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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试
BUK9C1R3-40EJ	-	RFQ	8643	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	buk9c1			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK-7	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934067866118	Ear99	8541.29.0095	800		n通道						40 V	190a（TC）		1.3MOHM @ 90A，5V	-				-	-
BUK7K12-60EX	1.7600	RFQ	10	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-12205，8-LFPAK56	buk7k12			MOSFET （金属 o化物）	68W	LFPAK56D	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	2 n 通道（双）							60V	40a		9.3mohm @ 10a，10v	4V @ 1mA	10.4NC @ 10V		617pf @ 25V	-
BUK7K13-60EX	1.6200	RFQ	2142	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-12205，8-LFPAK56	buk7k13			MOSFET （金属 o化物）	64W	LFPAK56D	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	2 n 通道（双）							60V	40a		10mohm @ 10a，10v	4V @ 1mA	30.1nc @ 10V		2163pf @ 25V	-
BUK7K17-60EX	1.4500	RFQ	1	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-12205，8-LFPAK56	buk7k17			MOSFET （金属 o化物）	53W	LFPAK56D	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	2 n 通道（双）							60V	30a		14mohm @ 10a，10v	4V @ 1mA	23.6nc @ 10V		1578pf @ 25V	-
BUK7K32-100EX	1.6300	RFQ	4459	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-12205，8-LFPAK56	BUK7K32			MOSFET （金属 o化物）	64W	LFPAK56D	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	2 n 通道（双）							100V	29a		27.5MOHM @ 5A，10V	4V @ 1mA	34NC @ 10V		2137pf @ 25V	-
BUK7K6R2-40EX	1.8700	RFQ	1	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-12205，8-LFPAK56	buk7k6			MOSFET （金属 o化物）	68W	LFPAK56D	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	2 n 通道（双）							40V	40a		5.8mohm @ 20a，10v	4V @ 1mA	32.3nc @ 10V		2210pf @ 25V	-
BUK7K8R7-40EX	1.4900	RFQ	1	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-12205，8-LFPAK56	buk7k8			MOSFET （金属 o化物）	53W	LFPAK56D	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	2 n 通道（双）							40V	30a		8.5mohm @ 15a，10v	4V @ 1mA	21.8NC @ 10V		1439pf @ 25V	-
BUK9K12-60EX	2.0200	RFQ	19	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-12205，8-LFPAK56	BUK9K12			MOSFET （金属 o化物）	68W	LFPAK56D	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	2 n 通道（双）							60V	35a		10.7MOHM @ 15A，10V	2.1V @ 1mA	24.5nc @ 5V		3470pf @ 25V	逻辑级别门
BUK9K134-100EX	1.0400	RFQ	2757	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-12205，8-LFPAK56	BUK9K134			MOSFET （金属 o化物）	32W	LFPAK56D	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	2 n 通道（双）							100V	8.5a		159MOHM @ 5A，5V	2.1V @ 1mA	7.4NC @ 5V		755pf @ 25V	逻辑级别门
BUK9K6R8-40EX	1.8300	RFQ	6	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-12205，8-LFPAK56	buk9k6			MOSFET （金属 o化物）	64W	LFPAK56D	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	2 n 通道（双）							40V	40a		6.1MOHM @ 10a，10v	2.1V @ 1mA	22.2nc @ 5V		3000pf @ 25V	逻辑级别门
PMPB20ENZ	0.4300	RFQ	2	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫	PMPB20			MOSFET （金属 o化物）		DFN2020MD-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						30 V	7.2A（ta）	4.5V，10V	19.5mohm @ 7a，10v	2V @ 250µA	10.8 NC @ 10 V	±20V	435 pf @ 10 V	-	1.7W（TA），12.5W（tc）
BLF10M6135U	-	RFQ	4020	Ampleon USA Inc.	-	托盘	过时的	65 v		底盘安装	SOT-502A			871.5MHz〜891.5MHz	ldmos		SOT502A	下载		（1 （无限）	到达不受影响	934067991112	过时的	0000.00.0000	20			-		950 MA	26.5W	21dB											-										28 V
BLF10M6160U	-	RFQ	2928	Ampleon USA Inc.	-	托盘	过时的	65 v		底盘安装	SOT-502A			922.5MHz〜957.5MHz	ldmos		SOT502A	下载		（1 （无限）	到达不受影响	934067993112	过时的	0000.00.0000	20			-		1.2 a	32W	22.5dB											-										32 v
BLF10M6LS135U	-	RFQ	3732	Ampleon USA Inc.	-	托盘	过时的	65 v		底盘安装	SOT-502B			871.5MHz〜891.5MHz	ldmos		SOT502B	下载		（1 （无限）	到达不受影响	93406792112	过时的	0000.00.0000	20			-		950 MA	26.5W	21dB											-										28 V
IRFR7446TRPBF	1.3300	RFQ	2	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR7446			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道						40 V	56A（TC）	6V，10V	3.9MOHM @ 56A，10V	3.9V @ 100µA	130 NC @ 10 V	±20V	3150 pf @ 25 V	-	98W（TC）
