SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 频率 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet (amp) 测试条件 当前 -测试 功率 -输出 获得 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 噪音图 IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电流 -icm) (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic 切换能量 门充电 TD (开/关) @ 25°C 电压 -测试 电压 -故障( v br(br)GSS) 电流 -idss) @ vds(vgs = 0) 电压 -截止( -vgs Off) @ ID 当前 -收集器截止(最大) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 电阻 -底座( -r1) 电阻 -发射极底座( r2) (ID) - 最大
SI1023X-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1023X-T1-GE3 0.4400
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ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-563,SOT-666 SI1023 MOSFET (金属 o化物) 250MW SC-89(SOT-563F) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2(p 通道(双) 20V 370mA 1.2OHM @ 350mA,4.5V 450mv @ 250µA(250µA)) 1.5NC @ 4.5V - 逻辑级别门
DMT10H072LFDF-13 Diodes Incorporated DMT10H072LFDF-13 0.2348
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ECAD 9092 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 6-udfn暴露垫 DMT10 MOSFET (金属 o化物) U-DFN2020-6(f型) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 10,000 n通道 100 v 4A(ta) 4.5V,10V 62MOHM @ 4.5A,10V 3V @ 250µA 5.1 NC @ 10 V ±20V 266 pf @ 50 V - 800MW(TA)
BC80740 Fairchild Semiconductor BC80740 0.0700
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ECAD 9 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BC807 310 MW SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 45 v 800 MA 100NA PNP 700mv @ 50mA,500mA 100 @ 100mA,1V 100MHz
HGTP3N60A4 Fairchild Semiconductor HGTP3N60A4 -
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ECAD 2404 0.00000000 Fairchild半导体 SMPS 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 标准 70 W TO-220-3 - Rohs不合规 供应商不确定 2156-HGTP3N60A4-600039 1 390V,3A,50OHM,15V - 600 v 17 a 40 a 2.7V @ 15V,3A (37µJ)(在),25µJ(25µJ)中 21 NC 6NS/73NS
NVD6415ANLT4G onsemi NVD6415ANLT4G -
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ECAD 3183 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 NVD641 MOSFET (金属 o化物) DPAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 100 v 23A(TC) 4.5V,10V 52MOHM @ 10a,10v 2V @ 250µA 20 NC @ 4.5 V ±20V 1024 PF @ 25 V - 83W(TC)
FDD9409 Fairchild Semiconductor FDD9409 -
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ECAD 6158 0.00000000 Fairchild半导体 * 大部分 积极的 FDD940 - - 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 1 -
DMP10H400SK3-13 Diodes Incorporated DMP10H400SK3-13 0.6400
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ECAD 97 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 DMP10 MOSFET (金属 o化物) TO-252-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 100 v 9A(TC) 4.5V,10V 240MOHM @ 5A,10V 3V @ 250µA 17.5 NC @ 10 V ±20V 1239 pf @ 25 V - 42W(TC)
IXTA80N075L2 IXYS IXTA80N075L2 13.9200
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ECAD 327 0.00000000 ixys 线性l2™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB ixta80 MOSFET (金属 o化物) TO-263AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 -ixta80n075l2 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 75 v 80A(TC) 10V 24mohm @ 40a,10v 4.5V @ 250µA 103 NC @ 10 V ±20V 3600 PF @ 25 V - 357W(TC)
IRGPS40B120UDP International Rectifier IRGPS40B120UDP 1.0000
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ECAD 3151 0.00000000 国际整流器 * 大部分 积极的 下载 供应商不确定 到达不受影响 2156-IRGPS40B120UDP-600047 1
2SC4097-R-TP Micro Commercial Co 2SC4097-R-TP 0.0636
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ECAD 9550 0.00000000 微商业公司 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 2SC4097 200兆 SOT-323 下载 353-2SC4097-R-TP Ear99 8541.21.0075 1 32 v 500 MA 1µA(ICBO) NPN 400mv @ 10mA,100mA 82 @ 10mA,3v 250MHz
UPA1803GR-9JG-E1-A Renesas Electronics America Inc UPA1803GR-9JG-E1-A 0.5132
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ECAD 4894 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 上次购买 表面安装 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) MOSFET (金属 o化物) 8-tssop 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 8a(8a) 12mohm @ 4a,10v 2.5V @ 1mA 36 NC @ 10 V 1880 pf @ 10 V -
MMBT3906 HY Electronic (Cayman) Limited MMBT3906 0.0320
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ECAD 1485 0.00000000 Hy Electronic(Cayman)有限公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 - 200兆 SOT-23 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 4024-MMBT3906TR 5 40 V 200 MA 100NA PNP 300mv @ 5mA,50mA 100 @ 10mA,1V
FJZ594JBTF onsemi FJZ594JBTF -
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ECAD 5568 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 SOT-623F FJZ594 100兆 SOT-623F 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 3.5pf @ 5V 20 v 150 µA @ 5 V 600 mV @ 1 µA 1 MA
NSV20201DMTWTBG onsemi NSV20201DMTWTBG 0.2828
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ECAD 7960 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 表面安装 6-WDFN暴露垫 NSV20201 6-WDFN(2x2) - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 0000.00.0000 3,000 20 v 3 a - NPN - - -
PJA138K_R1_00001 Panjit International Inc. PJA138K_R1_00001 0.2100
