SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 频率 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet (amp) 功率 -输出 获得 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 噪音图 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电压 -故障( v br(br)GSS) 电流 -idss) @ vds(vgs = 0) 电压 -截止( -vgs Off) @ ID 当前 -收集器截止(最大) 电阻-RDS((在) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 电阻 -底座( -r1) 电阻 -发射极底座( r2)
ZXTN25060BFHTA Diodes Incorporated ZXTN25060BFHTA 0.5600
RFQ
ECAD 3627 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 ZXTN25060 1.25 w SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 3,000 60 V 3.5 a 50NA(iCBO) NPN 175MV @ 350mA,3.5a 100 @ 10mA,2V 185MHz
NDF02N60ZG Sanyo NDF02N60ZG 0.2700
RFQ
ECAD 1015 0.00000000 Sanyo - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 MOSFET (金属 o化物) TO-220FP 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 2.4A(TC) 10V 4.8OHM @ 1A,10V 4.5V @ 50µA 10.1 NC @ 10 V ±30V 274 PF @ 25 V - 24W(TC)
DMN3066LQ-13 Diodes Incorporated DMN3066LQ-13 0.0648
RFQ
ECAD 1044 0.00000000 二极管合并 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DMN3066 MOSFET (金属 o化物) SOT-23-3 下载 到达不受影响 31-DMN3066LQ-13TR Ear99 8541.29.0095 10,000 n通道 30 V 3.6a(ta) 2.5V,4.5V 67MOHM @ 2.5A,4.5V 1.5V @ 250µA 4.1 NC @ 4.5 V ±12V 353 pf @ 10 V - 810MW(TA)
2SJ279S-E Renesas Electronics America Inc 2SJ279S-E 0.9600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 大部分 积极的 - 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 1
C2M0045170D Wolfspeed, Inc. C2M0045170D 102.3800
RFQ
ECAD 281 0.00000000 Wolfspeed,Inc。 C2M™ 管子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 C2M0045170 sicfet (碳化硅) TO-247-3 下载 Rohs符合条件 不适用 -3312-C2M0045170D Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1700 v 72A(TC) 20V 70MOHM @ 50a,20v 4V @ 18mA 188 NC @ 20 V +25V,-10V 3672 PF @ 1000 V - 520W(TC)
FF4MR12W2M1HPB11BPSA1 Infineon Technologies FF4MR12W2M1HPB11BPSA1 155.5811
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ECAD 4166 0.00000000 Infineon技术 * 托盘 积极的 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 448-FF4MR12W2M1HPB11BPSA1 18
ON5224,118 NXP USA Inc. ON5224,118 -
RFQ
ECAD 4710 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-263-5,D²Pak(4引线 +选项卡,TO-263BB ON52 - - D2PAK - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 934056731118 Ear99 8541.29.0095 800 - - - - -
MCMNP517-TP Micro Commercial Co MCMNP517-TP -
RFQ
ECAD 2106 0.00000000 微商业公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 6-vdfn裸露的垫子 MCMNP517 MOSFET (金属 o化物) - DFN2020-6U - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 12V 6a,4.1a 24mohm @ 6a,10v 1V @ 250µA 12nc @ 10V 630pf @ 10V 逻辑水平门,1.8V
2N5884 Solid State Inc. 2N5884 7.5000
RFQ
ECAD 10 0.00000000 固态公司 - 大部分 积极的 -65°C 〜200°C(TJ) 通过洞 TO-204AA,TO-3 200 w TO-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 供应商不确定 2383-2N5884 Ear99 8541.10.0080 10 80 V 25 a 2mA PNP 4V @ 6.25a,25a 35 @ 3A,4V 4MHz
BVSS138LT1G onsemi BVSS138LT1G 0.3800
RFQ
ECAD 5280 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BVSS138 MOSFET (金属 o化物) SOT-23-3(TO-236) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 50 V 200ma(ta) 5V 3.5OHM @ 200mA,5V 1.5V @ 1mA ±20V 50 pf @ 25 V - 225MW(TA)
BC846AQ-7-F Diodes Incorporated BC846AQ-7-F 0.0340
RFQ
ECAD 9756 0.00000000 二极管合并 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BC846 310 MW SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 31-BC846AQ-7-FTR Ear99 8541.21.0075 3,000 65 v 100 ma 15NA NPN 600mv @ 5mA,100mA 110 @ 2mA,5V 300MHz
BSC0906NSE8189ATMA1 Infineon Technologies BSC0906NSE8189ATMA1 -
RFQ
ECAD 7728 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET (金属 o化物) PG-TDSON-8-34 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 30 V 18A(18A),63A(tc) 4.5V,10V 4.5mohm @ 30a,10v 2V @ 250µA 18 nc @ 10 V ±20V 1200 pf @ 15 V - 2.5W(TA),30W(tc)
RFD3055 Fairchild Semiconductor RFD3055 0.1900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Fairchild半导体 - 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-251-3,IPAK,TO-251AA MOSFET (金属 o化物) 我帕克 下载 Rohs不合规 Ear99 8541.29.0095 75 n通道 60 V 12A(TC) 10V 150MOHM @ 12A,10V 4V @ 250µA 23 NC @ 20 V ±20V 300 pf @ 25 V - 53W(TC)
STH2N120K5-2AG STMicroelectronics STH2N120K5-2AG 4.5900
RFQ
