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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -发射极底座（ r2）
DMN61D8LQ-13	0.4600	RFQ	9822	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DMN61		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000		n通道		60 V	470ma（ta）	3V，5V	1.8ohm @ 150mA，5V	2V @ 1mA	0.74 NC @ 5 V	±12V	12.9 pf @ 12 V	-	390MW（TA）
IPL65R230C7AUMA1	3.1200	RFQ	788	Infineon技术	Coolmos™C7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	4-POWERTSFN	IPL65R230		MOSFET （金属 o化物）		PG-VSON-4	下载	rohs3符合条件	2a （4周）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		650 v	10A（TC）	10V	230mohm @ 2.4a，10v	4V @ 240µA	20 nc @ 10 V	±20V	996 PF @ 400 V	-	67W（TC）
2SA1162-gr，LXHF	0.3900	RFQ	454	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				200兆	S-Mini	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000															50 V	150 ma						100NA（ICBO）	PNP	300mv @ 10mA，100mA	200 @ 2mA，6v	80MHz
KSB1116GTA	0.0400	RFQ	2375	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				750兆w	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	1,855															50 V	1 a						100NA（ICBO）	PNP	300mv @ 50mA，1a	200 @ 100mA，2V	120MHz
2SJ659-DL-E	0.5100	RFQ	15	Onmi	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1,000
GWM160-0055X1-SLSAM	-	RFQ	5475	ixys	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	17-SMD，平坦的铅	GWM160		MOSFET （金属 o化物）	-	ISOPLUS-DIL™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	6 n通道（3相桥）			55V	150a		3.3MOHM @ 100A，10V	4.5V @ 1mA	105nc @ 10V		-	-
IIPC20S4N04X2SA1	-	RFQ	3394	Infineon技术	-	大部分	过时的				IIPC20S4					-					过时的		1
NVMFD5C466NLWFT1G	2.6900	RFQ	4229	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	NVMFD5		MOSFET （金属 o化物）	（3W）（40W）（40W）TC）	8-dfn（5x6）（SO8FL偶）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	2 n 通道（双）			40V	（14A）（52A（ta）（TC）		7.4mohm @ 10a，10v	2.2V @ 30µA	7NC @ 4.5V		997pf @ 25V	-
SNSM3005NZTAG	0.1200	RFQ	159	Onmi	*	大部分	积极的									-		供应商不确定	供应商不确定				1
2SC5099	-	RFQ	3428	桑肯	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3				60 W	to-3pf	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		2SC5099 DK	Ear99	8541.29.0095	1,000															80 V	6 a						10µA（ICBO）	NPN	500mv @ 200mA，2a	50 @ 2a，4v	20MHz
SI5915DC-T1-E3	-	RFQ	6494	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5915		MOSFET （金属 o化物）	1.1W	1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）			8V	3.4a		70MOHM @ 3.4A，4.5V	450mv @ 250µA（250µA））	9NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
2SJ213-T1-AZ	0.7200	RFQ	60	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1,000
IPB120P04P4L03ATMA1	2.0699	RFQ	8093	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB120		MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道		40 V	120A（TC）	4.5V，10V	3.1MOHM @ 100A，10V	2.2V @ 340µA	234 NC @ 10 V	±16V	15000 PF @ 25 V	-	136W（TC）
IRG4PC40KPBF	-	RFQ	8166	Infineon技术	-	包	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRG4PC40	标准		160 w	TO-247AC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400			480V，25a，10ohm，15V											-	600 v	42 a	84 a	2.6V @ 15V，25a	620µJ（在）上，330µJ（OFF）	120 NC	30NS/140NS
SCH1305-TL-E	0.0700	RFQ	60	Onmi	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	5,000
IPD80R900P7ATMA1	1.6300	RFQ	6	Infineon技术	Coolmos™P7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD80R900		MOSFET （金属 o化物）		pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		800 v	6A（TC）	10V	900MOHM @ 2.2a，10V	3.5V @ 110µA	15 NC @ 10 V	±20V	350 pf @ 500 V	-	45W（TC）
IRFR4105ZPBF	-	RFQ	5409	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		55 v	30A（TC）		24.5MOHM @ 18A，10V	4V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	740 pf @ 25 V	-	48W（TC）
FDA032N08	4.3700	RFQ	491	Onmi	PowerTrench®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FDA032		MOSFET （金属 o化物）		to-3pn	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		75 v	120A（TC）	10V	3.2MOHM @ 75A，10V	4.5V @ 250µA	220 NC @ 10 V	±20V	15160 pf @ 25 V	-	375W（TC）
FDD14AN06LA0-F085	-	RFQ	3927	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD14AN06		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		60 V	9.5A（ta），50a（50a）TC）	5V，10V	11.6mohm @ 50a，10v	3V @ 250µA	32 NC @ 5 V	±20V	2810 PF @ 25 V	-	125W（TC）
IRLR7811WCTRRP	-	RFQ	9688	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		30 V	64A（TC）	4.5V，10V	10.5MOHM @ 15A，10V	2.5V @ 250µA	31 NC @ 4.5 V	±12V	2260 pf @ 15 V	-	71W（TC）
BD17910STU	0.4900	RFQ	9	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3				30 W	TO-126-3	下载		供应商不确定	到达受影响	2156-BD17910STU-600039			1															80 V	3 a						100µA（ICBO）	NPN	800mv @ 100mA，1a	63 @ 150mA，2V	3MHz
J3E081CA4/S1ACH49J	-	RFQ	4633	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的				J3E0					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	2,500
NVTGS3455T1G	-	RFQ	3184	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	-	-	NVTGS3		-		-	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		-			-		-	-				-	-
RN2425（TE85L，F）	0.4000	RFQ	5	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	RN2425			200兆	S-Mini	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0075	3,000															50 V	800 MA						500NA	pnp-预先偏见	250mv @ 1mA，50mA	90 @ 100mA，1V	200 MHz	10 kohms
SI1023X-T1-GE3	0.4400	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SI1023		MOSFET （金属 o化物）	250MW	SC-89（SOT-563F）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）			20V	370mA		1.2OHM @ 350mA，4.5V	450mv @ 250µA（250µA））	1.5NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
DMT10H072LFDF-13	0.2348	RFQ	9092	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫	DMT10		MOSFET （金属 o化物）		U-DFN2020-6（f型）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000		n通道		100 v	4A（ta）	4.5V，10V	62MOHM @ 4.5A，10V	3V @ 250µA	5.1 NC @ 10 V	±20V	266 pf @ 50 V	-	800MW（TA）
BC80740	0.0700	RFQ	9	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC807			310 MW	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000															45 v	800 MA						100NA	PNP	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
HGTP3N60A4	-	RFQ	2404	Fairchild半导体	SMPS	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		70 W	TO-220-3	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-HGTP3N60A4-600039			1			390V，3A，50OHM，15V											-	600 v	17 a	40 a	2.7V @ 15V，3A	（37µJ）（在），25µJ（25µJ）中	21 NC	6NS/73NS
NVD6415ANLT4G	-	RFQ	3183	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NVD641		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		100 v	23A（TC）	4.5V，10V	52MOHM @ 10a，10v	2V @ 250µA	20 NC @ 4.5 V	±20V	1024 PF @ 25 V	-	83W（TC）
FDD9409	-	RFQ	6158	Fairchild半导体	*	大部分	积极的				FDD940		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				1												-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²