FDP030N06B-F102	2.5200	RFQ	3105	Onmi	PowerTrench®	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FDP030			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						60 V	120A（TC）	10V	3.1MOHM @ 100A，10V	4V @ 250µA	99 NC @ 10 V	±20V	8030 PF @ 30 V	-	205W（TC）
FDP075N15A-F102	6.6100	RFQ	871	Onmi	PowerTrench®	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FDP075			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						150 v	130a（TC）	10V	7.5MOHM @ 100A，10V	4V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	7350 PF @ 75 V	-	333W（TC）
FDPF4N60NZ	-	RFQ	3018	Onmi	Unifet-II™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FDPF4			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						600 v	3.8A（TC）	10V	2.5OHM @ 1.9a，10V	5V @ 250µA	10.8 NC @ 10 V	±25V	510 pf @ 25 V	-	28W（TC）
FGA30N65SMD	-	RFQ	7531	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FGA30N65	标准			300 w	to-3pn	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2832-FGA30N65SMD	Ear99	8541.29.0095	450				400V，30a，6ohm，15V															35 ns	现场停止	650 v	60 a	90 a	2.5V @ 15V，30a	（716µJ）（在），208µJ（（（（）	87 NC	14NS/102NS
FGH15T120SMD-F155	-	RFQ	5476	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	FGH15	标准			333 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				600V，15a，34ohm，15V															72 ns	沟渠场停止	1200 v	30 a	60 a	2.4V @ 15V，15a	1.15MJ（在）上，460µJ（OFF）	128 NC	32NS/490NS
FGH30T65UPDT-F155	-	RFQ	2068	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	FGH30	标准			250 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	450				400V，30a，8ohm，15V															43 ns	沟渠场停止	650 v	60 a	90 a	2.3V @ 15V，30a	（760µJ）（在400µJ上）	155 NC	22ns/139ns
FCD620N60ZF	1.9600	RFQ	10	Onmi	Hiperfet™，Polar™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FCD620			MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						600 v	7.3A（TC）	10V	620MOHM @ 3.6A，10V	5V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±20V	1135 PF @ 25 V	-	89W（TC）
FDD1600N10ALZ	1.0400	RFQ	7	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD1600			MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						100 v	6.8A（TC）	5V，10V	160MOHM @ 3.4a，10V	2.8V @ 250µA	3.61 NC @ 10 V	±20V	225 pf @ 50 V	-	14.9W（TC）
FGD3040G2-F085	1.9200	RFQ	1144	Onmi	汽车，AEC-Q101，Ecospark®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FGD3040	逻辑			150 w	TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500				300V，6.5a，1KOHM，5V																-	400 v	41 a		1.25V @ 4V，6A	-	21 NC	- /4.8µs
ISL9V5045S3ST-F085	5.2100	RFQ	1	Onmi	汽车，AEC-Q101，Ecospark®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ISL9V5045	逻辑			300 w	d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800				300V，1KOHM，5V																-	480 v	51 a		1.6V @ 4V，10a	-	32 NC	- /10.8µs
FDMA7628	-	RFQ	4670	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	FDMA76			MOSFET （金属 o化物）		6-microfet（2x2）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						20 v	9.4A（TA）	1.5V，4.5V	14.5MOHM @ 9.4a，4.5V	1V @ 250µA	17.5 NC @ 4.5 V	±8V	1680 pf @ 10 V	-	1.9W（TA）
IXYP50N65C3	8.0100	RFQ	2	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXYP50	标准			600 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50				400V，36a，5ohm，15V																pt	650 v	130 a	250 a	2.1V @ 15V，36a	1.3mj（在）上，370µJ off）	80 NC	22NS/80NS
IXYH75N65C3H1	17.6000	RFQ	24	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixyh75	标准			750 w	TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				400V，60a，3ohm，15V															150 ns	pt	650 v	170 a	360 a	2.3V @ 15V，60a	2.8MJ（在）上，1MJ（1MJ）	123 NC	27NS/93NS
IXYH40N65C3	-	RFQ	6118	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXYH40	标准			300 w	TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				400V，30a，10ohm，15V																pt	650 v	80 a	180 a	2.2V @ 15V，40a	（860µJ）（在400µJ上）	70 NC	26NS/106NS
DMN2014LHAB-7	0.5200	RFQ	9650	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-UFDFN暴露垫	DMN2014			MOSFET （金属 o化物）	800MW	U-DFN2030-6（B型）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）公共排水							20V	9a		13mohm @ 4A，4.5V	1.1V @ 250µA	16nc @ 4.5V		1550pf @ 10V	逻辑级别门

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²