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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	电压 -测试	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
PSMN7R8-100PSEQ	4.0300	RFQ	9980	Nexperia USA Inc.	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PSMN7R8		MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					100 v	100A（TJ）	10V	7.8mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	128 NC @ 10 V	±20V	7110 PF @ 50 V	-	294W（TC）
2SC4883A	-	RFQ	7097	东芝半导体和存储	*	管子	积极的					2SC4883						-	Rohs符合条件	（1 （无限）		2SC4883ATS		0000.00.0000	50
IPA50R250CP	1.5600	RFQ	220	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-31	下载					Ear99	8542.39.0001	220		n通道					500 v	13A（TC）	10V	250MOHM @ 7.8A，10V	3.5V @ 520µA	36 NC @ 10 V	±20V	1420 PF @ 100 V	-	33W（TC）
FDP100N10	3.6800	RFQ	800	Onmi	PowerTrench®	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FDP100		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					100 v	75A（TC）	10V	10mohm @ 75a，10v	4.5V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	7300 PF @ 25 V	-	208W（TC）
RM5N150S8	0.4000	RFQ	8016	美国直发	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM5N150S8		8541.10.0080	300		n通道					150 v	4.6a（ta）	4.5V，10V	75MOHM @ 5A，10V	3V @ 250µA		±20V	625 PF @ 75 V	-	3.1W（TA）
DMT32M6LDG-7	1.4800	RFQ	2	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	DMT32		MOSFET （金属 o化物）	1.1W（TA）		POWERDI3333-8（g型）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000	2 n 通道（双）						30V	21a（21a），47a（tc）		2.5MOHM @ 18A，10V	2.2V @ 400µA	15.6nc @ 4.5V		2101pf @ 15V	标准
JANSF2N222221AUBC/tr	238.6406	RFQ	8291	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/255	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅				500兆		UBC	-			到达不受影响	150-JANSF2N222221AUBC/tr			50																			50 V	800 MA						50NA				NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
MPQ6600A1	1.2200	RFQ	4	Onmi	*	大部分	积极的											下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1
CP245-CEN1309A-CM	-	RFQ	7240	中央半导体公司	-	托盘	过时的											-		（1 （无限）		1514-CP245-CEN1309A-CM	过时的		1
MJD2873Q-13	0.4500	RFQ	2	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MJD2873			1.45 w		TO-252，（-d-pak）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0075	2,500																			50 V	2 a						100NA				NPN	300mv @ 50mA，1a	120 @ 500mA，2V	65MHz
KSD1616AGTA	0.1000	RFQ	4	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				750兆w		TO-92-3	下载					Ear99	8542.39.0001	2,950																			60 V	1 a						100NA（ICBO）				NPN	300mv @ 50mA，1a	200 @ 100mA，2V	160MHz
2SA1083-E-AP	-	RFQ	1534年	微商业公司	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2SA1083			400兆		到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	1,000																			60 V	100 ma						100NA（ICBO）				PNP	200mv @ 1mA，10mA	400 @ 2mA，12v	90MHz
PJX8803_R1_00001	0.4200	RFQ	3	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	PJX8803		MOSFET （金属 o化物）	300MW（TA）		SOT-563	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-PJX8803_R1_00001DKR	Ear99	8541.21.0095	4,000	2（p 通道（双）						20V	600mA（TA）		340MOHM @ 600mA，4.5V	1V @ 250µA	2.2nc @ 4.5V		151pf @ 10V	-
2SJ653	-	RFQ	5170	Sanyo	-	大部分	过时的		150°C	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）			TO-220毫升	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-2SJ653-600057			1		P通道					60 V	37a（ta）	4V，10V	25mohm @ 19a，10v	2.6V @ 1mA	120 NC @ 10 V	±20V	6500 PF @ 20 V	-	2W（TA），35W（tc）（TC）
MG100HF12TLC1	41.7080	RFQ	1	Yangjie技术	-	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块				785 w	标准	-	-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-MG100HF12TLC1	Ear99		10	单个开关																	沟	1200 v	100 a	1.85V @ 15V，100a					1 MA	不	7.43 NF @ 25 V
SI7483ADP-T1-E3	-	RFQ	7925	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7483		MOSFET （金属 o化物）			PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道					30 V	14A（TA）	4.5V，10V	5.7MOHM @ 24A，10V	3V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V		-	1.9W（TA）
