RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

晶体管（（102018）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -测试
C3M0060065L-Tr	12.5800	RFQ	220	Wolfspeed，Inc。	C3M™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powersfn			sicfet （碳化硅）		收费	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8541.29.0095	500		n通道					650 v	39A（TC）	15V	79mohm @ 13.2a，15v	3.6V @ 3.64mA	46 NC @ 15 V	+19V，-8V	1170 PF @ 400 V	-	131W（TC）
UPA2371T1P-E1-A	0.5800	RFQ	5	肾脏	-	大部分	过时的		-	表面安装	4-uflga	UPA2371		MOSFET （金属 o化物）	-	4-Eflip（1.62x1.62）	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-UPA2371T1P-E1-A	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）						24V	6a		-	-	-		-	-
IPB60R360CFD7ATMA1	2.8900	RFQ	1534年	Infineon技术	CoolMos™CFD7	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB60R360		MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					600 v	7A（TC）	10V	360MOHM @ 2.9a，10V	4.5V @ 140µA	14 NC @ 10 V	±20V	679 PF @ 400 V	-	43W（TC）
BUK6218-40C，118	0.2200	RFQ	2350	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BUK6218-40C，118-954			1		n通道					40 V	42A（TC）	10V	16mohm @ 10a，10v	2.8V @ 1mA	22 NC @ 10 V	±16V	1170 pf @ 25 V	-	60W（TC）
IXFR90N20	-	RFQ	9038	ixys	-	管子	积极的		-	通过洞	TO-247-3	IXFR90		MOSFET （金属 o化物）		ISOPLUS247™	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道					200 v	90A（TC）		-	-				-	-
IMZ120R350M1HXKSA1	9.9300	RFQ	301	Infineon技术	COOLSIC™	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	IMZ120		sicfet （碳化硅）		PG-TO247-4-1	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道					1200 v	4.7A（TC）	15V，18V	350MOHM @ 2A，18V	5.7V @ 1mA	5.3 NC @ 18 V	+23V，-7V	182 PF @ 800 V	-	60W（TC）
IRFD110	-	RFQ	7738	Vishay Siliconix	-	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD110		MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					100 v	1A（1A）	10V	540MOHM @ 600mA，10V	4V @ 250µA	8.3 NC @ 10 V	±20V	180 pf @ 25 V	-	1.3W（TA）
DMP1245UFCL-7	0.5900	RFQ	10	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-Powerufdfn	DMP1245		MOSFET （金属 o化物）		X1-DFN1616-6（E类型）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道					12 v	6.6a（ta）	1.5V，4.5V	29mohm @ 4A，4.5V	950mv @ 250µA	26.1 NC @ 8 V	±8V	1357.4 pf @ 10 V	-	613MW（TA）
SIA911DJ-T1-GE3	-	RFQ	5903	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-70-6双重	SIA911		MOSFET （金属 o化物）	6.5W	POWERPAK®SC-70-6双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）						20V	4.5a		94mohm @ 2.8a，4.5V	1V @ 250µA	12.8nc @ 8V		355pf @ 10V	-
Aony36352	1.2500	RFQ	12	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-powersmd，平面线	Aony363		MOSFET （金属 o化物）	3.1W（3.1W），21W（（（（），3.1W ta（45W ta）（45w tc）	8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）						30V	18.5a（ta），49a（tc），30a ta（30a ta），85a tc）tc）		5.3MOHM @ 20A，10V，2MOHM @ 20A，10V	2.1V @ 250µA，1.9V @ 250µA	20nc @ 10v，52nc @ 10V		820pf @ 15V，2555pf @ 15V	-
PJQ4466AP_R2_00001	0.5700	RFQ	4	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	PJQ4466		MOSFET （金属 o化物）		DFN3333-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-PJQ4466AP_R2_00001DKR	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道					60 V	6A（6A），33A （TC）	4.5V，10V	21mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	28 NC @ 10 V	±20V	1680 pf @ 20 V	-	2W（TA），44.6W（TC）
1214GN-1200VG	-	RFQ	3129	微芯片技术	VG	大部分	积极的	65 v		表面安装	55-Q11A		1.2GHz〜1.4GHz	hemt		55-Q11A	下载			到达不受影响	150-1214GN-1200VG	Ear99	8541.29.0095	1			-	280 MA	1200W	17dB											-	50 V
SSM6J808R，LF	0.6400	RFQ	5	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C	表面安装	6-SMD，平坦的铅	SSM6J808		MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP-F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道					40 V	7a（ta）	4V，10V	35mohm @ 2.5a，10v	2V @ 100µA	24.2 NC @ 10 V	+10V，-20V	1020 pf @ 10 V	-	1.5W（TA）
MCH3475-TL-W	-	RFQ	6691	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-3平线	MCH34		MOSFET （金属 o化物）		SC-70FL/MCPH3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道					30 V	1.8A（ta）	4V，10V	180MOHM @ 900mA，10V	2.6V @ 1mA	2 NC @ 10 V	±20V	88 pf @ 10 V	-	800MW（TA）
TK14A45D（sta4，Q，m）	3.0300	RFQ	4530	东芝半导体和存储	-	管子	积极的		-	通过洞	TO-220-3完整包	TK14A45		MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道					450 v	14a		340MOHM @ 7A，10V	-				-	-