ECAD 7007 0.00000000 Stmicroelectronics 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB STH2N120 MOSFET (金属 o化物) H2PAK-2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-STH2N120K5-2AGTR Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 1200 v 1.5A(TC) 10V 10ohm @ 500mA,10v 4V @ 100µA 5.3 NC @ 10 V ±30V 124 pf @ 100 V - 60W(TC)
2SJ358C(0)-T1-AZ Renesas Electronics America Inc 2SJ358C(0)-T1-AZ -
RFQ
ECAD 5012 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000
DMTH15H017SPSW-13 Diodes Incorporated DMTH15H017SPSW-13 0.7738
RFQ
ECAD 6262 0.00000000 二极管合并 - 大部分 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装,可润湿的侧面 8-POWERTDFN DMTH15 MOSFET (金属 o化物) PowerDI5060-8(type UX) - 31-DMTH15H017SPSW-13 2,500 n通道 150 v 11a(11a),61a(tc) 8V,10V 19mohm @ 20a,10v 4V @ 250µA 34 NC @ 10 V ±20V 2344 PF @ 75 V - 1.5W(ta),107W(TC)
PMBT2907A/MIGR NXP USA Inc. PMBT2907A/迁移 -
RFQ
ECAD 9968 0.00000000 NXP USA Inc. * 胶带和卷轴((tr) 积极的 PMBT2907 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 934068471215 Ear99 8541.29.0095 3,000
J112RLRAG onsemi j112rlrag -
RFQ
ECAD 6973 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -65°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3) J112 350兆 TO-92(to-226) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,000 n通道 - 35 v 5 ma @ 15 V 1 V @ 1 µA 50欧姆
IDYH50G200C5XKSA1 Infineon Technologies IDYH50G200C5XKSA1 54.0924
RFQ
ECAD 8695 0.00000000 Infineon技术 - 管子 积极的 - rohs3符合条件 448-IDYH50G200C5XKSA1 30
IXTY5N50P IXYS Ixty5n50p -
RFQ
ECAD 9897 0.00000000 ixys Polarhv™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 ixty5 MOSFET (金属 o化物) TO-252AA 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 70 n通道 500 v 4.8A(TC) 10V 1.4OHM @ 2.4a,10V 5.5V @ 50µA 12.6 NC @ 10 V ±30V 620 pf @ 25 V - 89W(TC)
DMTH4M95SPS-13 Diodes Incorporated DMTH4M95SPS-13 -
RFQ
ECAD 7206 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 DMTH4M95 - 到达不受影响 31-DMTH4M95SPS-13TR 1
NX7002AK.215 NXP USA Inc. NX7002AK.215 1.0000
RFQ
ECAD 9268 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 Ear99 8541.29.0095 1
DDTC143ZCAQ-7-F Diodes Incorporated DDTC143ZCAQ-7-F 0.3000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 二极管合并 ddtc(r1≠r2系列)ca 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DDTC143 200兆 SOT-23-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA,5mA 80 @ 10mA,5V 250 MHz 4.7科姆斯 47科姆斯
BC80825MTF Fairchild Semiconductor BC80825MTF 0.0400
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 310 MW SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.21.0075 3,000 25 v 800 MA 100NA PNP 700mv @ 50mA,500mA 160 @ 100mA,1V 100MHz
JANKCBM2N2222A Microchip Technology jankcbm2n2222a -
RFQ
ECAD 7371 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -65°C 〜200°C(TJ) 通过洞 TO-206AA,TO-18-3 500兆 TO-18((TO-206AA) - 到达不受影响 150-JANKCBM2N2222A 100 50 V 800 MA 50NA NPN 1V @ 50mA,500mA 100 @ 150mA,10V -
NVGS3443T1G onsemi NVGS3443T1G -
RFQ
ECAD 3945 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-23-6薄,TSOT-23-6 NVGS3443 MOSFET (金属 o化物) 6-TSOP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 20 v 3.1a(ta) 65MOHM @ 4.4A,4.5V 1.5V @ 250µA 15 NC @ 4.5 V 565 pf @ 5 V - -
NVMFS5C442NT1G onsemi NVMFS5C442NT1G -
RFQ
ECAD 6431 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 8-Powertdfn,5个线索 NVMFS5 MOSFET (金属 o化物) 5-DFN (5x6)(8-SOFL) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 40 V 140a(TC) 10V 2.3MOHM @ 50a,10v 4V @ 250µA 32 NC @ 10 V ±20V 2100 PF @ 25 V - 3.7W(TA),83W(tc)
IXTT1N250HV-TRL IXYS IXTT1N250HV-TRL 37.8644
RFQ
ECAD 9685 0.00000000 ixys - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA ixtt1 MOSFET (金属 o化物) TO-268HV(IXTT) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 238-ixtt1n250hv-trltr Ear99 8541.29.0095 400 n通道 2500 v 1.5A(TC) 10V 40ohm @ 750mA,10v 4V @ 250µA 41 NC @ 10 V ±20V 1660 pf @ 25 V - 250W(TC)
DMP68D0LFB-7B Diodes Incorporated DMP68D0LFB-7B 0.0490
RFQ
ECAD 9309 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 3-UFDFN MOSFET (金属 o化物) X1-DFN1006-3 下载 到达不受影响 31-DMP68D0LFB-7BTR Ear99 8541.29.0095 10,000 P通道 65 v 192ma(ta) 2.5V,5V 8ohm @ 100mA,5v 2.1V @ 250µA 4.1 NC @ 5 V ±20V 36 pf @ 30 V - 500MW
FDC3612_F095 onsemi FDC3612_F095 -
RFQ
ECAD 7871 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-23-6薄,TSOT-23-6 FDC3612 MOSFET (金属 o化物) SuperSot™-6 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 100 v 2.6a(ta) 6V,10V 125mohm @ 2.6a,10v 4V @ 250µA 20 nc @ 10 V ±20V 660 pf @ 50 V - 1.6W(TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库