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晶体管（（100539）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 频率 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet （amp） 测试条件 当前 -测试 功率 -输出 获得 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 噪音图 trr） IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 电压 -测试 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡
JANHCC2N3501 Microchip Technology JANHCC2N3501 9.4962
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 ECAD 9387 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/366 大部分 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 通过洞 到205AD，TO-39-3 1 w TO-39（（TO-205AD） - 到达不受影响 150-Janhcc2n3501 Ear99 8541.29.0095 1 150 v 300 MA 10µA（ICBO） NPN 400mv @ 15mA，150mA 100 @ 150mA，10V -
IXSH30N60U1 IXYS IXSH30N60U1 -
RFQ
 ECAD 7836 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 ixsh30 标准 200 w TO-247AD 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 480V，30a，4.7Ohm，15V 50 ns - 600 v 50 a 100 a 2.5V @ 15V，30a 2.5MJ（） 110 NC 60NS/400NS
DMPH33M8SPSW-13 Diodes Incorporated DMPH33M8SPSW-13 0.8078
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 ECAD 4637 0.00000000 二极管合并 - 大部分 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN DMPH33 MOSFET （金属 o化物） PowerDi5060-8（Q） - 31-DMPH33M8SPSW-13 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 30 V 100A（TC） 6V，10V 3.8mohm @ 20a，10v 3V @ 250µA 127 NC @ 10 V ±20V 3775 pf @ 15 V - 1.7W（TA）
PMBT4403,215 NXP Semiconductors PMBT4403,215 -
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 ECAD 5979 0.00000000 NXP半导体 汽车，AEC-Q101 大部分 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 250兆 TO-236AB 下载 （1 （无限） 到达不受影响 2156-PMBT4403,215-954 1 40 V 600 MA 50NA（iCBO） PNP 750mv @ 50mA，500mA 100 @ 150mA，2V 200MHz
FQU30N06LTU onsemi FQU30N06LTU -
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 ECAD 2128 0.00000000 Onmi QFET® 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-251-3，IPAK，TO-251AA FQU3 MOSFET （金属 o化物） 我帕克 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,040 n通道 60 V 24A（TC） 5V，10V 39mohm @ 12a，10v 2.5V @ 250µA 20 nc @ 5 V ±20V 1040 pf @ 25 V - 2.5W（TA），44W（tc）
NDS8947 Fairchild Semiconductor NDS8947 0.9700
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 ECAD 6 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） NDS894 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.21.0095 2,500 2（p 通道（双） 30V 4a 65MOHM @ 4A，10V 2.8V @ 250µA 30nc @ 10V 690pf @ 15V 逻辑级别门
NTMFD0D9N02P1E onsemi NTMFD0D9N02P1E -
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 ECAD 2807 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn NTMFD0D9 MOSFET （金属 o化物） （960MW）（1.04W） 8-pqfn（5x6） - rohs3符合条件 （1 （无限） 根据要求获得可用的信息 2832-NTMFD0D9N02P1ETR Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V，25V 14a（TA），30a（ta） 3mohm @ 20a，10v，720µHomm @ 41a，10v 2V @ 340µA，2V @ 1mA 9NC @ 4.5V，30nc @ 4.5V 1400pf @ 15V，5050pf @ 13V -
MPSW56RLRAG onsemi mpsw56rlrag -
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 ECAD 5224 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3） MPSW56 1 w TO-92（to-226） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 2,000 80 V 500 MA 500NA PNP 500mv @ 10mA，250mA 50 @ 250mA，1V 50MHz
MCACD40N03-TP Micro Commercial Co MCACD40N03-TP 0.5600
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 ECAD 10 0.00000000 微商业公司 * 胶带和卷轴（（tr） 积极的 MCACD40N03 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000
AUIRFR48Z International Rectifier AUIRFR48Z -
