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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
2N4403TF	0.0400	RFQ	14	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）					625兆	TO-92-3	下载					Ear99	8541.21.0075	7,991																				40 V	600 MA							-	PNP	750mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	200MHz
SI7946DP-T1-E3	-	RFQ	1178	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SI7946			MOSFET （金属 o化物）	1.4W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）						150V	2.1a		150mohm @ 3.3a，10v	4V @ 250µA	20NC @ 10V		-	逻辑级别门
STB47N50DM6AG	6.5900	RFQ	5070	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，MDMESH™DM6	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB47			MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					500 v	38A（TC）	10V	71mohm @ 19a，10v	5V @ 250µA	57 NC @ 10 V	±25V	2300 PF @ 100 V	-	250W（TC）
SFT1341-TL-W	-	RFQ	7315	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SFT134			MOSFET （金属 o化物）		DPAK/TP-FA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	700		P通道					40 V	10a（10a）	1.8V，4.5V	112MOHM @ 5A，4.5V	-	8 NC @ 4.5 V	±10V	650 pf @ 20 V	-	1W（1W），15W（tc）
IPB26CN10N	-	RFQ	4443	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					100 v	35A（TC）	10V	26mohm @ 35a，10v	4V @ 39µA	31 NC @ 10 V	±20V	2070 pf @ 50 V	-	71W（TC）
IRF6708S2TRPBF	-	RFQ	6254	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距S1				MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™等距S1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,800		n通道					30 V	13A（TC）	4.5V，10V	8.9MOHM @ 13A，10V	2.35V @ 25µA	10 NC @ 4.5 V	±20V	1010 PF @ 15 V	-	2.5W（TA），20W（20W）（TC）
FDMS3616S	0.8300	RFQ	65	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的			表面安装	8-POWERTDFN	FDMS3616			MOSFET （金属 o化物）	1W	8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）						25V	16a，18a		6.6mohm @ 16a，10v	2.5V @ 250µA	27nc @ 10V		1765pf @ 13V	逻辑级别门
SQJB44EP-T1_GE3	1.5800	RFQ	5490	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SQJB44			MOSFET （金属 o化物）	48W（TC）	POWERPAK®SO-8	下载		（1 （无限）		742-SQJB44EP-T1_GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）						40V	30A（TC）		5.2MOHM @ 8A，10V	2.2V @ 250µA	50NC @ 10V		3075pf @ 25V	-
FDC6432SH	0.4400	RFQ	45	Fairchild半导体	PoterTrench®，SyncFet™	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	FDC6432			MOSFET （金属 o化物）	700MW	SuperSot™-6	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道						30V，12V	2.4a，2.5a		90MOHM @ 2.4a，10V	3V @ 1mA	3.5nc @ 5V		270pf @ 15V	逻辑级别门
SH32N65DM6AG	21.2800	RFQ	61	Stmicroelectronics	Ecopack®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	9-PowersMD	SH32N65			MOSFET （金属 o化物）	208W（TC）	9-acepack smit	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	200	2 n 通道（半桥）						650V	32A（TC）		97MOHM @ 23A，10V	4.75V @ 250µA	47NC @ 10V		2211pf @ 100V	-
MTI85W100GC-SMD	29.1277	RFQ	4814	ixys	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	17-SMD，鸥翼	MTI85W100			MOSFET （金属 o化物）	-	ISOPLUS-DIL™	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-MTI85W100GC-SMD	Ear99	8541.29.0095	13	6 n通道（3相桥）						100V	120A（TC）		4mohm @ 80a，10v	3.5V @ 150µA	88nc @ 10V		-	-
FDS4935	1.0000	RFQ	6688	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS49			MOSFET （金属 o化物）	2W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	2,500	2（p 通道（双）						30V	7a		23mohm @ 7a，10v	3V @ 250µA	21nc @ 5V		1233pf @ 15V	逻辑级别门
STW19NM65N	-	RFQ	4369	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW19N			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道					650 v	15.5A（TC）	10V	270MOHM @ 7.75a，10V	4V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±25V	1900 pf @ 50 V	-	150W（TC）
NTE187A	4.2400	RFQ	2	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的		150°C（TJ）	通过洞	to-202长标签					10 W	到202m	下载	Rohs不合规			2368-NTE187A	Ear99	8541.29.0095	1																				40 V	3 a							100µA	PNP	1V @ 200mA，2a	50 @ 1A，5V	150MHz
