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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
APT150GN60LDQ4G	28.3800	RFQ	6569	微芯片技术	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	APT150	标准		536 w	TO-264 [L]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			400V，150a，1ohm，15V												沟渠场停止	600 v	220 a	450 a	1.85V @ 15V，150a	8.81mj（在）上，4.295mj（OFF）	970 NC	44NS/430NS
SQ3427AEEV-T1_BE3	0.7800	RFQ	812	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SQ3427		MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道		60 V	5.3A（TC）	4.5V，10V	95MOHM @ 4.5A，10V	2.5V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	1000 pf @ 30 V	-	5W（TC）
SIR186LDP-T1-RE3	1.0000	RFQ	7	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8			MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIR186LDP-T1-RE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		60 V	23.8A（TA），80.3a tc）	4.5V，10V	4.4mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±20V	1980 pf @ 30 V	-	5W（5W），57W（57W）（TC）
IPW60R125P6	-	RFQ	5062	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		pg-to247-3	下载						0000.00.0000	1		n通道		600 v	30A（TC）	10V	125mohm @ 11.6a，10v	4.5V @ 960µA	56 NC @ 10 V	±20V	2660 pf @ 100 V	-	219W（TC）
IXTA30N65X2	8.9736	RFQ	4909	ixys	Ultra X2	管子	积极的	-	-	-	ixta30		-		-	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixta30n65x2	Ear99	8541.29.0095	50		-			-	-	-	-		-		-	-
BCX51-16-TP	0.1527	RFQ	1410	微商业公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	BCX51			500兆	SOT-89	下载				353-BCX51-16-TP	Ear99	8541.21.0095	1																45 v	1 a						100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	50MHz
TK28A65W，S5X	5.0100	RFQ	34	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK28A65		MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道		650 v	27.6a（ta）	10V	110MOHM @ 13.8A，10V	3.5V @ 1.6mA	75 NC @ 10 V	±30V	3000 PF @ 300 V	-	45W（TC）
PSMN005-55P，127	-	RFQ	7457	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PSMN0		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		55 v	75A（TC）	4.5V，10V	5.8mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	103 NC @ 5 V	±15V	6500 PF @ 25 V	-	230W（TC）
2SK3482-Z-AZ	-	RFQ	9308	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
2SB1468R	0.5100	RFQ	948	Onmi	*	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1
FQD7P20TM	1.2000	RFQ	3462	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD7P20		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道		200 v	5.7A（TC）	10V	690MOHM @ 2.85a，10V	5V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±30V	770 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），55W（tc）
BUK7275-100A，118	-	RFQ	4049	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的				Buk72					-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500
FGPF7N60LSDTU	-	RFQ	4730	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FGPF7	标准		45 W	TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			300V，7A，470OHM，15V											65 ns	-	600 v	14 a	21 a	2V @ 15V，7a	270µJ（在）上，3.8MJ（3.8MJ）	24 NC	120NS/410NS
SIZ340ADT-T1-GE3	1.1100	RFQ	16	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	SIZ340		MOSFET （金属 o化物）	3.7W（3.7W），16.7W（TC），4.2W（ta（31W），31W（（（ta）	8-Power33（3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIZ340ADT-T1-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）			30V	15.7a（TA），33.4a tc），25.4a ta（69.7a tc）（TC）		9.4mohm @ 10a，10v，4.29mohm @ 20a，10v	2.4V @ 250µA	12.2nc @ 10v，27.9nc @ 10v		580pf @ 15V，1290pf @ 15V	-
RM45N600T7	2.9000	RFQ	7621	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM45N600T7		8541.10.0080	1,800		n通道		600 v	44.5A（TJ）	10V	90MOHM @ 15.6A，10V	4V @ 250µA		±30V	2808 PF @ 100 V	-	431W