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 ECAD 2017 0.00000000 国际整流器 Hexfet® 大部分 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） D-pak 下载 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 55 v 42A（TC） 10V 11mohm @ 37a，10v 4V @ 50µA 60 NC @ 10 V ±20V 1720 PF @ 25 V - 91W（TC）
KSB810YTA onsemi KSB810YTA -
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 ECAD 5683 0.00000000 Onmi - （TB） 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 KSB81 350兆 TO-92S 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 25 v 700 MA 100NA（ICBO） PNP 400mv @ 70mA，700mA 120 @ 100mA，1V 160MHz
CA3083M96 Harris Corporation CA3083M96 0.5200
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 ECAD 6 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 积极的 150°C（TJ） 表面安装 16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm） CA3083 500MW 16-Soic 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 0000.00.0000 579 15V 100mA 10µA 5 NPN 700mv @ 5mA，50mA 40 @ 50mA，3v 450MHz
MMRF2004NBR1 NXP USA Inc. MMRF2004NBR1 -
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 ECAD 2402 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 65 v 底盘安装 TO-272-16变体，平线 MMRF2004 2.7GHz ldmos TO-272 WB-16 - rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 935320315528 Ear99 8541.29.0075 500 - 77 MA 4W 28.5db - 28 V
IPP65R380C6XKSA1 Infineon Technologies IPP65R380C6XKSA1 -
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 ECAD 5429 0.00000000 Infineon技术 coolmos™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 ipp65r MOSFET （金属 o化物） pg-to220-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 650 v 10.6A（TC） 10V 380MOHM @ 3.2A，10V 3.5V @ 320µA 39 NC @ 10 V ±20V 710 PF @ 100 V - 83W（TC）
NTMFS6H852NT1G onsemi NTMFS6H852NT1G 0.9600
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 ECAD 8162 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Powertdfn，5个线索 MOSFET （金属 o化物） 5-DFN （5x6）（8-SOFL） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 80 V 10A（10A），40A （TC） 6V，10V 14.2MOHM @ 10A，10V 4V @ 45µA 13 NC @ 10 V ±20V 760 pf @ 40 V - 3.6W（ta），54W（tc）
DMN2104L-7 Diodes Incorporated DMN2104L-7 -
RFQ
 ECAD 5545 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DMN2104 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 20 v 4.3a（ta） 2.5V，4.5V 53MOHM @ 4.2A，4.5V 1.4V @ 250µA ±12V 325 pf @ 10 V - 1.4W（TA）
RFP50N05 Harris Corporation RFP50N05 0.9200
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220AB 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 50 V 50A（TC） 10V 22mohm @ 50a，10v 4V @ 250NA 160 NC @ 20 V ±20V - 132W（TC）
2SA733-P-AP Micro Commercial Co 2SA733-P-AP -
RFQ
 ECAD 7805 0.00000000 微商业公司 - （TB） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA） 2SA733 250兆 到92 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 353-2SA733-P-APTB Ear99 8541.21.0075 2,000 50 V 100 ma 100NA（ICBO） PNP 300mv @ 10mA，100mA 200 @ 1mA，6v 100MHz
NSV40300CTWG onsemi NSV40300CTWG 0.4087
RFQ
 ECAD 4589 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-1023，4-LFPAK 800兆 LFPAK4（5x6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 488-NSV40300CTWGTR Ear99 8541.21.0075 3,000 40 V 3 a 100NA（ICBO） PNP 400mv @ 300mA，3a 200 @ 500mA，1V 150MHz
IRF6723M2DTRPBF Infineon Technologies IRF6723M2DTRPBF -
RFQ
 ECAD 8736 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 DirectFet™等距 IRF6723 MOSFET （金属 o化物） 2.7W DirectFet™MA 下载 （1 （无限） 到达不受影响 SP001529196 Ear99 8541.29.0095 4,000 2 n 通道（双） 30V 15a 6.6mohm @ 15a，10v 2.35V @ 25µA 14NC @ 4.5V 1380pf @ 15V 逻辑级别门
