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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）
BUK9K25-40RAX	1.1800	RFQ	5357	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-12205，8-LFPAK56	BUK9K25			MOSFET （金属 o化物）	32W（TA）	LFPAK56D	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	2 n 通道（双）							40V	18.2a（ta）		24mohm @ 5a，10v	2.1V @ 1mA	6.3nc @ 5V		701pf @ 25V	逻辑级别门
MMBT6428-SB10220	0.0200	RFQ	1676年	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3						SOT-23-3	-				2156-MMBT6428-SB10220			12,000																												10NA（ICBO）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	250 @ 100µA，5V	700MHz
TK6A55DA（STA4，Q，m）	1.4900	RFQ	8915	东芝半导体和存储	π-mosvii	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK6A55			MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道						550 v	5.5A（ta）	10V	1.48OHM @ 2.8A，10V	4.4V @ 1mA	12 nc @ 10 V	±30V	600 pf @ 25 V	-	35W（TC）
TEC301-303	-	RFQ	7903	中央半导体公司	-	盒子	过时的											-		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	2,500
SI7344DP-T1-E3	-	RFQ	9320	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7344			MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						20 v	11a（11a）	4.5V，10V	8mohm @ 17a，10v	2.1V @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	±20V		-	1.8W（TA）
ECH8660-S-TL-H	-	RFQ	4720	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-	表面安装	8-SMD，平坦的铅	ECH8660			-	-	8-ech	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	-							-	-		-	-	-		-	-
BFS20	0.0363	RFQ	8266	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					200兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2796-BFS20Tr		8541.21.0000	3,000																				20 v	25 ma							100NA（ICBO）	NPN	-	40 @ 7mA，10v	450MHz
RFM15N05L	-	RFQ	3089	哈里斯公司	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道						50 V	15A（TC）	5V	140MOHM @ 7.5A，5V			±10V	900 pf @ 25 V	-	75W（TC）
DTB123TCT116	0.0658	RFQ	6757	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DTB123				200兆	SST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																				40 V	500 MA							500NA（ICBO）	pnp-预先偏见	300mv @ 2.5mA，50mA	100 @ 50mA，5V	200 MHz	2.2 kohms
DMN3030LFG-13	-	RFQ	6766	二极管合并	汽车，AEC-Q101	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	DMN3030			MOSFET （金属 o化物）		PowerDI3333-8	下载				31-DMN3030LFG-13	过时的		1		n通道						30 V	5.3a（ta）	4.5V，10V	18mohm @ 10a，10v	2.1V @ 250µA	17.4 NC @ 10 V	±25V	751 PF @ 10 V	-	900MW（TA）
2SD1651C-CTV-YB	0.4700	RFQ	59	Onmi	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
SI3853DV-T1-E3	-	RFQ	8860	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3853			MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道						20 v	1.6a（ta）	2.5V，4.5V	200mohm @ 1.8A，4.5V	500mv @ 250µA（250µA））	4 NC @ 4.5 V	±12V		Schottky 二极管（孤立）	830MW（TA）
IRF744pbf	-	RFQ	8552	Vishay Siliconix	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF744			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF744PBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道						450 v	8.8A（TC）	10V	630MOHM @ 5.3A，10V	4V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	125W（TC）
IXFH12N100F	12.0100	RFQ	1694年	ixys	hiperfet™，f类	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH12			MOSFET （金属 o化物）		TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道						1000 v	12A（TC）	10V	1.05Ohm @ 6a，10v	5.5V @ 4mA	77 NC @ 10 V	±20V	2700 PF @ 25 V	-	300W（TC）
ZTX749_D27Z	-	RFQ	8519	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	ZTX749				1 w	TO-226	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,000																				25 v	2 a							100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 200mA，2a	100 @ 1A，2V	100MHz
FGB40N6S2T	3.4400	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准			290 w	D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	800				390V，20a，3ohm，15v															-	600 v	75 a	180 a	2.7V @ 15V，20A	（115µJ）（在195µJ of）上（OFF）	35 NC	8NS/35NS
DMT6007LFG-7	1.1200	RFQ	11	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	DMT6007			MOSFET （金属 o化物）		PowerDI3333-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道						60 V	（15a）（ta），80a（tc）	4.5V，10V	6mohm @ 20a，10v	2V @ 250µA	41.3 NC @ 10 V	±20V	2090 pf @ 30 V	-	2.2W（TA），62.5W（TC）
MRF8P20140WGHSR3	-	RFQ	4697	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		表面安装	NI-780S-4L	MRF8P20140		1.88GHz〜1.91GHz	ldmos		NI-780S-4L	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935311633128	Ear99	8541.29.0075	250	双重的		-		500 MA	24W	16dB											-									28 V
BC857SE6327	0.0300	RFQ	4391	Infineon技术	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BC857				250MW	SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,475																				45V	100mA							15NA（icbo）	2 PNP （双）	650mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	250MHz
IMX1T108	0.1469	RFQ	7697	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457	IMX1				300MW	SMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																				50V	150mA							100NA（ICBO）	2 NPN （双）	400mv @ 5mA，50mA	120 @ 1mA，6v	180MHz
PD55008S-E	10.8779	RFQ	8557	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	40 V			Powerso-10裸露的底部垫	PD55008		500MHz	ldmos		Powerso-10rf （直线直线）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			4a		150 ma	8W	17dB											-									12.5 v
PMST5551,115	0.3300	RFQ	1	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	PMST5551				200兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																				160 v	300 MA							50NA（iCBO）	NPN	200mv @ 5mA，50mA	80 @ 10mA，5V	300MHz
FDS9431A-F085	-	RFQ	9595	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS94			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道						20 v	3.5A（ta）	2.5V，4.5V	130MOHM @ 3.5A，4.5V	1V @ 250µA	8.5 NC @ 4.5 V	±8V	405 pf @ 10 V	-	2.5W（TA）
BC546B	0.0447	RFQ	5561	台湾半导体公司	-	（TB）	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC546				500兆	到92	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BC546BTB	Ear99	8541.21.0095	10,000																				65 v	100 ma							15NA（icbo）	NPN	-	200 @ 2mA，5v	-
BC857A	0.0150	RFQ	300	Yangjie技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC857				150兆	SOT-23	-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-BC857ATR	Ear99		3,000																				45 v	100 ma							1ma	PNP	650mv @ 5mA，100mA	125 @ 2mA，5V	100MHz
IRLR8729PBF	-	RFQ	2904	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道						30 V	58A（TC）		8.9mohm @ 25a，10v	2.35V @ 25µA	16 NC @ 4.5 V	±20V	1350 pf @ 15 V	-	55W（TC）
YJL03G10A	0.3800	RFQ	2578	Yangzhou Yangjie电子技术有限公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						100 v	3A（3A）	4.5V，10V	140MOHM @ 3A，10V	3V @ 250µA	4.3 NC @ 10 V	±20V	206 PF @ 50 V	-	1.2W（TA）
2SB1140T	0.2000	RFQ	8	Onmi	*	大部分	积极的											-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,480
RQ5E025TNTL	0.5200	RFQ	15	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-96	RQ5E025			MOSFET （金属 o化物）		TSMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道						30 V	2.5a（ta）	2.5V，4.5V	92MOHM @ 2.5A，4.5V	1.5V @ 1mA	4.6 NC @ 4.5 V	±12V	220 pf @ 10 V	-	700MW（TA）
YJA3139KA	0.0250	RFQ	1	Yangjie技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的											-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-YJA3139KATR	Ear99		10,000

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²