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晶体管（（102018）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
STP15NK50ZFP	-	RFQ	1474	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	过时的	-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STP15N	MOSFET （金属 o化物）			TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	14A（TC）	10V	340MOHM @ 7A，10V	4.5V @ 100µA	106 NC @ 10 V	±30V	2260 pf @ 25 V	-	40W（TC）
IXFT30N50Q	-	RFQ	6969	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft30	MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30		n通道	500 v	30A（TC）	10V	160mohm @ 15a，10v	4.5V @ 4mA	190 NC @ 10 V	±20V	4925 PF @ 25 V	-	360W（TC）
2SJ606-Z-az	-	RFQ	2458	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
HUFA75337G3	-	RFQ	6163	Onmi	Ultrafet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	HUFA75	MOSFET （金属 o化物）			TO-247-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	150		n通道	55 v	75A（TC）	10V	14mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	109 NC @ 20 V	±20V	1775 PF @ 25 V	-	175W（TC）
NTMFS5C426NLT1G	2.7300	RFQ	3040	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索		MOSFET （金属 o化物）			5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道	40 V	41A（TA），237A （TC）	4.5V，10V	1.2MOHM @ 50a，10v	2V @ 250µA	93 NC @ 10 V	±20V	5600 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），128W（tc）
NTB4302G	-	RFQ	5679	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NTB43	MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	30 V	74A（TC）	4.5V，10V	9.3MOHM @ 37A，10V	3V @ 250µA	28 NC @ 4.5 V	±20V	2400 pf @ 24 V	-	80W（TC）
AOT66616L	1.4966	RFQ	9787	Alpha＆欧米茄半导体公司	Alplosgt™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	AOT66616	MOSFET （金属 o化物）			TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	785-1825	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	38.5A（TA），140A （TC）	6V，10V	3.2MOHM @ 20A，10V	3.4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	2870 pf @ 30 V	-	8.3W（ta），125W（tc）
2SK3547G0L	-	RFQ	5846	松下电子组件	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	125°C（TJ）	表面安装	SOT-723		MOSFET （金属 o化物）			SSSMINI3-F2	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	10,000		n通道	50 V	（100mA）（TA）	2.5V，4V	12ohm @ 10mA，4V	1.5V @ 1µA		±7V	12 pf @ 3 V	-	100mW（TA）
PSDC212F0835632NOSA1	-	RFQ	2089	Infineon技术	-	大部分	过时的									-			到达不受影响	448-PSDC212F0835632NOSA1	Ear99	8541.29.0095	1
RXL035N03TCR	0.7800	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅	RXL035	MOSFET （金属 o化物）			Tumt6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	30 V	3.5A（ta）	4V，10V	50mohm @ 3.5A，10V	2.5V @ 1mA	3.3 NC @ 5 V	±20V	180 pf @ 10 V	-	910MW（TA）
DMTH3004LK3-13	0.4521	RFQ	5038	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	DMTH3004	MOSFET （金属 o化物）			TO-252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	21a（21A），75A（tc）	4.5V，10V	4mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	44 NC @ 10 V	+20V，-16V	2370 pf @ 15 V	-	1.9W（TA）
BUK6E2R0-30C127	0.9100	RFQ	4	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）			i2pak	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	30 V	120A（TC）	10V	2.2MOHM @ 25A，10V	2.8V @ 1mA	229 NC @ 10 V	±16V	14964 PF @ 25 V	-	306W（TC）
SPP80N06S209	0.7500	RFQ	894	Infineon技术	Optimos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	55 v	80A（TC）	10V	9.1MOHM @ 50a，10v	4V @ 125µA	80 NC @ 10 V	±20V	3140 pf @ 25 V	-	190w（TC）
IXFR32N50	-	RFQ	5374	ixys	-	管子	过时的				IXFR32					-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30				-
FQAF40N25	2.9800	RFQ	2	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3		MOSFET （金属 o化物）			to-3pf	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	360		n通道	250 v	24A（TC）	10V	70mohm @ 12a，10v	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±30V	4000 pf @ 25 V	-	108W（TC）
