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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	电压 -输出	fet	测试条件	电压	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电压 -偏移（ vt）	电流 -阳极泄漏的门（ -igao）	电流-iv（iv）	电流 -峰值
NDS8947	0.9700	RFQ	6	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NDS894		MOSFET （金属 o化物）	900MW	8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	2,500	2（p 通道（双）					30V	4a		65MOHM @ 4A，10V	2.8V @ 250µA	30nc @ 10V		690pf @ 15V	逻辑级别门
IXSH30N60U1	-	RFQ	7836	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixsh30	标准		200 w	TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				480V，30a，4.7Ohm，15V												50 ns	-	600 v	50 a	100 a	2.5V @ 15V，30a	2.5MJ（）	110 NC	60NS/400NS
DMPH33M8SPSW-13	0.8078	RFQ	4637	二极管合并	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	DMPH33		MOSFET （金属 o化物）		PowerDi5060-8（Q）	-				31-DMPH33M8SPSW-13	Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道			30 V	100A（TC）	6V，10V	3.8mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	127 NC @ 10 V	±20V	3775 pf @ 15 V	-	1.7W（TA）
SI7322DN-T1-GE3	1.7200	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7322		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道			100 v	18A（TC）	10V	58MOHM @ 5.5A，10V	4.4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	750 pf @ 50 V	-	3.8W（TA），52W（TC）
MCACD40N03-TP	0.5600	RFQ	10	微商业公司	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的				MCACD40N03					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000
NSV40300CTWG	0.4087	RFQ	4589	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-1023，4-LFPAK				800兆	LFPAK4（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NSV40300CTWGTR	Ear99	8541.21.0075	3,000																		40 V	3 a						100NA（ICBO）	PNP	400mv @ 300mA，3a	200 @ 500mA，1V	150MHz
IRF6723M2DTRPBF	-	RFQ	8736	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距	IRF6723		MOSFET （金属 o化物）	2.7W	DirectFet™MA	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001529196	Ear99	8541.29.0095	4,000	2 n 通道（双）					30V	15a		6.6mohm @ 15a，10v	2.35V @ 25µA	14NC @ 4.5V		1380pf @ 15V	逻辑级别门
MTP27N06L	0.3300	RFQ	2	Onmi	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1
CA3083M96	0.5200	RFQ	6	哈里斯公司	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	CA3083			500MW	16-Soic	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	579																		15V	100mA						10µA	5 NPN	700mv @ 5mA，50mA	40 @ 50mA，3v	450MHz
2SA733-P-AP	-	RFQ	7805	微商业公司	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2SA733			250兆	到92	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		353-2SA733-P-APTB	Ear99	8541.21.0075	2,000																		50 V	100 ma						100NA（ICBO）	PNP	300mv @ 10mA，100mA	200 @ 1mA，6v	100MHz
NTMFS6H852NT1G	0.9600	RFQ	8162	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索			MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道			80 V	10A（10A），40A （TC）	6V，10V	14.2MOHM @ 10A，10V	4V @ 45µA	13 NC @ 10 V	±20V	760 pf @ 40 V	-	3.6W（ta），54W（tc）
DMN2104L-7	-	RFQ	5545	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DMN2104		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道			20 v	4.3a（ta）	2.5V，4.5V	53MOHM @ 4.2A，4.5V	1.4V @ 250µA		±12V	325 pf @ 10 V	-	1.4W（TA）
mpsw56rlrag	-	RFQ	5224	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	MPSW56			1 w	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,000																		80 V	500 MA						500NA	PNP	500mv @ 10mA，250mA	50 @ 250mA，1V	50MHz
IXTT12N150	17.0700	RFQ	2069	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixtt12		MOSFET （金属 o化物）		TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			1500 v	12A（TC）	10V	2ohm @ 6a，10v	4.5V @ 250µA	106 NC @ 10 V	±30V	3720 PF @ 25 V	-	890W（TC）
AUIRFR48Z	-	RFQ	2017	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载					Ear99	8541.29.0095	1			n通道			55 v	42A（TC）	10V	11mohm @ 37a，10v	4V @ 50µA	60 NC @ 10 V	±20V	1720 PF @ 25 V	-	91W（TC）
