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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
DDB2U30N08VRBOMA1307	1.0000	RFQ	6912	Infineon技术	-	大部分	积极的		-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块					20兆	标准	模块	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	3独立																		-	600 v	25 a		2.55V @ 15V，20A								1 MA	是的	880 pf @ 25 V
HGTD10N50F1	1.6700	RFQ	2	哈里斯公司	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		标准			75 w		我帕克	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1				-															-	500 v	12 a		2.5V @ 10V，5A	-	13.4 NC	-
pmp3906ays-qz	0.5200	RFQ	9	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	PMP3906				230MW		6-TSSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000																				40V	200mA										50NA（iCBO）				2（PNP （双）	400mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	250MHz
IXGL200N60B3	-	RFQ	9725	ixys	Genx3™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXGL200	标准			400 w		ISOPLUS264™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25				300V，100A，1OHM，15V															pt	600 v	150 a	600 a	1.5V @ 15V，100a	1.6MJ（在）上，2.9MJ off）	750 NC	44NS/310NS
IPD90N06S4L05ATMA2	1.6800	RFQ	7852	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD90			MOSFET （金属 o化物）			PG-TO252-3-11	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						60 V	90A（TC）	4.5V，10V	4.6mohm @ 90a，10v	2.2V @ 60µA	110 NC @ 10 V	±16V	8180 pf @ 25 V	-	107W（TC）
AOI8N25	0.4160	RFQ	3681	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	AOI8			MOSFET （金属 o化物）			TO-251A	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	785-1454-5	Ear99	8541.29.0095	3,500		n通道						250 v	8A（TC）	10V	560MOHM @ 1.5A，10V	4.3V @ 250µA	7.2 NC @ 10 V	±30V	306 pf @ 25 V	-	78W（TC）
DMP2900UDW-7	0.3500	RFQ	3120	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	DMP2900			MOSFET （金属 o化物）	370MW（TA）		SOT-363	下载			到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）							20V	630ma（ta）		750MOHM @ 430mA，4.5V	1V @ 250µA	0.7NC @ 4.5V		49pf @ 16V	-
SI6925ADQ-T1-E3	-	RFQ	1125	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6925			MOSFET （金属 o化物）	800MW		8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）							20V	3.3a		45mohm @ 3.9a，4.5V	1.8V @ 250µA	6NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
AOTL66610	3.8800	RFQ	13	Alpha＆欧米茄半导体公司	Alplosgt™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powersfn	AOTL666			MOSFET （金属 o化物）			托拉	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道						60 V	61A（TA），350a （TC）	6V，10V	1.2MOHM @ 20a，10v	3.6V @ 250µA	145 NC @ 10 V	±20V	7625 PF @ 30 V	-	8.3W（ta），272W（TC）
BLM8D2327S-50pb（g）	-	RFQ	8525	Ampleon USA Inc.	-	托盘	积极的				-	BLM8D2327		-	-			-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响				1	-		-			-	-											-
MMUN2113LT3	-	RFQ	1237	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMUN2113				246兆		SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000																				50 V	100 ma										500NA				pnp-预先偏见	250mv @ 300µA，10mA	80 @ 5mA，10v		47科姆斯	47科姆斯
FQB27P06TM	2.0600	RFQ	9234	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FQB27			MOSFET （金属 o化物）			d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		P通道						60 V	27a（TC）	10V	70MOHM @ 13.5A，10V	4V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±25V	1400 pf @ 25 V	-	3.75W（TA），120W（tc）
SMP5484	-	RFQ	9733	交流	SMP5484	条	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-3					350兆		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	4966-SMP5484	Ear99	8541.21.0095	1		n通道						25 v							3.5pf @ 15V														2.5 ma @ 15 V	1.5 V @ 10 na				320欧姆
IRFS3307ZPBF	-	RFQ	5803	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						75 v	120A（TC）	10V	5.8MOHM @ 75A，10V	4V @ 150µA	110 NC @ 10 V	±20V	4750 PF @ 50 V	-	230W（TC）
2N3809	10.6670	RFQ	50	固态公司	-	大部分	积极的		-	通过洞	TO-78-6金属罐							TO-78-6	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	2383-2N3809	Ear99	8541.10.0080	10																															-				PNP	-	-	-