UF3C065080K3S	8.1900	RFQ	12	Qorvo	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	UF3C065080				TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	2312-UF3C065080K3S	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		650 v	31a（TC）	12V	100mohm @ 20a，12v	6V @ 10mA	51 NC @ 15 V	±25V	1500 pf @ 100 V	-	190w（TC）
IXFN80N50Q2	-	RFQ	2749	ixys	Hiperfet™，Q2类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN80		MOSFET （金属 o化物）		SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		500 v	72A（TC）	10V	60mohm @ 500mA，10v	4.5V @ 8mA	250 NC @ 10 V	±30V	12800 PF @ 25 V	-	890W（TC）
FDZ661PZ	0.3200	RFQ	80	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-XFBGA，WLCSP			MOSFET （金属 o化物）		4-WLCSP（0.8x0.8）	下载					Ear99	8542.39.0001	952		P通道		20 v	2.6a（ta）	1.5V，4.5V	140MOHM @ 2A，4.5V	1.2V @ 250µA	8.8 NC @ 4.5 V	±8V	555 pf @ 10 V	-	1.3W（TA）
IXTH30N25L2	19.6670	RFQ	8977	ixys	线性l2™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth30		MOSFET （金属 o化物）		TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixth30n25l2	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		250 v	30A（TC）	10V	140mohm @ 15a，10v	4.5V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	3200 PF @ 25 V	-	355W（TC）
DMN4020LFDEQ-13	0.1279	RFQ	1808年	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-Powerudfn	DMN4020		MOSFET （金属 o化物）		U-DFN2020-6（e）	下载			到达不受影响	31-DMN4020LFDEQ-13TR	Ear99	8541.29.0095	10,000		n通道		40 V	8.6a（ta）	4.5V，10V	21mohm @ 8a，10v	2.4V @ 250µA	25.3 NC @ 10 V	±20V	1201 PF @ 20 V	-	850MW（TA）
BCP53-10E6327	0.1200	RFQ	17	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA				2 w	PG-SOT223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																80 V	1 a						100NA（ICBO）		500mv @ 50mA，500mA	63 @ 150mA，2V	125MHz
BUK7Y25-40B，115	-	RFQ	3044	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669			MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道		40 V	35.3a（TC）	10V	25mohm @ 20a，10v	4V @ 1mA	12.1 NC @ 10 V	±20V	693 PF @ 25 V	-	59.4W（TC）
2N5323	0.9900	RFQ	20	固态公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3				1 w	到39	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	2383-2N5323	Ear99	8541.10.0080	10																50 V	2 a						100µA	PNP	1.2V @ 50mA，500mA	30 @ 500mA，4V	-
FQA6N70	-	RFQ	6692	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FQA6		MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		700 v	6.4A（TC）	10V	1.5OHM @ 3.2A，10V	5V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±30V	1400 pf @ 25 V	-	152W（TC）
CMS10P10D-HF	-	RFQ	3826	comchip技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	CMS10		MOSFET （金属 o化物）		D-pak（TO-252）	下载		（1 （无限）		641-CMS10P10D-HFTR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道		100 v	10A（TC）		210MOHM @ 5A，10V	3V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	1419 PF @ 25 V	-	2W（TA），54W（tc）
FDPF10N50UT	0.8600	RFQ	1	Fairchild半导体	Unifet™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载					Ear99	8542.39.0001	351		n通道		500 v	8A（TC）	10V	1.05OHM @ 4A，10V	5V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±30V	1130 PF @ 25 V	-	42W（TC）
RM120N30T2	0.3300	RFQ	1989	美国直发	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM120N30T2		8541.10.0080	5,000		n通道		30 V	120a（ta）	10V	3.5mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA		±20V	3550 pf @ 25 V	-	120W（ta）
NTK3043NT1H	0.0700	RFQ	132	Onmi	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	4,000
RCX100N25	2.2500	RFQ	466	Rohm半导体	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	RCX100		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道		250 v	10a（10a）	10V	-	-		±30V		-	40W（TC）
MCAC50P03B-TP	0.9500	RFQ	17	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	MCAC50		MOSFET （金属 o化物）		DFN5060	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		P通道		30 V	50a	4.5V，10V	5.5MOHM @ 20A，10V	2.8V @ 250µA	111.7 NC @ 10 V	±25V	6464 PF @ 15 V	-	83W

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²