MCAC68N03Y-TP	0.6900	RFQ	8	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	MCAC68N03		MOSFET （金属 o化物）		DFN5060	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	353-MCAC68N03Y-TPTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道					30 V	68a		7.2MOHM @ 20A，10V	2V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	732 PF @ 15 V	-	35W
SISH129DN-T1-GE3	0.9300	RFQ	5287	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8SH	SISH129		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8SH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道					30 V	14.4A（TA），35A（tc）	4.5V，10V	11.4mohm @ 14.4a，10v	2.8V @ 250µA	71 NC @ 10 V	±20V	3345 pf @ 15 V	-	3.8W（TA），52.1W（TC）
BUK9535-55,127	-	RFQ	8418	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buk95		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934050420127	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					55 v	34A（TC）	5V	35mohm @ 17a，5v	2V @ 1mA		±10V	1400 pf @ 25 V	-	85W（TC）
FQD5N50CTM_F080	-	RFQ	1621年	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD5		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					500 v	4A（TC）	10V	1.4OHM @ 2A，10V	4V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±30V	625 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），48W（tc）
BF1208,115	-	RFQ	8171	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	6 V		表面安装	SOT-563，SOT-666	BF120	400MHz	MOSFET		SOT-666	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000	n通道双门		30mA	19 ma	-	32dB											1.3dB	5 v
FQB46N15TM_AM002	-	RFQ	4376	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FQB4		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					150 v	45.6A（TC）	10V	42MOHM @ 22.8A，10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±25V	3250 pf @ 25 V	-	3.75W（ta），210W（tc）
SN7002NH6433XTMA1	0.3900	RFQ	9	Infineon技术	SIPMOS™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SN7002		MOSFET （金属 o化物）		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000		n通道					60 V	200ma（ta）	4.5V，10V	5ohm @ 500mA，10v	1.8V @ 26µA	1.5 NC @ 10 V	±20V	45 pf @ 25 V	-	360MW（TA）
SIHP22N60E-E3	2.1315	RFQ	5738	Vishay Siliconix	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP22		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		SIHP22N60EE3	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					600 v	21a（TC）	10V	180mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	86 NC @ 10 V	±30V	1920 PF @ 100 V	-	227W（TC）
PSMN4R3-100ES，127	-	RFQ	2460	NXP USA Inc.	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak	-	不适用	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道					100 v	120A（TC）	4.5V，10V	4.3mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	170 NC @ 10 V	±20V	9900 PF @ 50 V	-	338W（TC）
NTMFS4108NT1G	-	RFQ	5514	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道					30 V	13.5A（TA）	4.5V，10V	2.2MOHM @ 21a，10V	2.5V @ 250µA	54 NC @ 4.5 V	±20V	6000 pf @ 15 V	-	1.1W（TA），96.2W（tc）
BUK662R5-30C，118-nxp	-	RFQ	5857	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道					30 V	100A（TC）	10V	2.8mohm @ 25a，10v	2.8V @ 1mA	114 NC @ 10 V	±16V	6960 pf @ 25 V	-	204W（TC）
PMF170XP，115	0.3400	RFQ	328	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	PMF170		MOSFET （金属 o化物）		SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道					20 v	1A（1A）	4.5V	200mohm @ 1A，4.5V	1.15V @ 250µA	3.9 NC @ 4.5 V	±12V	280 pf @ 10 V	-	290MW（TA），1.67W（tc）
IPLK60R1K0PFD7ATMA1	1.3400	RFQ	4	Infineon技术	CoolMos™PFD7	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	IPLK60		MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8-52	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道					600 v	5.2A（TC）	10V	1OHM @ 1A，10V	4.5V @ 50µA	6 NC @ 10 V	±20V	230 pf @ 400 V	-	31.3W（TC）
2SK3377-Z-AZ	0.8300	RFQ	771	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252（MP-3Z）	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-2SK3377-Z-AZ	Ear99	8541.29.0075	1		n通道					60 V	20A（TA）	4V，10V	44mohm @ 10a，10v	2.5V @ 1mA	17 NC @ 10 V	±20V	760 pf @ 10 V	-	1W（TA），30W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（102018）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²