SD2931-11W	67.1550	RFQ	4432	Stmicroelectronics	-	托盘	积极的	125 v			M244	SD2931	175MHz	MOSFET			M244	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	n通道		20a	250 MA	150W	15DB											-					50 V
BD233-bp	-	RFQ	1828年	微商业公司	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD233			1.25 w		TO-126	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000																			45 v	2 a						100µA（ICBO）				NPN	600mv @ 100mA，1a	40 @ 150mA，2V	3MHz
IRLML2060TRPBF	0.4600	RFQ	11	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	IRLML2060		MOSFET （金属 o化物）			Micro3™/SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					60 V	1.2A（TA）	4.5V，10V	480MOHM @ 1.2A，10V	2.5V @ 25µA	0.67 NC @ 4.5 V	±16V	64 pf @ 25 V	-	1.25W（TA）
IPN80R4K5P7ATMA1	0.8300	RFQ	8745	Infineon技术	Coolmos™P7	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IPN80R4		MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					800 v	1.5A（TC）	10V	4.5Ohm @ 400mA，10v	3.5V @ 20µA	4 NC @ 10 V	±20V	80 pf @ 500 V	-	6W（TC）
SSM3J372R，LF	0.4400	RFQ	334	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C	表面安装	SOT-23-3平线	SSM3J372		MOSFET （金属 o化物）			SOT-23F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道					30 V	6a（6a）	1.8V，10V	42MOHM @ 5A，10V	1.2V @ 1mA	8.2 NC @ 4.5 V	+12V，-6V	560 pf @ 15 V	-	1W（ta）
2301	0.0270	RFQ	120	戈福德半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			MOSFET （金属 o化物）			SOT-23	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道					20 v	3A（3A）	2.5V，4.5V	56mohm @ 1.7a，4.5V	900mv @ 250µA	12 nc @ 2.5 V	±10V	405 pf @ 10 V	-	1W（ta）
JANSM2N3700	32.9802	RFQ	2006	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/391	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3				500兆		TO-18（（TO-206AA）	-			到达不受影响	150-JANSM2N3700			1																			80 V	1 a						10NA				NPN	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
JANTX2N3868	23.8469	RFQ	5588	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/350	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N3868			1 w		TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																			60 V	3 ma						100µA（ICBO）				PNP	1.5V @ 250mA，2.5a	30 @ 1.5A，2V	-
JANKCCP2N3499	-	RFQ	4694	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/366	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3				1 w		TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-JANKCCP2N3499			100																			100 v	500 MA						10µA（ICBO）				NPN	600mv @ 30mA，300mA	100 @ 150mA，10V	-
MV2N4861	57.2964	RFQ	9081	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/385	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	MV2N4861			360兆w		TO-18（（TO-206AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1		n通道					30 V							18pf @ 10V									30 V	80 ma @ 15 V	4 V @ 0.5 NA				60欧姆
2N4896	16.3650	RFQ	7620	微芯片技术	-	大部分	积极的		-	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以				7 W		TO-5AA	-			到达不受影响	150-2N4896	Ear99	8541.29.0095	1																			60 V	5 a						-				PNP	-	-	-
JANSF2N222221AUB/TR	149.4750	RFQ	9875	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的											-				150-JANSF2N222221AUB/TR			50
2N5793U/tr	71.0700	RFQ	1560年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	6-SMD，没有铅	2N5793			600MW		你	-			到达不受影响	150-2N5793U/TR	Ear99	8541.21.0095	100																			40V	600mA						10µA（ICBO）				2 NPN （双）	900mv @ 30mA，300mA	40 @ 150mA，10v	-
JAN2N3867P	32.4919	RFQ	2924	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/350	大部分	积极的		-55°C 〜200°C	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以				1 w		TO-5AA	-			到达不受影响	150-JAN2N3867P	Ear99	8541.29.0095	1																			40 V	3 a						1µA				PNP	1.5V @ 250mA，2.5a	50 @ 500mA，1V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²