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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 电压 -额定值 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | 频率 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | (amp) | 测试条件 | 当前 -测试 | 功率 -输出 | 获得 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 噪音图 | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电流 -icm) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 切换能量 | 门充电 | TD (开/关) @ 25°C | 电压 -测试 | 电压 -故障( v br(br)GSS) | 电流 -idss) @ vds(vgs = 0) | 电压 -截止( -vgs Off) @ ID | 当前 -收集器截止(最大) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 电阻 -底座( -r1) | 电阻 -发射极底座( r2) | (ID) - 最大 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SI1023X-T1-GE3 | 0.4400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | SI1023 | MOSFET (金属 o化物) | 250MW | SC-89(SOT-563F) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2(p 通道(双) | 20V | 370mA | 1.2OHM @ 350mA,4.5V | 450mv @ 250µA(250µA)) | 1.5NC @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMT10H072LFDF-13 | 0.2348 | ![]() | 9092 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-udfn暴露垫 | DMT10 | MOSFET (金属 o化物) | U-DFN2020-6(f型) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 10,000 | n通道 | 100 v | 4A(ta) | 4.5V,10V | 62MOHM @ 4.5A,10V | 3V @ 250µA | 5.1 NC @ 10 V | ±20V | 266 pf @ 50 V | - | 800MW(TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC80740 | 0.0700 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BC807 | 310 MW | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45 v | 800 MA | 100NA | PNP | 700mv @ 50mA,500mA | 100 @ 100mA,1V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HGTP3N60A4 | - | ![]() | 2404 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | SMPS | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | 标准 | 70 W | TO-220-3 | - | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 2156-HGTP3N60A4-600039 | 1 | 390V,3A,50OHM,15V | - | 600 v | 17 a | 40 a | 2.7V @ 15V,3A | (37µJ)(在),25µJ(25µJ)中 | 21 NC | 6NS/73NS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NVD6415ANLT4G | - | ![]() | 3183 | 0.00000000 | Onmi | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | NVD641 | MOSFET (金属 o化物) | DPAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 100 v | 23A(TC) | 4.5V,10V | 52MOHM @ 10a,10v | 2V @ 250µA | 20 NC @ 4.5 V | ±20V | 1024 PF @ 25 V | - | 83W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD9409 | - | ![]() | 6158 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | * | 大部分 | 积极的 | FDD940 | - | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMP10H400SK3-13 | 0.6400 | ![]() | 97 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | DMP10 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 100 v | 9A(TC) | 4.5V,10V | 240MOHM @ 5A,10V | 3V @ 250µA | 17.5 NC @ 10 V | ±20V | 1239 pf @ 25 V | - | 42W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
IXTA80N075L2 | 13.9200 | ![]() | 327 | 0.00000000 | ixys | 线性l2™ | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | ixta80 | MOSFET (金属 o化物) | TO-263AA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | -ixta80n075l2 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 75 v | 80A(TC) | 10V | 24mohm @ 40a,10v | 4.5V @ 250µA | 103 NC @ 10 V | ±20V | 3600 PF @ 25 V | - | 357W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRGPS40B120UDP | 1.0000 | ![]() | 3151 | 0.00000000 | 国际整流器 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 供应商不确定 | 到达不受影响 | 2156-IRGPS40B120UDP-600047 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC4097-R-TP | 0.0636 | ![]() | 9550 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | 2SC4097 | 200兆 | SOT-323 | 下载 | 353-2SC4097-R-TP | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 32 v | 500 MA | 1µA(ICBO) | NPN | 400mv @ 10mA,100mA | 82 @ 10mA,3v | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
UPA1803GR-9JG-E1-A | 0.5132 | ![]() | 4894 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | 表面安装 | 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) | MOSFET (金属 o化物) | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 8a(8a) | 12mohm @ 4a,10v | 2.5V @ 1mA | 36 NC @ 10 V | 1880 pf @ 10 V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT3906 | 0.0320 | ![]() | 1485 | 0.00000000 | Hy Electronic(Cayman)有限公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | - | 200兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | 4024-MMBT3906TR | 5 | 40 V | 200 MA | 100NA | PNP | 300mv @ 5mA,50mA | 100 @ 10mA,1V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FJZ594JBTF | - | ![]() | 5568 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-623F | FJZ594 | 100兆 | SOT-623F | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 3.5pf @ 5V | 20 v | 150 µA @ 5 V | 600 mV @ 1 µA | 1 MA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NSV20201DMTWTBG | 0.2828 | ![]() | 7960 | 0.00000000 | Onmi | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 表面安装 | 6-WDFN暴露垫 | NSV20201 | 6-WDFN(2x2) | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 3,000 | 20 v | 3 a | - | NPN | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PJA138K_R1_00001 | 0.2100 | ![]() | 315 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | PJA138 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 50 V | 500mA(ta) | 2.5V,10V | 1.6ohm @ 500mA,10v | 1.5V @ 250µA | 1 NC @ 4.5 V | ±20V | 50 pf @ 25 V | - | 