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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
KSC5338D	1.2700	RFQ	7572	Onmi	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	KSC5338				75 w		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	200																				450 v	5 a						100µA			NPN	500mv @ 200mA，1a	6 @ 2a，1V	11MHz
PDTD113ES，126	-	RFQ	9705	NXP USA Inc.	-	（TB）	过时的		通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PDTD113				500兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																				50 V	500 MA						500NA			npn-预先偏见	300mv @ 2.5mA，50mA	33 @ 50mA，5V		1 kohms	1 kohms
TSD21501Y RMG	-	RFQ	6148	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA					600兆		SOT-89	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1801-TSD2150ACYRMGTR	Ear99	8541.21.0095	1,000																				50 V	3 a						100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 200mA，2a	200 @ 500mA，2V	90MHz
IRF8252PBF	-	RFQ	4944	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001554466	Ear99	8541.29.0095	95		n通道					25 v	25A（TA）	4.5V，10V	2.7MOHM @ 25A，10V	2.35V @ 100µA	53 NC @ 4.5 V	±20V	5305 pf @ 13 V	-	2.5W（TA）
PMXB65ENEZ	0.0900	RFQ	3	NXP半导体	*	大部分	积极的											下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-PMXB65ENEZ-954		0000.00.0000	1
IXFR12N100Q	-	RFQ	3213	ixys	Hiperfet™，Q类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFR12			MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道					1000 v	10A（TC）	10V	1.1OHM @ 6A，10V	5.5V @ 4mA	90 NC @ 10 V	±20V	2900 PF @ 25 V	-	250W（TC）
APT102GA60L	14.5900	RFQ	7167	微芯片技术	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	APT102	标准			780 w		TO-264 [L]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1				400V，62A，4.7OHM，15V															pt	600 v	183 a	307 a	2.5V @ 15V，62a	1.354mj（在）上，1.614mj（OFF）	294 NC	28NS/212NS
IXXX110N65B4H1	18.8900	RFQ	1	ixys	Genx4™，XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXXX110	标准			880 w		加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				400V，55A，2OHM，15V														100 ns	pt	650 v	240 a	630 a	2.1V @ 15V，110a	2.2mj（在）上，1.05mj off）	183 NC	38NS/156NS
MMIX1F44N100Q3	50.8870	RFQ	6104	ixys	Hiperfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	24-PowersMD，21个线索	MMIX1F44			MOSFET （金属 o化物）			24-smpd	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20		n通道					1000 v	30A（TC）	10V	245mohm @ 22a，10v	6.5V @ 8mA	264 NC @ 10 V	±30V	13600 PF @ 25 V	-	694W（TC）
2SA1392S-AA	0.1200	RFQ	9	Sanyo	*	大部分	积极的											下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-2SA1392S-AA-600057	Ear99	8541.21.0075	1
BSZ0902NSATMA1	1.1000	RFQ	99	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSZ0902			MOSFET （金属 o化物）			PG-TSDSON-8-FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道					30 V	（19a（ta），40a（tc）	4.5V，10V	2.6mohm @ 20a，10v	2V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±20V	1700 pf @ 15 V	-	2.1W（ta），48W（tc）
F475R06W1E3BOMA1	50.7600	RFQ	22	Infineon技术	EasyPack™	托盘	积极的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	F475R06				275 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	24	三相逆变器																		沟渠场停止	600 v	100 a		1.9V @ 15V，75a				1 MA	是的	4.6 NF @ 25 V
KSD1020YBU	-	RFQ	7960	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	KSD1020				350兆		TO-92S	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																				25 v	700 MA						100NA（ICBO）			NPN	400mv @ 70mA，700mA	120 @ 100mA，1V	170MHz
HUFA76409T3ST	0.5200	RFQ	21	Fairchild半导体	*	大部分	积极的				HUFA76409			-				-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	2,500															-
HN3C51F-gr （TE85L，f	-	RFQ	3368	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457	HN3C51				300MW		SM6	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0075	3,000																				120V	100mA						100NA（ICBO）			2 NPN （双）	300mv @ 1mA，10mA	200 @ 2mA，6v	100MHz
