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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
NTE2371	8.0600	RFQ	203	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件			2368-NTE2371	Ear99	8541.29.0095	1		P通道						100 v	19a（tc）	10V	200mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	61 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	150W（TC）
NVGS3443T1G	-	RFQ	3945	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	NVGS3443			MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道						20 v	3.1a（ta）		65MOHM @ 4.4A，4.5V	1.5V @ 250µA	15 NC @ 4.5 V		565 pf @ 5 V	-	-
jankcbm2n2222a	-	RFQ	7371	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3					500兆	TO-18（（TO-206AA）	-			到达不受影响	150-JANKCBM2N2222A			100																				50 V	800 MA							50NA	NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
HGTP20N60A4	-	RFQ	7933	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	HGTP20	标准			290 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50				390V，20a，3ohm，15v															-	600 v	70 a	280 a	2.7V @ 15V，20A	（105µJ）（在150µJ）上（OFF）	142 NC	15NS/73NS
IRF3709STRLPBF	1.0000	RFQ	8735	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道						30 V	90A（TC）	4.5V，10V	9mohm @ 15a，10v	3V @ 250µA	41 NC @ 5 V	±20V	2672 PF @ 16 V	-	3.1W（ta），120W（（tc）
IRL8113PBF-IR	-	RFQ	8581	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道						30 V	105A（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 21a，10v	2.25V @ 250µA	35 NC @ 4.5 V	±20V	2840 pf @ 15 V	-	110W（TC）
HUF75309T3ST	-	RFQ	9254	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	HUF75			MOSFET （金属 o化物）		SOT-223-4	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						55 v	3A（3A）	10V	70MOHM @ 3A，10V	4V @ 250µA	23 NC @ 20 V	±20V	352 PF @ 25 V	-	1.1W（TA）
IXTP44N25T	-	RFQ	1837年	ixys	沟	管子	积极的		-	通过洞	TO-220-3	ixtp44			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						250 v	44A（TC）		-	-				-	-
PDTC124ET-QR	0.0324	RFQ	8006	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PDTC124				250兆	TO-236AB	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1727-PDTC124ET-QRTR	Ear99	8541.21.0075	3,000																				50 V	100 ma							100NA	npn-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	60 @ 5mA，5v	230 MHz	22 KOHMS	22 KOHMS
SQ4850EY-T1_GE3	1.3700	RFQ	24	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ4850			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						60 V	12A（TC）	4.5V，10V	22mohm @ 6a，5v	2.5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	1250 pf @ 25 V	-	6.8W（TC）
SCH1410-TL-E	1.0000	RFQ	1334	Onmi	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	5,000
BC337	1.0000	RFQ	6122	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）					625兆	TO-92（to-226）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,000																				45 v	800 MA							100NA	NPN	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	210MHz
BLF7G20L-90P，118	-	RFQ	5774	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	SOT-1121A	BLF7G20		1.81GHZ〜1.88GHz	ldmos		最多	下载		（1 （无限）	到达不受影响	934064087118	Ear99	8541.29.0095	100	双重，共同来源		18a		550 MA	40W	19.5db											-									28 V
PSMN2R4-30MLD/1X	-	RFQ	5686	Nexperia USA Inc.	-	大部分	过时的											下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1727-PSMN2R4-30MLD/1X	Ear99	8541.29.0095	1
2SD2124STR-E	-	RFQ	9279	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	3,000
NSBA124XDXV6T1G	0.0698	RFQ	1432	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-563，SOT-666	NSBA124				500MW	SOT-563	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000																				50V	100mA							500NA	2 PNP-）	250mv @ 1mA，10mA	80 @ 5mA，10v	-	22KOHMS	47kohms
SIDR104AEEP-T1-RE3	3.0500	RFQ	8	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8				MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SO-8DC	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						100 v	21.1a（ta），90.5a （TC）	7.5V，10V	6.1MOHM @ 15A，10V	4V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±20V	3250 pf @ 50 V	-	6.5W（ta），120W（120W）TC）
APT77N60JC3	38.3900	RFQ	452	微芯片技术	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT77N60			MOSFET （金属 o化物）		isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道						600 v	77A（TC）	10V	35mohm @ 60a，10v	3.9V @ 5.4mA	640 NC @ 10 V	±20V	13600 PF @ 25 V	-	568W（TC）
STF20NM60D	-	RFQ	9871	Stmicroelectronics	FDMESH™	管子	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF20			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						600 v	20A（TC）	10V	290MOHM @ 10A，10V	5V @ 250µA	37 NC @ 10 V	±30V	1300 pf @ 25 V	-	45W（TC）
AOD254_002	-	RFQ	3532	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AOD25					TO-252（DPAK）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	800									30A（TC）
FDI038AN06A0_NL	3.8100	RFQ	169	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA				MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道						60 V	17a（17a），80A（tc）	6V，10V	3.8mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	124 NC @ 10 V	±20V	6400 PF @ 25 V	-	310W（TC）
FDMB3900AN	-	RFQ	8648	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	FDMB3900			MOSFET （金属 o化物）	800MW	8-MLP，微型FOFET （3x1.9）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）							25V	7a		23mohm @ 7a，10v	3V @ 250µA	17NC @ 10V		890pf @ 13V	逻辑级别门
SIHA21N65EF-GE3	4.7200	RFQ	3706	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载		（1 （无限）		742-SIHA21N65EF-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						650 v	21a（TC）	10V	180mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	106 NC @ 10 V	±30V	2322 PF @ 100 V	-	35W（TC）
FQPF7N65C_F105	-	RFQ	2752	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF7			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						650 v	7A（TC）	10V	1.4OHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±30V	1245 PF @ 25 V	-	52W（TC）
BSS205NL6327HTSA1	-	RFQ	4235	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				MOSFET （金属 o化物）		PG-SOT23	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道						20 v	2.5a（ta）	2.5V，4.5V	50mohm @ 2.5a，4.5V	1.2V @ 11µA	3.2 NC @ 4.5 V	±12V	419 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
MMS9014HE3-H-TP	0.2700	RFQ	5	微商业公司	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMS9014				200兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	353-mms9014he3-h-tptr	Ear99	8541.21.0095	3,000																				45 v	100 ma							100NA	NPN	300mv @ 5mA，100mA	450 @ 1mA，5V	150MHz
NTD4806NAT4G	-	RFQ	1942年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD48			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						30 V	11.3a（ta），79a（tc）		6mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	23 NC @ 4.5 V		2142 PF @ 12 V	-	-
PMPB13XNE，115	0.4200	RFQ	20	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫	PMPB13			MOSFET （金属 o化物）		DFN2020MD-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						30 V	8a（8a）	1.8V，4.5V	16mohm @ 8a，4.5V	900mv @ 250µA	36 NC @ 4.5 V	±12V	2195 PF @ 15 V	-	1.7W（TA），12.5W（tc）
MJD31C	-	RFQ	6680	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MJD31				15 W	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000																				100 v	3 a							50µA	NPN	1.2V @ 375mA，3a	10 @ 3A，4V	-
SFT1423-E	-	RFQ	5401	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	SFT142			MOSFET （金属 o化物）		IPAK/TP	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道						500 v	2A（TA）	4V，10V	4.9ohm @ 1A，10V	-	8.7 NC @ 10 V	±20V	175 pf @ 30 V	-	1W（ta），20W（20W）TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²