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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	电阻-RDS（（在）
TIS75_D26Z	-	RFQ	6513	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	TIS75			350兆		TO-92-3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000		n通道									18pf @ 10V（vgs）												30 V	8 ma @ 15 V	800 mv @ 4 na				60欧姆
FDS2672	1.9700	RFQ	7723	Onmi	Ultrafet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS26		MOSFET （金属 o化物）			8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		200 v	3.9a（ta）	6V，10V	70mohm @ 3.9a，10v	4V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±20V	2535 PF @ 100 V	-	2.5W（TA）
LND150N3-G-P014	0.6800	RFQ	6783	微芯片技术	-	（CT）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	LND150		MOSFET （金属 o化物）			TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000		n通道		500 v	30mA（TJ）	0V	1000OHM @ 500µA，0V	-		±20V	10 pf @ 25 V	耗尽模式	740MW（TA）
IXYP20N65C3D1	3.8400	RFQ	1413	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXYP20	标准		200 w		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			400V，20A，20欧姆，15V											135 ns	pt	650 v	50 a	105 a	2.5V @ 15V，20A	（430µJ）（在350µJ上）	30 NC	19NS/80NS
FQI19N20TU	0.6700	RFQ	11	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）			i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		200 v	19.4a（TC）	10V	150MOHM @ 9.7A，10V	5V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±30V	1600 pf @ 25 V	-	3.13W（TA），140W（tc）
IXGT10N170A	9.3770	RFQ	9561	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXGT10	标准		140 w		TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			850V，10a，22ohm，15V												npt	1700 v	10 a	20 a	6V @ 15V，5A	380µJ（OFF）	29 NC	46NS/190NS
IRFR7540TRPBF	1.5400	RFQ	1	Infineon技术	strongirfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR7540		MOSFET （金属 o化物）			D-pak（TO-252AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道		60 V	90A（TC）	6V，10V	4.8mohm @ 66a，10v	3.7V @ 100µA	130 NC @ 10 V	±20V	4360 pf @ 25 V	-	140W（TC）
IPI65R280C6	1.0700	RFQ	500	Infineon技术	Coolmos C6™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		650 v	13.8A（TC）	10V	280MOHM @ 4.4A，10V	3.5V @ 440µA	45 NC @ 10 V	±20V	950 pf @ 100 V	-	104W（TC）
MSC015SMA070B	35.7600	RFQ	1898年	微芯片技术	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	MSC015		sicfet （碳化硅）			TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	691-MSC015SMA070B	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		700 v	131a（TC）	20V	19mohm @ 40a，20v	2.4V @ 1mA	215 NC @ 20 V	+25V，-10V	4500 PF @ 700 V	-	400W（TC）
UPA2463T1Q-E1-AX	0.3800	RFQ	24	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-WFDFN暴露垫			MOSFET （金属 o化物）			8-Huson（2.7x2）	-	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		20 v	6a（6a）		20mohm @ 3a，10v	-	7 NC @ 4 V		680 pf @ 10 V	-	1W（ta）
DI068N03PQ-AQ	0.3802	RFQ	6424	diotec半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	DI068N03		MOSFET （金属 o化物）			8-qfn（5x6）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	2796-DI068N03PQ-AQTR		8541.21.0000	5,000		n通道		30 V	68A（TC）		4mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	79 NC @ 10 V	±20V	3650 pf @ 15 V	-	25W（TC）
PJD25N03_L2_00001	0.4300	RFQ	5	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	PJD25		MOSFET （金属 o化物）			TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-PJD25N03_L2_00001TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		30 V	（7A（ta），25a（tc）	4.5V，10V	25mohm @ 12a，10v	2.5V @ 250µA	4.3 NC @ 4.5 V	±20V	392 PF @ 25 V	-	（2W）（25W）（25W）TC）
STGP10NC60HD	1.7400	RFQ	6488	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STGP10	标准		65 w		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-5118-5	Ear99	8541.29.0095	50			390V，5A，10欧姆，15V											22 ns	-	600 v	20 a	30 a	2.5V @ 15V，5A	31.8µJ（在）上，95µJ（（）	19.2 NC	14.2NS/72NS
