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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
DMN3110S-7	0.5600	RFQ	3	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DMN3110		MOSFET （金属 o化物）			SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道		30 V	2.5a（ta）	4.5V，10V	73mohm @ 3.1ma，10v	3V @ 250µA	8.6 NC @ 10 V	±20V	305.8 pf @ 15 V	-	740MW（TA）
AON7244	-	RFQ	4727	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	aon72		MOSFET （金属 o化物）			8-DFN-EP（3.3x3.3）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		60 V	20A（20A），50A（tc）	4.5V，10V	8.5mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±20V	2435 pf @ 30 V	-	6.2W（ta），83W（tc）
SI7911DN-T1-GE3	-	RFQ	5080	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®1212-8	SI7911		MOSFET （金属 o化物）	1.3W		POWERPAK®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）			20V	4.2a		51MOHM @ 5.7A，4.5V	1V @ 250µA	15nc @ 4.5V		-	逻辑级别门
PDTC114YU，115	0.0200	RFQ	17	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	PDTC114			200兆		SOT-323	下载					Ear99	8541.21.0075	17,125																50 V	100 ma						1µA			npn-预先偏见	100mV @ 250µA，5mA	100 @ 5mA，5V	230 MHz	10 kohms	47科姆斯
PMBT2907A，215	-	RFQ	2881	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的				PMBT2907						下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
HUFA75343S3S	-	RFQ	9013	Onmi	Ultrafet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	HUFA75		MOSFET （金属 o化物）			d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400		n通道		55 v	75A（TC）	10V	9mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	205 NC @ 20 V	±20V	3000 pf @ 25 V	-	270W（TC）
1月2N6762	-	RFQ	4932	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/542	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-204AA（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		500 v	4.5A（TC）	10V	1.8OHM @ 4.5A，10V	4V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（ta），75w（tc）
HUF76132S3ST	0.9800	RFQ	9	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			TO-263AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		30 V	75A（TC）	4.5V，10V	11mohm @ 75a，10v	3V @ 250µA	52 NC @ 10 V	±20V	1650 pf @ 25 V	-	120W（TC）
NSS20500UW3T2G	0.5900	RFQ	6491	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-WDFN暴露垫	NSS20500			875 MW		3-WDFN （2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																20 v	5 a						100NA（ICBO）			PNP	260mv @ 400mA，4a	200 @ 2a，2v	100MHz
FF600R12IP4PBPSA1	487.5200	RFQ	3	Infineon技术	PrimePack™2	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FF600R12			20兆	标准	AG-PRIME2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3	2独立														沟渠场停止	1200 v	600 a		2.05V @ 15V，600A				5 ma	是的	37 NF @ 25 V
JANTX2N3498UB/TR	659.0283	RFQ	1851年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/366	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅				1 w		UB	-			到达不受影响	150-JANTX2N3498UB/TR			100																100 v	500 MA						10µA（ICBO）			NPN	600mv @ 30mA，300mA	40 @ 150mA，10v	-
AONR36326C	0.1538	RFQ	2729	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	AONR363		MOSFET （金属 o化物）			8-DFN-EP（3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	785-AONR36326CTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		30 V	（12A）（12a），12a （TC）	4.5V，10V	9.8mohm @ 12a，10v	2.3V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	540 pf @ 15 V	-	3.1W（TA），20.5W（tc）
BC848A_R1_00001	0.0189	RFQ	6225	Panjit International Inc.	BC848	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC848			330兆		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	120,000																30 V	100 ma						15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	100MHz
NTE455	2.9800	RFQ	196	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的	-55°C〜125°C	表面安装	SOT-103			MOSFET （金属 o化物）			-	下载	Rohs不合规			2368-NTE455	Ear99	8541.21.0095	1		n通道		20 v	25mA	-	-	-		±10V	3500 PF @ 10 V	标准	200mw（ta）
