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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
3SK294（TE85L，F）	0.4700	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	12.5 v		表面安装	SC-82A，SOT-343	3SK294	500MHz	MOSFET		USQ	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道		30mA	10 MA	-	26dB											1.4dB			6 V
IRF3546MTRPBF	-	RFQ	8084	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	41-PowerVFQFN	IRF3546		MOSFET （金属 o化物）	-	41-PQFN（6x8）	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	4 n通道						25V	16A（TC），20A （TC）		3.9mohm @ 27a，10v	2.1V @ 35µA	15nc @ 4.5V		1310pf @ 13V	逻辑级别门
IRFH7084TRPBF	2.1200	RFQ	429	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	IRFH7084		MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道					40 V	100A（TC）	10V	1.25MOHM @ 100A，10V	3.9V @ 150µA	190 NC @ 10 V	±20V	6560 pf @ 25 V	-	156W（TC）
IRFS4321Trl7pp	2.8400	RFQ	1	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	IRFS4321		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					150 v	86A（TC）	10V	14.7mohm @ 34a，10v	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±30V	4460 pf @ 50 V	-	350W（TC）
IRL6283MTRPBF	-	RFQ	1383	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距MD			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™MD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,800		n通道					20 v	38a（TA），211a（tc）	2.5V，4.5V	0.75MOHM @ 50a，10V	1.1V @ 100µA	158 NC @ 4.5 V	±12V	8292 PF @ 10 V	-	2.1W（TA），63W（tc）
FCPF400N80Z	-	RFQ	6309	Onmi	SuperFet®II	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FCPF400		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					800 v	11A（TC）	10V	400MOHM @ 5.5A，10V	4.5V @ 1.1mA	56 NC @ 10 V	±20V	2350 pf @ 100 V	-	35.7W（TC）
FDPF7N50U-G	-	RFQ	8588	Onmi	Ultrafrfet™，Unifet™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FDPF7		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					500 v	5A（TC）	10V	1.5OHM @ 2.5A，10V	5V @ 250µA	16.6 NC @ 10 V	±30V	940 pf @ 25 V	-	31.3W（TC）
FDMC86261P	1.8600	RFQ	1	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	FDMC86261		MOSFET （金属 o化物）		8-mlp（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道					150 v	2.7A（ta），9a（tc）	6V，10V	160MOHM @ 2.4a，10V	4V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±25V	1360 pf @ 75 V	-	2.3W（ta），40W（TC）
FDB8442-F085	-	RFQ	6736	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FDB844		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					40 V	28a（28a）	10V	5mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	235 NC @ 10 V	±20V	12200 PF @ 25 V	-	254W（TC）
FDB8443-F085	-	RFQ	4831	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FDB844		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					40 V	25A（TA）	10V	5.5MOHM @ 80A，10V	4V @ 250µA	185 NC @ 10 V	±20V	9310 PF @ 25 V	-	188W（TC）
FDMC610P	2.2900	RFQ	6006	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMC610		MOSFET （金属 o化物）		Power33	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道					12 v	80A（TC）	2.5V，4.5V	3.9mohm @ 22a，4.5V	1V @ 250µA	99 NC @ 4.5 V	±8V	1250 pf @ 6 V	-	2.4W（ta），48W（tc）
FDPC8014S	1.2353	RFQ	5089	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	FDPC8014		MOSFET （金属 o化物）	2.1W，2.3W	电源夹56	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）						25V	20a，41a		3.8mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	35nc @ 10V		2375pf @ 13V	逻辑级别门
AFT26H200W03SR6	-	RFQ	8143	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-1230-4S	AFT26	2.5GHz	ldmos		NI-1230-4S	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	93531121128	Ear99	8541.29.0095	150			-	500 MA	45W	14.1db											-			28 V
SI8425DB-T1-E1	0.5900	RFQ	1239	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-ufbga，WLCSP	SI8425		MOSFET （金属 o化物）		4-WLCSP（1.6x1.6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道					20 v	5.9a（ta）	1.8V，4.5V	23mohm @ 2a，4.5V	900mv @ 250µA	110 NC @ 10 V	±10V	2800 PF @ 10 V	-	1.1W（ta），2.7W（TC）
STD4N80K5	1.6400	RFQ	2	Stmicroelectronics	SuperMesh5™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD4N80		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					800 v	3A（TC）	10V	2.5OHM @ 1.5A，10V	5V @ 100µA	10.5 NC @ 10 V	±30V	175 pf @ 100 V	-	60W（TC）