BSP373L6327HTSA1	-	RFQ	6233	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223-4	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	100 v	1.7A（TA）	10V	300MOHM @ 1.7A，10V	4V @ 1mA		±20V	550 pf @ 25 V	-	1.8W（TA）
SIS452DN-T1-GE3	-	RFQ	6025	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS452	MOSFET （金属 o化物）			PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	12 v	35A（TC）	4.5V，10V	3.25MOHM @ 20A，10V	2.2V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	1700 PF @ 6 V	-	3.8W（TA），52W（TC）
NTD12N10-1G	-	RFQ	7143	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	NTD12	MOSFET （金属 o化物）			我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响	= NTD12N10	Ear99	8541.29.0095	75		n通道	100 v	12a（12a）	10V	165mohm @ 6a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	550 pf @ 25 V	-	1.28W（TA），56.6W（tc）
NXH040F120MNF1PG	-	RFQ	5736	Onmi	-	托盘	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	NXH040	（SIC）	74W（TJ）		22-PIM （33.8x42.5）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NXH040F120MNF1PG	Ear99	8541.29.0095	28	4 n通道		1200V（1.2kV）	30A（TC）		56mohm @ 25a，20v	4.3V @ 10mA	122.1NC @ 20V		1505pf @ 800V	-
IRF830BPBF	1.1200	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF830	MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	5.3A（TC）	10V	1.5OHM @ 2.5A，10V	5V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±30V	325 pf @ 100 V	-	104W（TC）
IPB80N04S2-H4ATMA2	-	RFQ	4726	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载	不适用	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	40 V	80A（TC）	10V	3.7MOHM @ 80A，10V	4V @ 250µA	148 NC @ 10 V	±20V	4400 PF @ 25 V	-	300W（TC）
DRF1510	-	RFQ	1743年	微芯片技术	-	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DRF1510	Ear99	8541.29.0095	1
SIS472BDN-T1-GE3	0.6400	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS472	MOSFET （金属 o化物）			PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	15.3A（TA），38.3A （TC）	4.5V，10V	7.5MOHM @ 10a，10v	2.4V @ 250µA	21.5 NC @ 10 V	+20V，-16V	1000 pf @ 15 V	-	3.2W（TA），19.8W（tc）
MG25P12E1	64.5125	RFQ	800	Yangjie技术	-	大部分	积极的	175°C（TJ）	底盘安装	模块			20兆	三相桥梁整流器	-	-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-MG25P12E1	Ear99		8	三相逆变器												-	1200 v	25 a	2.25V @ 15V，25a	1 MA	是的	1.45 NF @ 25 V
IPA95R750P7XKSA1	2.5300	RFQ	485	Infineon技术	Coolmos™P7	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA95R750	MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-fp	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	950 v	9A（TC）	10V	750MOHM @ 4.5A，10V	3.5V @ 220µA	23 NC @ 10 V	±20V	712 PF @ 400 V	-	28W（TC）
IPU50R950CEBKMA1	-	RFQ	5199	Infineon技术	CoolMos™CE	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IPU50R	MOSFET （金属 o化物）			pg-to251-3	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道	500 v	4.3A（TC）	13V	950MOHM @ 1.2A，13V	3.5V @ 100µA	10.5 NC @ 10 V	±20V	231 PF @ 100 V	-	34W（TC）
SIHK185N60E-T1-GE3	4.4200	RFQ	2	Vishay Siliconix	e	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerbsfn	SIHK185	MOSFET （金属 o化物）			PowerPak®10x12	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	600 v	19a（tc）	10V	185mohm @ 9.5A，10V	5V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±30V	1085 pf @ 100 V	-	114W（TC）
STP5N95K5	2.1100	RFQ	876	Stmicroelectronics	SuperMesh5™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP5N95	MOSFET （金属 o化物）			TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	950 v	3.5A（TC）	10V	2.5OHM @ 1.5A，10V	5V @ 100µA	12.5 NC @ 10 V	±30V	220 pf @ 100 V	-	70W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（102018）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²