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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
SI4654DY-T1-GE3	-	RFQ	7223	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4654			MOSFET （金属 o化物）			8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						25 v	28.6a（TC）	4.5V，10V	4mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±16V	3770 pf @ 15 V	-	2.5W（2.5W），5.9W（TC）
BSZ050N03LSG	1.0000	RFQ	8626	Infineon技术	Optimos™3	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN				MOSFET （金属 o化物）			PG-TSDSON-8	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道						30 V	16a（16a），80A（tc）	4.5V，10V	5mohm @ 20a，10v	2.2V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	2800 PF @ 15 V	-	2.1W（ta），50W（TC）
MRF6V2300NR5	-	RFQ	3789	自由度半导体	-	大部分	积极的	110 v			TO-270AB	MRF6		220MHz	ldmos			TO-270 WB-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0075	1			-		900 MA	300W	25.5db											-										50 V
DTA143TET1	1.0000	RFQ	4812	Onmi	*	大部分	积极的					DTA143							下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
SI3456BDV-T1-GE3	-	RFQ	2013	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3456			MOSFET （金属 o化物）			6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						30 V	4.5A（ta）	4.5V，10V	35mohm @ 6a，10v	3V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±20V		-	1.1W（TA）
2SB764E	0.1700	RFQ	8153	Onmi	*	大部分	积极的												下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	500
RM17N800T2	1.5300	RFQ	9008	美国直发	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM17N800T2		8541.10.0080	5,000		n通道						800 v	17A（TA）	10V	320MOHM @ 8.5A，10V	4V @ 250µA		±30V	2060 pf @ 50 V	-	260W（TC）
AOK40B120N1	5.5556	RFQ	7134	Alpha＆欧米茄半导体公司	Alpha IGBT™	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	AOK40	标准			600 w		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	785-AOK40B120N1	Ear99	8541.29.0095	30				600V，40a，7.5Ohm，15V															300 ns	-	1200 v	80 a	160 a	2.5V @ 15V，40a	3.4MJ（在）上，1.4MJ off）	100 NC	57NS/146NS
FF450R33T3E3BPSA1	1.0000	RFQ	1	Infineon技术	XHP™3	托盘	积极的		-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FF450R33				1000000 w	标准	AG-XHP100-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			8541.29.0095	1	半桥																			沟渠场停止	3300 v	450 a		2.75V @ 15V，450a					5 ma	不
BCX56-16-AU_R1_000A1	0.3700	RFQ	1210	Panjit International Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	BCX56				1.4 w		SOT-89	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-BCX56-16-AU_R1_000A1DKR	Ear99	8541.29.0075	1,000																					100 v	1 a							100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 100mA，1a	100 @ 150mA，2V	100MHz
IRLR3410TRL	-	RFQ	9977	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	= 94-4888	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						100 v	17a（TC）	4V，10V	105mohm @ 10a，10v	2V @ 250µA	34 NC @ 5 V	±16V	800 pf @ 25 V	-	79W（TC）
FP75R12N2T7PB11BPSA1	179.9500	RFQ	10	Infineon技术	Econopim™2	托盘	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块					20兆	三相桥梁整流器	Ag-Econo2b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器																			沟渠场停止	1200 v	75 a		1.8V @ 15V，75a					14 µA	是的	15.1 NF @ 25 V
ISP12DP06NMXTSA1	1.1200	RFQ	996	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	ISP12DP06			MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道						60 V	2.8A（ta）	10V	125mohm @ 2.8a，10v	4V @ 520µA	20.2 NC @ 10 V	±20V	790 pf @ 30 V	-	1.8W（ta），4.2W（TC）
IRFH5406TRPBF	-	RFQ	6841	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	IRFH5406			MOSFET （金属 o化物）			8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道						60 V	（11a）（ta），40a（tc）	10V	14.4mohm @ 24a，10v	4V @ 50µA	35 NC @ 10 V	±20V	1256 pf @ 25 V	-	3.6W（ta），46W（tc）