MTP30P06VG	-	RFQ	5249	Onmi	*		过时的				MTP30							-		不适用	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	50
BSC105N10LSFGATMA1	-	RFQ	9677	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC105			MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道					100 v	11.4a（ta），90a （TC）	4.5V，10V	10.5MOHM @ 50a，10v	2.4V @ 110µA	53 NC @ 10 V	±20V	3900 PF @ 50 V	-	156W（TC）
2N3468	-	RFQ	7819	中央半导体公司	-	大部分	过时的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	-				1 w		到39	下载			到达不受影响	1514-2N3468	Ear99	8541.29.0095	1																				50 V	1 a						100NA			PNP	1.2V @ 100mA，1a	40 @ 1A，5V	150MHz
BUK6D385-100EX	0.5300	RFQ	30	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫	BUK6D385			MOSFET （金属 o化物）			DFN2020MD-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					100 v	1.4A（TA），3.7a tc）	4.5V，10V	385MOHM @ 1.5，10V	2.7V @ 250µA	6.8 NC @ 10 V	±20V	195 pf @ 50 V	-	2W（TA），15W（TC）
CBB032M12FM3T	149.4500	RFQ	5	Wolfspeed，Inc。	-	盒子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	CBB032			（SIC）	10MW		-	下载		不适用		1697-CBB032M12FM3T			18	（4 n 通道（全桥）						1200V（1.2kV）	39A（TJ）		44mohm @ 30a，15v	3.9V @ 11mA	118nc @ 15V		3500pf @ 1000V	（SIC）
NTD4805NT4G	-	RFQ	6312	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD4805			MOSFET （金属 o化物）			DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					30 V	12.7A（ta），95a（tc）	4.5V，11.5V	5mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	48 NC @ 11.5 V	±20V	2865 PF @ 12 V	-	1.41W（ta），79W（tc）
PXAE1837078NB-V1-R0	103.6988	RFQ	4022	Wolfspeed，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				PXAE1837078		-	-				-				1697-PXAE1837078NB-V1-R0TR			50	-		-		-	-											-
ATP106-TL-H	-	RFQ	6253	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	atpak （2+选项卡）	ATP106			MOSFET （金属 o化物）			Atpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道					40 V	30a（TA）	4.5V，10V	25mohm @ 15a，10v	-	29 NC @ 10 V	±20V	1380 pf @ 20 V	-	40W（TC）
FDS7064N	1.2700	RFQ	65	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					30 V	16A（TA）	4.5V	7.5MOHM @ 16a，4.5V	2V @ 250µA	48 NC @ 4.5 V	±12V	3355 pf @ 15 V	-	（3W）（TA）
2SA2059（TE12L，F）	0.6300	RFQ	1	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA					1 w		PW-Mini	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000																				20 v	3 a						100NA（ICBO）			PNP	190MV @ 53mA，1.6a	200 @ 500mA，2V	-
TK31V60X，LQ	5.3300	RFQ	7	东芝半导体和存储	DTMOSIV-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	4-VSFN暴露垫	TK31V60			MOSFET （金属 o化物）			4-DFN-EP（8x8）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					600 v	30.8A（TA）	10V	98mohm @ 9.4a，10v	3.5V @ 1.5mA	65 NC @ 10 V	±30V	3000 PF @ 300 V	-	240W（TC）
2STX1360-AP	-	RFQ	7540	Stmicroelectronics	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2Stx				1 w		TO-92AP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500																				60 V	3 a						100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 150mA，3a	160 @ 1A，2V	130MHz
DDTA143EE-7-F	0.3500	RFQ	3	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-523	DDTA143				150兆		SOT-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																				50 V	100 ma						500NA			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	20 @ 10mA，5v	250 MHz	4.7科姆斯	4.7科姆斯
MMBTA06W_R1_00001	0.3400	RFQ	2	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	MMBTA06				225兆		SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-MMBTA06W_R1_00001DKR	Ear99	8541.21.0075	3,000																				80 V	500 MA						100NA			NPN	250mv @ 10mA，100mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
CMLT3474 BK	-	RFQ	9811	中央半导体公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	CMLT3474				350MW		SOT-563	下载			到达不受影响	1514-CMLT3474BK	Ear99	8541.21.0095	1																				25V	1a						100NA（ICBO）			NPN，PNP	450mv @ 100mA，1a	100 @ 500mA，1V	100MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²