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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
IPW50R350CPFKSA1	-	RFQ	1989	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IPW50R		MOSFET （金属 o化物）		PG-TO247-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240		n通道		550 v	10A（TC）	10V	350MOHM @ 5.6A，10V	3.5V @ 370µA	25 NC @ 10 V	±20V	1020 PF @ 100 V	-	89W（TC）
IPW90R340C3FKSA1	-	RFQ	5223	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IPW90R		MOSFET （金属 o化物）		PG-TO247-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240		n通道		900 v	15A（TC）	10V	340MOHM @ 9.2A，10V	3.5V @ 1mA	94 NC @ 10 V	±20V	2400 PF @ 100 V	-	208W（TC）
IPW90R800C3FKSA1	-	RFQ	2813	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IPW90R		MOSFET （金属 o化物）		PG-TO247-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240		n通道		900 v	6.9a（TC）	10V	800MOHM @ 4.1A，10V	3.5V @ 460µA	42 NC @ 10 V	±20V	1100 PF @ 100 V	-	104W（TC）
MTM982400BBF	-	RFQ	6590	松下电子组件	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅			MOSFET （金属 o化物）		SO8-F1-B	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		40 V	7a（ta）	5V，10V	23mohm @ 7a，10v	2.5V @ 1mA		±20V	1750 pf @ 10 V	-	2W（TA）
MTM861280LBF	-	RFQ	3153	松下电子组件	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅			MOSFET （金属 o化物）		WSSMINI6-F1	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	10,000		P通道		20 v	1A（1A）	2.5V，4V	420MOHM @ 500mA，4V	1.5V @ 1mA		±12V	80 pf @ 10 V	-	540MW（TA）
MTM78E2B0LBF	0.6800	RFQ	2	松下电子组件	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	MTM78E2B		MOSFET （金属 o化物）	150MW	wsmini8-f1-b	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）			20V	4a		25mohm @ 2A，4V	1.3V @ 1mA	-		1100pf @ 10V	-
DMG9926UDM-7	0.5100	RFQ	47	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	DMG9926		MOSFET （金属 o化物）	980MW	SOT-26	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）公共排水			20V	4.2a		28mohm @ 8.2a，4.5V	900mv @ 250µA	8.3nc @ 4.5V		856pf @ 10V	逻辑级别门
ZXMHC3A01N8TC	1.0400	RFQ	26	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ZXMHC3A01		MOSFET （金属 o化物）	870MW	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500	2n和2p通道（半桥）			30V	2.17a，1.64a		125MOHM @ 2.5A，10V	3V @ 250µA	3.9nc @ 10V		190pf @ 25V	逻辑级别门
IRF6729MTRPBF	-	RFQ	7123	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距MX			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™MX	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,800		n通道		30 V	31a（TA），190a （TC）	4.5V，10V	1.8mohm @ 31a，10v	2.35V @ 150µA	63 NC @ 4.5 V	±20V	6030 PF @ 15 V	-	2.8W（ta），104W（tc）
IRFH3702TRPBF	0.6500	RFQ	25	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	IRFH3702		MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道		30 V	（16A）（TA），42A （TC）	4.5V，10V	7.1MOHM @ 16A，10V	2.35V @ 25µA	14 NC @ 4.5 V	±20V	1510 pf @ 15 V	-	2.8W（ta）
IRFH3707TRPBF	0.5300	RFQ	249	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	IRFH3707		MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道		30 V	12a（12A），29a （TC）	4.5V，10V	12.4mohm @ 12a，10v	2.35V @ 25µA	8.1 NC @ 4.5 V	±20V	755 pf @ 15 V	-	2.8W（ta）
IRFS3004-7PPBF	-	RFQ	2470	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6个线索 +选项卡，TO-263CB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（7铅）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		40 V	240a（TC）	10V	1.25MOHM @ 195a，10V	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	9130 PF @ 25 V	-	380W（TC）
IRFS4127pbf	-	RFQ	2001	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		200 v	72A（TC）	10V	22mohm @ 44a，10v	5V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	5380 pf @ 50 V	-	375W（TC）
IRG6I330U-110P	-	RFQ	8234	Infineon技术	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-220-3	IRG6I330U	标准		43 W	TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			-											-	330 v	28 a	1.55V @ 15V，28a	-	39NS/120NS