GTVA107001FC-V1-R0	1.0000	RFQ	1798年	Wolfspeed，Inc。	甘	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125 v		表面安装	H-37248-2			1.4GHz	hemt			H-37248-2	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0075	50			-		100 ma	700W	20dB											-									50 V
STB18N55M5	-	RFQ	8003	Stmicroelectronics	MDMESH™v	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB18N			MOSFET （金属 o化物）			d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						550 v	16A（TC）	10V	192MOHM @ 8A，10V	5V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±25V	1260 pf @ 100 V	-	110W（TC）
SISS61DN-T1-GE3	0.9900	RFQ	1425	Vishay Siliconix	Trechfet®GenIII	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISS61			MOSFET （金属 o化物）			PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道						20 v	30.9a（ta），111.9a （TC）	1.8V，4.5V	3.5MOHM @ 15a，4.5V	900mv @ 250µA	231 NC @ 10 V	±8V	8740 pf @ 10 V	-	5W（5W），65.8W（TC）
NXH35C120L2C2S1G	60.6317	RFQ	7919	Onmi	-	管子	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	26-PowerDip 模块（1.199英寸，47.20mm）	NXH35				20兆	三相桥梁整流器	26浸	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NXH35C120L2C2S1G	Ear99	8541.29.0095	6	三期逆变器																		-	1200 v	35 a		2.4V @ 15V，35a								250 µA	是的	8.33 NF @ 20 V
SFH9240	-	RFQ	7431	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	SFH924			MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SFH9240FS	Ear99	8541.29.0095	30		P通道						200 v	11A（TC）	10V	500MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	59 NC @ 10 V	±30V	1585 pf @ 25 V	-	126W（TC）
TIS75	-	RFQ	4675	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	TIS75				350兆		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000		n通道													18pf @ 10V（vgs）													30 V	8 ma @ 15 V	800 mv @ 4 na				60欧姆
2SK1094-E	2.8100	RFQ	663	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的												-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
SISS30DN-T1-GE3	1.1400	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISS30			MOSFET （金属 o化物）			PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						80 V	15.9A（TA），54.7a （TC）	7.5V，10V	8.25mohm @ 10a，10v	3.8V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±20V	1666 pf @ 10 V	-	4.8W（ta），57W（TC）
BC327-40BK	0.0328	RFQ	155	diotec半导体	-	盒子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					625兆		到92	下载	rohs3符合条件	不适用		2796-BC327-40BK		8541.21.0000	5,000																				45 v	800 MA										10µA				PNP	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，1V	100MHz
AC857BQ-7	0.2100	RFQ	1	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	AC857				350兆		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																				45 v	100 ma										15NA				PNP	650mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	100MHz
STAC2942FW	85.2500	RFQ	75	Stmicroelectronics	-	托盘	过时的	130 v			STAC244B	STAC2942		175MHz	MOSFET			STAC244B	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20	n通道		40a		250 MA	450W	-											-									50 V
DMP610DLQ-7	0.0550	RFQ	5589	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				MOSFET （金属 o化物）			SOT-23-3	下载			到达不受影响	31-DMP610DLQ-7TR	Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道						60 V	186ma（ta）	5V	10ohm @ 100mA，5v	2V @ 1mA	0.5 NC @ 5 V	±30V	40 pf @ 25 V	-	520MW（TA）
DMP31D7LQ-7	0.0600	RFQ	3603	二极管合并	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DMP31			MOSFET （金属 o化物）			SOT-23-3	下载				31-DMP31D7LQ-7	Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道						30 V	580mA（ta）	4.5V，10V	900MOHM @ 420mA，10V	2.6V @ 250µA	0.36 NC @ 4.5 V	±20V	19 pf @ 15 V	-	430MW（TA）
BUK6211-75C，118	-	RFQ	6937	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）			DPAK	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BUK6211-75C，118-954	Ear99	8541.29.0095	1		n通道						75 v	74a（ta）		11mohm @ 25a，10v	2.8V @ 1mA	81 NC @ 10 V	±16V	5251 PF @ 25 V	-	158W（TA）
SPI100N03S2L03	-	RFQ	3139	Infineon技术	Optimos™	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	SPI100N			MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道						30 V	100A（TC）	10V	3mohm @ 80a，10v	2V @ 250µA	220 NC @ 10 V	±20V	8180 pf @ 25 V	-	300W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²