DMN2011UFDF-13	0.4600	RFQ	10	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫	DMN2011			MOSFET （金属 o化物）			U-DFN2020-6（f型）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10,000		n通道						20 v	14.2A（TA）	1.5V，4.5V	9.5MOHM @ 7A，4.5V	1V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±12V	2248 pf @ 10 V	-	2.1W（TA）
IPG20N04S409ATMA1	-	RFQ	8611	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	IPG20N			MOSFET （金属 o化物）	54W（TC）		PG-TDSON-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）							40V	20A（TC）		8.6mohm @ 17a，10v	4V @ 22µA	28nc @ 10V		2250pf @ 25V	-
STL35N15F3	3.7100	RFQ	1	Stmicroelectronics	StripFet™III	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL35			MOSFET （金属 o化物）			PowerFlat™（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						150 v	33A（TC）	10V	40mohm @ 3.5a，10v	4V @ 250µA	49.4 NC @ 10 V	±20V	1905 pf @ 25 V	-	80W（TC）
IRGP20B60PDPBF	2.3100	RFQ	7782	国际整流器	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准			220 w		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	79				390V，13a，10ohm，15V															42 ns	npt	600 v	40 a	80 a	2.8V @ 15V，20A	（95µJ）（在），100µJ（OFF）	68 NC	20NS/115NS
ND2012L-TR1	0.5500	RFQ	2	硅	*	大部分	积极的												下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	1
PEMH2,115	0.0600	RFQ	9821	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的			表面安装	SOT-563，SOT-666	PEMH2				300MW		SOT-666	下载					Ear99	8541.21.0075	960																					50V	100mA							1µA			2 NPN- 预偏（双重）	150MV @ 500µA，10mA	80 @ 5mA，5V	-	47kohms	47kohms
UF3C065030K3S	19.1600	RFQ	1	Qorvo	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	UF3C065030			sicfet（cascode sicjfet）			TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	2312-UF3C065030K3S	Ear99	8541.29.0095	30		n通道						650 v	85A（TC）	12V	35mohm @ 50a，12v	6V @ 10mA	51 NC @ 15 V	±25V	1500 pf @ 100 V	-	441W（TC）
TIP35A	-	RFQ	3528	摩托罗拉	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-218-3					125 w		TO-218	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1																					60 V	25 a							-			NPN	-	10 @ 15a，4V	3MHz
APT50GLQ65JU2	-	RFQ	9144	微芯片技术	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克					220 w	标准	isotop®	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	100	提升斩波器																			沟渠场停止	650 v	80 a		2.3V @ 15V，50a					50 µA	不	3.1 NF @ 25 V
IXGK35N120CD1	-	RFQ	9486	ixys	HiperFast™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXGK35	标准			350 w		TO-264（ixgk）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25				960V，35A，5OHM，15V															60 ns	-	1200 v	70 a	140 a	4V @ 15V，35a	3MJ（（）	170 NC	50NS/150NS
2SK2464-TL-E	1.1000	RFQ	12	Onmi	*	大部分	积极的												-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1,500
RGWS00TS65GC13	6.2100	RFQ	7117	Rohm半导体	-	管子	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	RGWS00	标准			245 w		TO-247G	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-RGWS00TS65GC13	Ear99	8541.29.0095	30				400V，50a，10ohm，15V																沟渠场停止	650 v	88 a	150 a	2V @ 15V，50a	（980µJ）（在），910µJ（OFF）上）	108 NC	46NS/145NS
FGA120N30DTU	1.4000	RFQ	364	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FGA120N30	标准			290 w		to-3p	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	30				-															21 ns	-	300 v	120 a	300 a	1.4V @ 15V，25a	-	120 NC	-
MMRF5016HSR5	-	RFQ	7750	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	48 v		表面安装	NI-400S-2S	MMRF5		1.8GHz〜2.2GHz	hemt			NI-400S-2S	-		（1 （无限）	到达不受影响	935331343528	过时的	0000.00.0000	250			-			32W	-											-
UF3C065080B3	7.6200	RFQ	15	Qorvo	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	UF3C065080						TO-263（D2PAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道						650 v	25A（TC）	-				±25V		-	-
BC858A-TP	0.0236	RFQ	3337	微商业公司	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC858				200兆		SOT-23	下载				353-BC858A-TP	Ear99	8541.21.0075	1																					30 V	100 ma							15NA			PNP	650mv @ 5mA，100mA	125 @ 2mA，5V	100MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²