2SD2012 STMicroelectronics 2SD2012 -
RFQ
 ECAD 8946 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 2SD2 25 w TO-220F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 497-5900-5 Ear99 8541.29.0095 50 60 V 3 a 100µA（ICBO） NPN 1V @ 200mA，2a 100 @ 500mA，5V 3MHz
IXTT12N150 IXYS IXTT12N150 17.0700
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 ECAD 2069 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA ixtt12 MOSFET （金属 o化物） TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1500 v 12A（TC） 10V 2ohm @ 6a，10v 4.5V @ 250µA 106 NC @ 10 V ±30V 3720 PF @ 25 V - 890W（TC）
SI7322DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7322DN-T1-GE3 1.7200
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 ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 PowerPak®1212-8 SI7322 MOSFET （金属 o化物） PowerPak®1212-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 100 v 18A（TC） 10V 58MOHM @ 5.5A，10V 4.4V @ 250µA 20 nc @ 10 V ±20V 750 pf @ 50 V - 3.8W（TA），52W（TC）
MTP27N06L onsemi MTP27N06L 0.3300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 1
JAN2N6790U Microsemi Corporation JAN2N6790U -
RFQ
 ECAD 4404 0.00000000 Microsemi Corporation 军事，MIL-PRF-19500/555 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 18-CLCC MOSFET （金属 o化物） 18-ulcc （9.14x7.49） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1 n通道 200 v 2.8A（TC） 10V 850MOHM @ 3.5A，10V 4V @ 250µA 14.3 NC @ 10 V ±20V - 800MW（TC）
IXTA62N15P-TRL IXYS ixta62n15p-trl 3.2181
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 ECAD 6164 0.00000000 ixys 极性 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB ixta62 MOSFET （金属 o化物） TO-263（D2PAK） - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixta62n15p-trltr Ear99 8541.29.0095 800 n通道 150 v 62A（TC） 10V 40mohm @ 31a，10v 5.5V @ 250µA 70 NC @ 10 V ±20V 2250 pf @ 25 V - 350W（TC）
US6K1TR Rohm Semiconductor US6K1TR 0.6000
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 ECAD 28 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，平坦的铅 US6K1 MOSFET （金属 o化物） 1W Tumt6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 1.5a 240MOHM @ 1.5A，4.5V 1.5V @ 1mA 2.2nc @ 4.5V 80pf @ 10V 逻辑级别门
H5N3007FL-M0-E#T2 Renesas Electronics America Inc H5N3007FL-M0-E ＃T2 3.6100
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 ECAD 1 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 大部分 积极的 150°C 通过洞 TO-220-3完整包 MOSFET （金属 o化物） TO-220FL 下载 不适用 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 0000.00.0000 1 n通道 300 v 15A（TA） 160MOHM @ 7.5A，10V 4V @ 1mA 80 NC @ 10 V ±30V 2180 pf @ 25 V - 35W（TC）
DMTH4008LFDFW-13 Diodes Incorporated DMTH4008LFDFW-13 0.2226
RFQ
 ECAD 4680 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 6-udfn暴露垫 DMTH4008 MOSFET （金属 o化物） U-DFN202020-6（SWP）（f）f f型f） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 10,000 n通道 40 V 11.6a（ta） 4.5V，10V 11.5mohm @ 10a，10v 3V @ 250µA 14.2 NC @ 10 V ±20V 1030 pf @ 20 V - 990MW（TA）
KFJ4B01100L Nuvoton Technology Corporation KFJ4B01100L 0.3712
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 ECAD 2152 0.00000000 Nuvoton Technology Corporation 汽车，AEC-Q100 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 4-XFLGA，CSP KFJ4 MOSFET （金属 o化物） 4-CSP（0.8x0.8） - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 816-KFJ4B01100LTR Ear99 8541.21.0095 20,000 P通道 12 v 2.2A（ta） 1.5V，4.5V 74MOHM @ 1.5A，4.5V 1V @ 1.2mA 7 NC @ 4.5 V ±8V 459 pf @ 10 V - 360MW（TA）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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