STD85N10F7AG	2.3200	RFQ	2	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD85		MOSFET （金属 o化物）			DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		100 v	70A（TC）	10V	10mohm @ 40a，10v	4.5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	3100 pf @ 50 V	-	85W（TC）
HGTP12N60C3D	-	RFQ	7730	Onmi	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	HGTP12N60	标准		104 w		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2832-HGTP12N60C3D	Ear99	8541.29.0095	50			-											40 ns	-	600 v	24 a	96 a	2.2V @ 15V，15a	（380µJ）（在900µJ上）	48 NC	-
CP210-CEN1308-CT	-	RFQ	1398	中央半导体公司	-	托盘	过时的	-									-				1514-CP210-CEN1308-CT	过时的		1		-									-
RJH6075DPM-N0＃t0	4.0700	RFQ	509	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	1
PHP23NQ11T，127	0.6600	RFQ	6	NXP半导体	Trenchmos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载		不适用	到达不受影响	2156-PHP23NQ11T，127-954			496		n通道		110 v	23A（TC）	10V	70MOHM @ 13A，10V	4V @ 1mA	22 NC @ 10 V	±20V	830 pf @ 25 V	-	100W（TC）
AOD609G	0.9600	RFQ	8427	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-5，DPAK（ + 4 +选项卡，TO-252AD	AOD60		MOSFET （金属 o化物）	（2W）（27W）（27W tc），2W（ta（2W（ta），30w（tc（TC）（TC）		TO-252-4L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道互补			40V	12A（TC）		30mohm @ 12a，10v，45mohm @ 12a，10v	3V @ 250µA	13nc @ 10v，21nc @ 10v		545pf @ 20v，890pf @ 20V	-
PJMF900N60EC_T0_001	3.2400	RFQ	1	Panjit International Inc.	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	PJMF900		MOSFET （金属 o化物）			ITO-220AB-F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-PJMF900N60EC_T0_00001	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道		600 v	5A（TC）	10V	900mohm @ 2.3a，10v	4V @ 250µA	8.8 NC @ 10 V	±30V	310 PF @ 400 V	-	22.5W（TC）
irfbg20pbf-be3	1.8300	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFBG20		MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-irfbg20pbf-be3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		1000 v	1.4A（TC）	10V	11ohm @ 840mA，10v	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	500 pf @ 25 V	-	54W（TC）
APT50GF60JCU2	-	RFQ	4817	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘，螺柱坐骑	SOT-227-4，迷你布洛克				277 w	标准	SOT-227	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1	单身的														npt	600 v	70 a		2.45V @ 15V，50a							250 µA	不	2.2 NF @ 25 V
30507-001-xtd	0.1900	RFQ	271	Onmi	*	大部分	积极的										-	不适用	2（1年）	供应商不确定		3A991	8542.39.0001	1
IRLR7807ZCPBF	-	RFQ	9788	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道		30 V	43A（TC）	4.5V，10V	13.8mohm @ 15a，10v	2.25V @ 250µA	11 NC @ 4.5 V	±20V	780 pf @ 15 V	-	40W（TC）
MTA2N60E	0.8800	RFQ	18	Onmi	*	大部分	积极的										下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	1
FP25R12W2T4B11BOMA1	63.3200	RFQ	74	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FP25R12			175 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	三相逆变器														沟渠场停止	1200 v	39 a		2.25V @ 15V，25a							1 MA	是的	1.45 NF @ 25 V
PSMN1R5-25yl，115	-	RFQ	9214	Nexperia USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	PSMN1R5		MOSFET （金属 o化物）			LFPAK56，Power-SO8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道		25 v	100A（TC）	4.5V，10V	1.5MOHM @ 15A，10V	2.15V @ 1mA	76 NC @ 10 V	±20V	4830 pf @ 12 V	-	109W（TC）
HIP2060ase	1.8300	RFQ	1	哈里斯公司	*	大部分	积极的				HIP2060		-				-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1												-
94-2183pbf	-	RFQ	7776	Infineon技术	*	管子	积极的				94-2183						下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001562478	Ear99	8541.29.0095	50
DMP3008SFGQ-7	1.2100	RFQ	30	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	DMP3008		MOSFET （金属 o化物）			PowerDI3333-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000		P通道		30 V	8.6a（ta）	4.5V，10V	17mohm @ 10a，10v	2.1V @ 250µA	47 NC @ 10 V	±20V	2230 pf @ 15 V	-	900MW（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²