IRG6I330U-168P	-	RFQ	9621	Infineon技术	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-220-3	IRG6I330U	标准		43 W	TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001544728	Ear99	8541.29.0095	50			-											-	330 v	28 a	1.55V @ 15V，28a	-	-
IRLS3036PBF	-	RFQ	3781	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001552894	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		60 V	195a（TC）	4.5V，10V	2.4mohm @ 165a，10v	2.5V @ 250µA	140 NC @ 4.5 V	±16V	11210 PF @ 50 V	-	380W（TC）
IRF1404ZGPBF	-	RFQ	7270	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001553874	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		40 V	180a（TC）	10V	3.7MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	4340 pf @ 25 V	-	220W（TC）
IRF8707GTRPBF	-	RFQ	8387	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道		30 V	11a（11a）	4.5V，10V	11.9mohm @ 11a，10v	2.35V @ 25µA	9.3 NC @ 4.5 V	±20V	760 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
IRF8721GTRPBF	-	RFQ	7428	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道		30 V	14A（TA）	4.5V，10V	8.5mohm @ 14a，10v	2.35V @ 25µA	12 nc @ 4.5 V	±20V	1040 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
PSMN4R3-30PL，127	1.6600	RFQ	4	Nexperia USA Inc.	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PSMN4R3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		30 V	100A（TC）	4.5V，10V	4.3mohm @ 15a，10v	2.15V @ 1mA	41.5 NC @ 10 V	±20V	2400 pf @ 12 V	-	103W（TC）
PSMN4R5-40PS，127	1.9200	RFQ	9	Nexperia USA Inc.	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PSMN4R5		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		40 V	100A（TC）	10V	4.6mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	42.3 NC @ 10 V	±20V	2683 PF @ 12 V	-	148W（TC）
PSMN1R5-25yl，115	-	RFQ	9214	Nexperia USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	PSMN1R5		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道		25 v	100A（TC）	4.5V，10V	1.5MOHM @ 15A，10V	2.15V @ 1mA	76 NC @ 10 V	±20V	4830 pf @ 12 V	-	109W（TC）
PSMN026-80YS，115	0.8400	RFQ	6334	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	PSMN026		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道		80 V	34A（TC）	10V	27.5MOHM @ 5A，10V	4V @ 1mA	20 nc @ 10 V	±20V	1200 PF @ 40 V	-	74W（TC）
PSMN1R2-25yl，115	2.6800	RFQ	20	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-1023，4-LFPAK	PSMN1R2		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56; Power-SO8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道		25 v	100A（TC）	4.5V，10V	1.2MOHM @ 15A，10V	2.15V @ 1mA	105 NC @ 10 V	±20V	6380 pf @ 12 V	-	121W（TC）
MD2009DFX	-	RFQ	3900	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	MD2009			58 w	to-3pf	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30															700 v	10 a				200µA	NPN	2.8V @ 1.4a，5.5a	5 @ 5.5A，5V	-
MD2103DFP	1.7100	RFQ	966	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	MD2103			38 w	TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50															700 v	6 a				200µA	NPN	1.8V @ 750mA，3a	6.5 @ 3a，5v	-
MD2310FX	-	RFQ	6897	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	MD2310			62 W	to-3pf	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30															700 v	14 a				200µA	NPN	2.5V @ 1.75a，7a	6 @ 7a，5v	-
ST13003D-K	0.7100	RFQ	1	Stmicroelectronics	-	包	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	ST13003			40 W	SOT-32-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500															400 v	1.5 a				1ma	NPN	3V @ 500mA，1.5a	5 @ 1A，2V	-
STB13005-1	1.0400	RFQ	1	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	STB13005			75 w	i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50															400 v	4 a				1ma	NPN	1V @ 1A，4A	8 @ 2a，5v	-
STBV45G	-	RFQ	8087	Stmicroelectronics	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	STBV45			950兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500															400 v	750 MA				250µA	NPN	1.5V @ 135mA，400mA	5 @ 400mA，5V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²