UNUR5119G0L	0.4200	RFQ	2	松下电子组件	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SC-85	UNUR511			150兆		smini3-f2	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000																50 V	100 ma						500NA			pnp-预先偏见	250mv @ 300µA，10mA	30 @ 5mA，10v	80 MHz	1 kohms	10 kohms
2N7002E-T1-E3	0.6400	RFQ	1582	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2N7002		MOSFET （金属 o化物）			SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道		60 V	240mA（ta）	4.5V，10V	3ohm @ 250mA，10v	2.5V @ 250µA	0.6 NC @ 4.5 V	±20V	21 pf @ 5 V	-	350MW（TA）
IXGQ20N120BD1	-	RFQ	1124	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXGQ20	标准		190 w		to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			960V，20a，10ohm，15V											40 ns	-	1200 v	40 a	100 a	3.4V @ 15V，20A	2.1MJ（（）	62 NC	20N/270NS
NTR4502PT3	-	RFQ	4687	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	NTR450		MOSFET （金属 o化物）			SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000		P通道		30 V	1.13A（TA）	4.5V，10V	200mohm @ 1.95a，10v	3V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 15 V	-	400MW（TJ）
jankcbr2n2221a	-	RFQ	3208	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/255	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3				500兆		TO-18（（TO-206AA）	-			到达不受影响	150-JANKCBR2N2221A			100																50 V	800 MA						50NA			NPN	1V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10v	-
PMH850UPEH	0.3900	RFQ	4	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	PMH850		MOSFET （金属 o化物）			DFN0606-3	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10,000		P通道		30 V	600mA（TA）	1.5V，4.5V	1ohm @ 500mA，4.5V	950mv @ 250µA	0.9 NC @ 4.5 V	±8V	62.2 PF @ 15 V	-	660MW（TA），2.23W（tc）
IPT014N10N5ATMA1	6.6700	RFQ	5431	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	8-Powersfn			MOSFET （金属 o化物）			PG-HSOF-8-1	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		-		100 v	362a	10V	-	-		-		-	-
2SA1318S-AA	0.0200	RFQ	18	Onmi	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1
RGCL80TK60GC11	5.3700	RFQ	4129	Rohm半导体	-	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3PFM，SC-93-3	RGCL80	标准		57 W		to-3pfm	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	450			400V，40a，10ohm，15V												沟渠场停止	600 v	35 a	160 a	1.8V @ 15V，40a	1.11mj（在）上，1.68mj off）	98 NC	53NS/227NS
IXGH60N60C3D1	11.5400	RFQ	7391	ixys	Genx3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH60	标准		380 w		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			480V，40a，3ohm，15V											25 ns	pt	600 v	75 a	300 a	2.5V @ 15V，40a	（800µJ）（在450µJ上）	115 NC	21NS/70NS
2N5239	50.5950	RFQ	2418	微芯片技术	*	大部分	积极的										-			到达不受影响	150-2N5239			1
SIGC11T60NCX1SA2	-	RFQ	5765	Infineon技术	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死	SIGC11	标准				死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		1			300V，10a，27ohm，15V												npt	600 v	10 a	30 a	2.5V @ 15V，10a	-		20N/110NS
SIR642DP-T1-GE3	-	RFQ	4415	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir642		MOSFET （金属 o化物）			PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		40 V	60a（TC）	4.5V，10V	2.4mohm @ 15a，10v	2.3V @ 250µA	84 NC @ 10 V	±20V	4155 pf @ 20 V	-	4.8W（TA），41.7W（tc）
TIP125	-	RFQ	4610	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TIP125			2 w		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	200																60 V	5 a						2mA			pnp-达灵顿	4V @ 20mA，5a	1000 @ 3a，3v	-
JAN2N2369AUB	17.1570	RFQ	5447	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/317	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅	2N2369			360兆w		UB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																20 v							400NA			NPN	450mv @ 10mA，100mA	20 @ 100mA，1V	-
NTMFS4C808NAT1G	0.5438	RFQ	3351	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索			MOSFET （金属 o化物）			5-DFN （5x6）（8-SOFL）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,500		n通道		30 V	（9A）（ta），52a（tc）	4.5V，10V	4.8mohm @ 18a，10v	2.1V @ 250µA	18.2 NC @ 10 V	±20V	1670 pf @ 15 V	-	（760MW）（TA），25.5W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²