	37 NC	33NS/125NS
MUBW25-12T7	-	RFQ	9696	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E2	mubw25			170 w	三相桥梁整流器	E2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	三期逆变器														沟	1200 v	45 a		2.15V @ 15V，25a				2.7 MA	是的	1.8 nf @ 25 V
IRG4PC50KPBF	2.2600	RFQ	11	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		200 w		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			480V，30a，5ohm，15V												-	600 v	52 a	104 a	2.2V @ 15V，30a	490µJ（在）上，680µJ降低）	200 NC	38NS/160NS
AUIRF3808	2.0000	RFQ	1	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	151		n通道		75 v	140a（TC）		7mohm @ 82a，10v	4V @ 250µA	220 NC @ 10 V		5310 PF @ 25 V	-	330W（TC）
stl4p3llh6	0.6200	RFQ	4	Stmicroelectronics	DeepGate™，脱衣Fet™H6	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	6 PowerWDFN	stl4p3		MOSFET （金属 o化物）			PowerFlat™（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-15510-2	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道		30 V	4A（ta）	4.5V，10V	56mohm @ 2a，10v	2.5V @ 250µA	6 NC @ 4.5 V	±20V	639 pf @ 25 V	-	2.4W（TA）
ISL9V3040D3ST-F085C	1.9600	RFQ	2	Onmi	Ecospark®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ISL9V3040	逻辑		150 w		D-pak（TO-252）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			300V，1000OHM，5V											7 µs	-	430 v	21 a		1.6V @ 4V，6A	-	17 NC	- /4µs
MTM982400BBF	-	RFQ	6590	松下电子组件	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅			MOSFET （金属 o化物）			SO8-F1-B	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		40 V	7a（ta）	5V，10V	23mohm @ 7a，10v	2.5V @ 1mA		±20V	1750 pf @ 10 V	-	2W（TA）
IRGPH40F	-	RFQ	2712	Infineon技术	-	包	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		160 w		TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25															-	1200 v	29 a		3.3V @ 15V，17a
IHD10N60RA	-	RFQ	9485	Infineon技术	Trechstop®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		标准		110 w		PG-TO252-3-11	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			400V，10a，23ohm，15V												沟	600 v	20 a	30 a	1.9V @ 15V，10a	270µJ	62 NC	- /170ns
STL19N65M5	2.5800	RFQ	2	Stmicroelectronics	MDMESH™v	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL19		MOSFET （金属 o化物）			PowerFlat™（8x8）HV	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		650 v	2.3a（ta），12.5a tc）	10V	240MOHM @ 7.5A，10V	5V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±25V	1240 pf @ 100 V	-	2.8W（ta），90W（90W）TC）
FDB110N15A	5.4300	RFQ	2	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FDB110		MOSFET （金属 o化物）			d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		150 v	92A（TC）	10V	11mohm @ 92a，10v	4V @ 250µA	61 NC @ 10 V	±20V	4510 PF @ 75 V	-	234W（TC）
FQD4N20LTF	-	RFQ	9653	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD4		MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道		200 v	3.2A（TC）	5V，10V	1.35OHM @ 1.6A，10V	2V @ 250µA	5.2 NC @ 5 V	±20V	310 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），30W（tc）
IKW50N65ET7XKSA1	6.3400	RFQ	8024	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Trenchstop™	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IKW50N65	标准		273 w		pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，50a，9ohm，15V											93 ns	沟渠场停止	650 v	50 a	150 a	1.65V @ 15V，50a	1.2MJ（在）上，850µJ（OFF）	290 NC	26NS/350NS
FDPF4D5N10C	6.3600	RFQ	948	Onmi	PowerTrench®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FDPF4		MOSFET （金属 o化物）			TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	2156-FDPF4D5N10C-488	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		100 v	128a（TC）	10V	4.5MOHM @ 100A，10V	4V @ 310µA	68 NC @ 10 V	±20V	5065 pf @ 50 V	-	2.4W（TA），37.5W（tc）
RJH60D5DPM-00＃t1	-	RFQ	7054	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	RJH60D5	标准		45 W		to-3pfm	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			300V，37A，5OHM，15V											100 ns	沟	600 v	75 a		2.2V @ 15V，37a	（650µJ）（在），270µJ（270µJ）中	78 NC	50NS/135NS