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ECAD 315 0.00000000 Panjit International Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 PJA138 MOSFET (金属 o化物) SOT-23 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 50 V 500mA(ta) 2.5V,10V 1.6ohm @ 500mA,10v 1.5V @ 250µA 1 NC @ 4.5 V ±20V 50 pf @ 25 V - 500MW(TA)
BLM9D2327-26BZ Ampleon USA Inc. BLM9D2327-26BZ 28.0000
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ECAD 119 0.00000000 Ampleon USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 28 V 表面安装 20 QFN暴露垫 BLM9 2.3GHz〜2.7GHz ldmos 20-PQFN(8x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 500 1.4µA 76 MA 44.9dbm 27dB - 28 V
IPG20N04S412ATMA1 Infineon Technologies IPG20N04S412ATMA1 1.4600
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ECAD 5077 0.00000000 Infineon技术 汽车,AEC-Q101,Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 8-Powervdfn IPG20N MOSFET (金属 o化物) 41W PG-TDSON-8-4 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道(双) 40V 20a 12.2mohm @ 17a,10v 4V @ 15µA 18NC @ 10V 1470pf @ 25V -
NTD20N03L27T4 onsemi NTD20N03L27T4 0.3700
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ECAD 1 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 NTD20 MOSFET (金属 o化物) DPAK 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 20A(TA) 27mohm @ 10a,5v 2V @ 250µA 18.9 NC @ 10 V 1260 pf @ 25 V -
TSM80N08CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM80N08CZ C0G -
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ECAD 3900 0.00000000 台湾半导体公司 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 TSM80 MOSFET (金属 o化物) TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 75 v 80A(TC) 10V 8mohm @ 40a,10v 4V @ 250µA 91.5 NC @ 10 V ±20V 3905 PF @ 30 V - 113.6W(TC)
DDTB133HC-7-F Diodes Incorporated DDTB133HC-7-F -
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ECAD 9414 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DDTB133 200兆 SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 500 MA 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 2.5mA,50mA 56 @ 50mA,5V 200 MHz 3.3科姆斯 10 kohms
SUD35N10-26P-E3 Vishay Siliconix SUD35N10-26P-E3 2.1700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 SUD35 MOSFET (金属 o化物) TO-252AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 100 v 35A(TC) 7V,10V 26mohm @ 12a,10v 4.4V @ 250µA 47 NC @ 10 V ±20V 2000 pf @ 12 V - 8.3W(ta),83W(tc)
AO3160_001 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO3160_001 -
RFQ
ECAD 5333 0.00000000 Alpha&欧米茄半导体公司 - 大部分 上次购买 -50°C〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 AO3160 MOSFET (金属 o化物) SOT-23A-3 - 到达不受影响 785-AO3160_001 1 n通道 600 v 40mA(TA) 4.5V,10V 500ohm @ 16mA,10v 3.2V @ 8µA 1.5 NC @ 10 V ±20V 15 pf @ 25 V - 1.39W(TA)
2SK2035(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2035 (T5L,F,T) -
RFQ
ECAD 1230 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 SC-75,SOT-416 2SK2035 MOSFET (金属 o化物) SSM - (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 20 v (100mA)(TA) 2.5V 12ohm @ 10mA,2.5V - 10V 8.5 pf @ 3 V - 100mW(TA)
CSD25404Q3 Texas Instruments CSD25404Q3 1.1500
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ECAD 4 0.00000000 Texas Instruments NexFet™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Powervdfn CSD25404 MOSFET (金属 o化物) 8-vsonp (3x3.15) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 20 v 104a(TC) 1.8V,4.5V 6.5MOHM @ 10a,4.5V 1.15V @ 250µA 14.1 NC @ 4.5 V ±12V 2120 PF @ 10 V - 2.8W(ta),96w(tc)
PJMF280N60E1_T0_00001 Panjit International Inc. PJMF280N60E1_T0_00001 2.3900
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ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 PJMF280 MOSFET (金属 o化物) ITO-220AB-F 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 3757-PJMF280N60E1_T0_00001 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 13.8A(TC) 10V 280MOHM @ 6.5a,10V 4V @ 250µA 27 NC @ 10 V ±30V 926 PF @ 400 V - 34W(TC)
FDS4080N7 onsemi FDS4080N7 -
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ECAD 2962 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) FDS40 MOSFET (金属 o化物) 8-so flmp 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 40 V 13A(TA) 10V 10mohm @ 13a,10v 5V @ 250µA 40 NC @ 10 V ±20V 1750 pf @ 20 V - 3.9W(TA)
SI4413ADY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4413ADY-T1-E3 2.2500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SI4413 MOSFET (金属 o化物) 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 30 V 10.5a(ta) 4.5V,10V 7.5MOHM @ 13A,10V 3V @ 250µA 95 NC @ 5 V ±20V - 1.5W(TA)
KFC4B21210L Nuvoton Technology Corporation KFC4B21210L 0.2470
RFQ
ECAD 6636 0.00000000 Nuvoton Technology Corporation 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C 表面安装 4-XFLGA,CSP KFC4 MOSFET (金属 o化物) 370MW(TA) 4-CSP (1.29x1.29) - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 816-KFC4B21210LTR Ear99 8541.21.0095 20,000 - 12V 4.7a(ta) 14.5MOHM @ 2.3a,4.5V 1.4V @ 310µA 9.4NC @ 4V 1140pf @ 10V 标准
IPD50P04P4L11AUMA2 Infineon Technologies IPD50P04P4L11AUMA2 -
RFQ
ECAD 4881 0.00000000 Infineon技术 Optimos®-P2 大部分 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 IPD50 MOSFET (金属 o化物) PG-TO252-3-313 - 过时的 1 P通道 40 V 50A(TC) 4.5V,10V 10.6mohm @ 50a,10v 2.2V @ 85µA 59 NC @ 10 V +5V,-16V 3900 PF @ 25 V - 58W(TC)
PMP5201V/S711115 NXP Semiconductors PMP5201V/S711115 -
RFQ
ECAD 5537 0.00000000 NXP半导体 * 大部分 积极的 下载 供应商不确定 供应商不确定 2156-PMP5201V/S711115-954 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库