500MW(TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BLM9D2327-26BZ | 28.0000 | ![]() | 119 | 0.00000000 | Ampleon USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 28 V | 表面安装 | 20 QFN暴露垫 | BLM9 | 2.3GHz〜2.7GHz | ldmos | 20-PQFN(8x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | 1.4µA | 76 MA | 44.9dbm | 27dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPG20N04S412ATMA1 | 1.4600 | ![]() | 5077 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q101,Optimos™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | IPG20N | MOSFET (金属 o化物) | 41W | PG-TDSON-8-4 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 n 通道(双) | 40V | 20a | 12.2mohm @ 17a,10v | 4V @ 15µA | 18NC @ 10V | 1470pf @ 25V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTD20N03L27T4 | 0.3700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Onmi | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | NTD20 | MOSFET (金属 o化物) | DPAK | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 20A(TA) | 27mohm @ 10a,5v | 2V @ 250µA | 18.9 NC @ 10 V | 1260 pf @ 25 V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM80N08CZ C0G | - | ![]() | 3900 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | TSM80 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 75 v | 80A(TC) | 10V | 8mohm @ 40a,10v | 4V @ 250µA | 91.5 NC @ 10 V | ±20V | 3905 PF @ 30 V | - | 113.6W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
DDTB133HC-7-F | - | ![]() | 9414 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | DDTB133 | 200兆 | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 500 MA | 500NA | pnp-预先偏见 | 300mv @ 2.5mA,50mA | 56 @ 50mA,5V | 200 MHz | 3.3科姆斯 | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SUD35N10-26P-E3 | 2.1700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | SUD35 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252AA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n通道 | 100 v | 35A(TC) | 7V,10V | 26mohm @ 12a,10v | 4.4V @ 250µA | 47 NC @ 10 V | ±20V | 2000 pf @ 12 V | - | 8.3W(ta),83W(tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AO3160_001 | - | ![]() | 5333 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | -50°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | AO3160 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23A-3 | - | 到达不受影响 | 785-AO3160_001 | 1 | n通道 | 600 v | 40mA(TA) | 4.5V,10V | 500ohm @ 16mA,10v | 3.2V @ 8µA | 1.5 NC @ 10 V | ±20V | 15 pf @ 25 V | - | 1.39W(TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK2035 (T5L,F,T) | - | ![]() | 1230 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-75,SOT-416 | 2SK2035 | MOSFET (金属 o化物) | SSM | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 20 v | (100mA)(TA) | 2.5V | 12ohm @ 10mA,2.5V | - | 10V | 8.5 pf @ 3 V | - | 100mW(TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CSD25404Q3 | 1.1500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Texas Instruments | NexFet™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | CSD25404 | MOSFET (金属 o化物) | 8-vsonp (3x3.15) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 20 v | 104a(TC) | 1.8V,4.5V | 6.5MOHM @ 10a,4.5V | 1.15V @ 250µA | 14.1 NC @ 4.5 V | ±12V | 2120 PF @ 10 V | - | 2.8W(ta),96w(tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PJMF280N60E1_T0_00001 | 2.3900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | PJMF280 | MOSFET (金属 o化物) | ITO-220AB-F | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | 3757-PJMF280N60E1_T0_00001 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 600 v | 13.8A(TC) | 10V | 280MOHM @ 6.5a,10V | 4V @ 250µA | 27 NC @ 10 V | ±30V | 926 PF @ 400 V | - | 34W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS4080N7 | - | ![]() | 2962 | 0.00000000 | Onmi | PowerTrench® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | FDS40 | MOSFET (金属 o化物) | 8-so flmp | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 40 V | 13A(TA) | 10V | 10mohm @ 13a,10v | 5V @ 250µA | 40 NC @ 10 V | ±20V | 1750 pf @ 20 V | - | 3.9W(TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SI4413ADY-T1-E3 | 2.2500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4413 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 30 V | 10.5a(ta) | 4.5V,10V | 7.5MOHM @ 13A,10V | 3V @ 250µA | 95 NC @ 5 V | ±20V | - | 1.5W(TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KFC4B21210L | 0.2470 | ![]() | 6636 | 0.00000000 | Nuvoton Technology Corporation | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C | 表面安装 | 4-XFLGA,CSP | KFC4 | MOSFET (金属 o化物) | 370MW(TA) | 4-CSP (1.29x1.29) | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 816-KFC4B21210LTR | Ear99 | 8541.21.0095 | 20,000 | - | 12V | 4.7a(ta) | 14.5MOHM @ 2.3a,4.5V | 1.4V @ 310µA | 9.4NC @ 4V | 1140pf @ 10V | 标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD50P04P4L11AUMA2 | - | ![]() | 4881 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos®-P2 | 大部分 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | IPD50 | MOSFET (金属 o化物) | PG-TO252-3-313 | - | 过时的 | 1 | P通道 | 40 V | 50A(TC) | 4.5V,10V | 10.6mohm @ 50a,10v | 2.2V @ 85µA | 59 NC @ 10 V | +5V,-16V | 3900 PF @ 25 V | - | 58W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMP5201V/S711115 | - | ![]() | 5537 | 0.00000000 | NXP半导体 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 供应商不确定 | 供应商不确定 | 2156-PMP5201V/S711115-954 | 1 |
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