STW69N65M5-4	13.1900	RFQ	510	Stmicroelectronics	MDMESH™v	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	STW69		MOSFET （金属 o化物）		TO-247-4L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-14039-5	Ear99	8541.29.0095	30		n通道					650 v	58A（TC）	10V	45mohm @ 29a，10v	5V @ 250µA	143 NC @ 10 V	±25V	6420 PF @ 100 V	-	330W（TC）
IPB65R045C7ATMA1	-	RFQ	7609	Infineon技术	Coolmos™C7	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB65R		MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					650 v	46A（TC）	10V	45mohm @ 24.9a，10V	4V @ 1.25mA	93 NC @ 10 V	±20V	4340 pf @ 400 V	-	227W（TC）
IPB65R225C7ATMA1	-	RFQ	2290	Infineon技术	Coolmos™C7	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB65R		MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					650 v	11A（TC）	10V	225MOHM @ 4.8A，10V	4V @ 240µA	20 nc @ 10 V	±20V	996 PF @ 400 V	-	63W（TC）
IPP65R045C7XKSA1	14.6900	RFQ	6498	Infineon技术	Coolmos™C7	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP65R045		MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					650 v	46A（TC）	10V	45mohm @ 24.9a，10V	4V @ 1.25mA	93 NC @ 10 V	±20V	4340 pf @ 400 V	-	227W（TC）
IPW65R045C7FKSA1	15.0100	RFQ	8515	Infineon技术	Coolmos™C7	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IPW65R045		MOSFET （金属 o化物）		PG-TO247-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道					650 v	46A（TC）	10V	45mohm @ 24.9a，10v	4V @ 1.25mA	93 NC @ 10 V	±20V	4340 pf @ 400 V	-	227W（TC）
2SC6145A	4.7400	RFQ	5	桑肯	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3				160 w	to-3p	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		2SC6145A DK	Ear99	8541.29.0075	500																		260 v	15 a		10µA（ICBO）	NPN	500mv @ 500mA，5a	40 @ 5A，4V	60MHz
2SK2848	-	RFQ	3739	桑肯	-	大部分	不适合新设计		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		2SK2848 DK	Ear99	8541.29.0095	3,750		n通道					600 v	2A（TA）	10V	3.8ohm @ 1A，10V	4V @ 250µA		±30V	290 pf @ 10 V	-	30W（TC）
2SK2943	-	RFQ	9261	桑肯	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		2SK2943 DK	Ear99	8541.29.0095	3,750		n通道					900 v	3A（3A）	10V	5OHM @ 1.5A，10V	4V @ 1mA		±30V	600 pf @ 10 V	-	30W（TC）
2SK3004	-	RFQ	2822	桑肯	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		2SK3004 DK	Ear99	8541.29.0095	3,750		n通道					250 v	18A（18A）	10V	250MOHM @ 9A，10V	4V @ 1mA		±20V	850 pf @ 10 V	-	35W（TC）
2SK3801	-	RFQ	3230	Sanken Electric USA Inc.	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3			MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		2SK3801 DK	Ear99	8541.29.0095	1,080		n通道					40 V	70a（ta）	10V	6mohm @ 35a，10v	4V @ 1mA		±20V	5100 PF @ 10 V	-	100W（TC）
EKV550	-	RFQ	7775	桑肯	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		EKV550 DK	Ear99	8541.29.0095	500		n通道					50 V	50a（ta）	10V	15mohm @ 25a，10v	4.2V @ 250µA		±20V	2000 pf @ 10 V	-	85W（TC）
2SK3800VL	-	RFQ	8874	Sanken Electric USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		2SK3800VL DK	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					40 V	70a（ta）	10V	6mohm @ 35a，10v	4V @ 1mA		±20V	5100 PF @ 10 V	-	80W（TC）
SLA4030	-	RFQ	9329	桑肯	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	12-SIP裸露的选项卡	Sla40			5W	12-sip	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		SLA4030 DK	Ear99	8541.29.0095	250																		100V	4a		10µA（ICBO）	4 npn darlington（四Quad）	1.5V @ 10mA，2a	2000 @ 2A，4V	-
SLA4031	-	RFQ	6740	桑肯	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	12-SIP裸露的选项卡	Sla40			5W	12-sip	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		SLA4031 DK	Ear99	8541.29.0095	250																		120V	4a		10µA（ICBO）	4 npn darlington（四Quad）	1.5V @ 2mA，2a	2000 @ 2a，2v	-
SLA4070	-	RFQ	1533年	桑肯	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	12-SIP裸露的选项卡	Sla40			5W	12-sip	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Sla4070 dk	Ear99	8541.29.0095	250																		100V	5a		10µA（ICBO）	4 pnp darlington（四Quad）	1.5V @ 6mA，3a	1000 @ 3A，2V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²