CPH5616-TL-E	0.4400	RFQ	2	Sanyo	*	大部分	积极的				CPH5616		-				-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			0000.00.0000	1												-
MCH3476-TL-H	-	RFQ	4371	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-3平线	MCH3476		MOSFET （金属 o化物）			SC-70FL/MCPH3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道		20 v	2A（TA）	1.8V，4.5V	125mohm @ 1A，4.5V	-	1.8 NC @ 4.5 V	±12V	128 pf @ 10 V	-	800MW（TA）
BUK7M6R0-40HX	1.2700	RFQ	1	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-1210，8-LFPAK33（5铅）	BUK7M6		MOSFET （金属 o化物）			LFPAK33	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道		40 V	50a（ta）	10V	6mohm @ 20a，10v	3.6V @ 1mA	28 NC @ 10 V	+20V，-10V	1875 PF @ 25 V	-	70W（TA）
AUIRFS8405	1.2500	RFQ	1	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		40 V	120A（TC）	10V	2.3MOHM @ 100A，10V	3.9V @ 100µA	161 NC @ 10 V	±20V	5193 PF @ 25 V	-	163W（TC）
NGD15N41ACLT4G	-	RFQ	3569	Littelfuse Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		逻辑		107 w		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500			300V，6.5a，1KOHM												-	440 v	15 a	50 a	2.2V @ 4V，10a	-		- /4µs
IXTV102N25T	-	RFQ	6518	ixys	沟	管子	积极的	-	通过洞	TO-220-3，短选项卡	ixtv102		MOSFET （金属 o化物）			加220	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		250 v	102A（TC）		-	-				-	-
SIE808DF-T1-E3	3.9800	RFQ	6782	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-Polarpak®（l）	SIE808		MOSFET （金属 o化物）			10-Polarpak®（l）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		20 v	60a（TC）	4.5V，10V	1.6mohm @ 25a，10v	3V @ 250µA	155 NC @ 10 V	±20V	8800 pf @ 10 V	-	5.2W（ta），125W（tc）
DF200R12W1H3B27BOMA1	72.2225	RFQ	7929	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	DF200R12			375 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	24	2独立														-	1200 v	30 a		1.3V @ 15V，30a				1 MA	是的	2 NF @ 25 V
2SK1157-E	5.0300	RFQ	339	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的										下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
SPA07N60C3XKSA1	2.7300	RFQ	8938	Infineon技术	coolmos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	SPA07N60		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-31	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		650 v	7.3A（TC）	10V	600MOHM @ 4.6A，10V	3.9V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	790 pf @ 25 V	-	32W（TC）
UPA1728G（0）-E1-AY	0.6700	RFQ	5	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的										-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500
STP21N90K5	6.6600	RFQ	8586	Stmicroelectronics	SuperMesh5™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP21		MOSFET （金属 o化物）			TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-12864-5	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		900 v	18.5A（TC）	10V	299MOHM @ 9A，10V	5V @ 100µA	43 NC @ 10 V	±30V	1645 PF @ 100 V	-	250W（TC）
FCP170N60	6.9700	RFQ	800	Onmi	SuperFet®II	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FCP170		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	22a（TC）	10V	170mohm @ 11a，10v	3.5V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±20V	2860 PF @ 380 V	-	227W（TC）
R6009enx	3.5500	RFQ	397	Rohm半导体	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	R6009		MOSFET （金属 o化物）			TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道		600 v	9A（TC）	10V	535MOHM @ 2.8A，10V	4V @ 1mA	23 NC @ 10 V	±20V	430 pf @ 25 V	-	40W（TC）
NVMJD012N06CLTWG	0.7134	RFQ	4638	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-12205，8-LFPAK56	NVMJD012		MOSFET （金属 o化物）	3.2W（ta），42W（（（（（（（（（）		8-lfpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVMJD012N06CLTWGTR	Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）			60V	11.5A（TA），42A （TC）		11.9mohm @ 25a，10v	2.2V @ 30µA	11.5NC @ 10V		792pf @ 25V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²