STP315N10F7	5.7900	RFQ	994	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，Deepgate™，dripfet™VII	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP315			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-14717-5	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					100 v	180a（TC）	10V	2.7MOHM @ 60a，10v	4.5V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	12800 PF @ 25 V	-	315W（TC）
2SA1576A-R-TP	0.0448	RFQ	3892	微商业公司	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	2SA1576				200兆	SOT-323	下载				353-2SA1576A-R-TP	Ear99	8541.21.0075	1																				50 V	150 ma							100NA	PNP	500mv @ 5mA，50mA	120 @ 1mA，6v	100MHz
IRF654B	0.9600	RFQ	447	Fairchild半导体	*	大部分	积极的											下载		供应商不确定	到达受影响	2156-IRF654B-600039			1
NTE2695	1.5800	RFQ	1	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3					1.5 w	TO-126	下载	rohs3符合条件			2368-NTE2695	Ear99	8541.29.0095	1																				100 v	4 a							100NA（ICBO）	PNP	600mv @ 100mA，1a	40 @ 200ma，1V	40MHz
PDTD123YU115	-	RFQ	4220	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				3,000
FN1F4M-T2B-A	-	RFQ	7058	Renesas Electronics America Inc	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的											-				559-FN1F4M-T2B-ATR	过时的		3,000
ARF446G	-	RFQ	1637年	Microsemi Corporation	-	大部分	积极的	900 v			TO-247-3	ARF446		40.68MHz	MOSFET		TO-247	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1	n通道		6.5a		140W	15DB											-										250 v
CMPT3904G TR PBFRE	0.5600	RFQ	585	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	CMPT3904				350兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																				40 V	200 MA							-	NPN	300mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	300MHz
TSM60NB190CI	4.4264	RFQ	7507	台湾半导体公司	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM60			MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM60NB190CI	Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道					600 v	18A（TC）	10V	190mohm @ 6a，10v	4V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±30V	1273 PF @ 100 V	-	33.8W（TC）
IXGA7N60CD1	-	RFQ	5048	ixys	HiperFast™，Lightspeed™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixga7	标准			75 w	TO-263AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50				480V，7a，18ohm，15V														35 ns	-	600 v	14 a	30 a	2.5V @ 15V，7a	120µJ（离）	25 NC	10NS/65NS
KSR1101MTF	0.0700	RFQ	31	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	KSR1101				200兆	SOT-23	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000																				50 V	100 ma							100NA（ICBO）	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	20 @ 10mA，5v	250 MHz	4.7科姆斯	4.7科姆斯
PDTC144EMB315	0.0300	RFQ	72	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载					Ear99	8541.21.0075	1
DMP57D5UV-7	-	RFQ	3576	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	DMP57D5UV			MOSFET （金属 o化物）	400MW	SOT-563	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）						50V	160mA		6ohm @ 100mA，4V	1V @ 250µA	-		29pf @ 25V	逻辑级别门
R6007RND3TL1	1.5800	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	R6007			MOSFET （金属 o化物）		TO-252	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					600 v	7A（TC）	15V	940MOHM @ 3.5A，15V	7V @ 1mA	17.5 NC @ 15 V	±30V	460 pf @ 100 V	-	96W（TC）
NTGS1135PT1G	-	RFQ	7353	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	NTGS11			MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道					8 V	4.6a（ta）	1.2V，4.5V	31MOHM @ 4.6A，4.5V	850mv @ 250µA	21 NC @ 4.5 V	±6V	2200 PF @ 6 V	-	970MW（TA）
MP6M12TCR	-	RFQ	2679	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅	MP6M12			MOSFET （金属 o化物）	2W	MPT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n和p通道						30V	5a		42MOHM @ 5A，10V	2.5V @ 1mA	4NC @ 5V		250pf @ 10V	逻辑级别门

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²