2SD2012	-	RFQ	8946	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SD2			25 w	TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-5900-5	Ear99	8541.29.0095	50																		60 V	3 a						100µA（ICBO）	NPN	1V @ 200mA，2a	100 @ 500mA，5V	3MHz
KSB810YTA	-	RFQ	5683	Onmi	-	（TB）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	KSB81			350兆	TO-92S	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																		25 v	700 MA						100NA（ICBO）	PNP	400mv @ 70mA，700mA	120 @ 100mA，1V	160MHz
RFP50N05	0.9200	RFQ	30	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			n通道			50 V	50A（TC）	10V	22mohm @ 50a，10v	4V @ 250NA	160 NC @ 20 V	±20V		-	132W（TC）
mvr2n2222aubc/tr	40.0197	RFQ	7184	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅				500兆	UBC	-			到达不受影响	150-MVR2N222222AUBC/tr			100																		50 V	800 MA						50NA	NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
IRLR024ZPBF	-	RFQ	6318	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道			55 v	16A（TC）	4.5V，10V	58mohm @ 9.6a，10V	3V @ 250µA	9.9 NC @ 5 V	±16V	380 pf @ 25 V	-	35W（TC）
HUFA76419S3S	-	RFQ	5299	Onmi	Ultrafet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	HUFA76		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400			n通道			60 V	29A（TC）	4.5V，10V	35mohm @ 29a，10v	3V @ 250µA	28 NC @ 10 V	±16V	900 pf @ 25 V	-	75W（TC）
cmpp6028 tr pbfree	2.7700	RFQ	6	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	CMPP6028					下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		6V			40V										167兆															600 mv	10 na	25 µA	150 NA
KFJ4B01100L	0.3712	RFQ	2152	Nuvoton Technology Corporation	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	4-XFLGA，CSP	KFJ4		MOSFET （金属 o化物）		4-CSP（0.8x0.8）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	816-KFJ4B01100LTR	Ear99	8541.21.0095	20,000			P通道			12 v	2.2A（ta）	1.5V，4.5V	74MOHM @ 1.5A，4.5V	1V @ 1.2mA	7 NC @ 4.5 V	±8V	459 pf @ 10 V	-	360MW（TA）
PBSS304NZ，135	0.6500	RFQ	14	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	PBSS304			2 w	SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	4,000																		60 V	5.2 a						100NA（ICBO）	NPN	280mv @ 260mA，5.2a	250 @ 2a，2v	130MHz
MMBT3906Q	0.0190	RFQ	300	Yangjie技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-MMBT3906QTR	Ear99		3,000
SCH2408-TL-E	-	RFQ	3762	Onmi	-	大部分	过时的	150°C	表面安装	6-SMD，平坦的铅			MOSFET （金属 o化物）	600MW（TA）	6-SCH	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-SCH2408-TL-E-488			1	2 n通道					30V	350mA（ta）		1欧姆 @ 200ma，4V	1.3V @ 100µA	0.87NC @ 4V		28pf @ 10V	逻辑级别门，1.5V
H5N3007FL-M0-E ＃T2	3.6100	RFQ	1	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	积极的	150°C	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FL	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			n通道			300 v	15A（TA）		160MOHM @ 7.5A，10V	4V @ 1mA	80 NC @ 10 V	±30V	2180 pf @ 25 V	-	35W（TC）
JAN2N6790U	-	RFQ	4404	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/555	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	18-CLCC			MOSFET （金属 o化物）		18-ulcc （9.14x7.49）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1			n通道			200 v	2.8A（TC）	10V	850MOHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	14.3 NC @ 10 V	±20V		-	800MW（TC）
ixta62n15p-trl	3.2181	RFQ	6164	ixys	极性	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta62		MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixta62n15p-trltr	Ear99	8541.29.0095	800			n通道			150 v	62A（TC）	10V	40mohm @ 31a，10v	5.5V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±20V	2250 pf @ 25 V	-	350W（TC）
US6K1TR	0.6000	RFQ	28	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅	US6K1		MOSFET （金属 o化物）	1W	Tumt6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）					30V	1.5a		240MOHM @ 1.5A，4.5V	1.5V @ 1mA	2.2nc @ 4.5V		80pf @ 10V	逻辑级别门

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²