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晶体管（（100539）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 ECCN htsus 标准包 fet 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） trr） IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C
2N4860JAN02 Vishay Siliconix 2N4860JAN02 -
RFQ
 ECAD 7844 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 - 通过洞 TO-206AA，TO-18-3 2N4860 TO-206AA（to-18） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 40 - -
2N4860JTX02 Vishay Siliconix 2N4860JTX02 -
RFQ
 ECAD 7381 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 - 通过洞 TO-206AA，TO-18-3 2N4860 TO-206AA（to-18） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 40 - -
2N4860JTXL02 Vishay Siliconix 2N4860JTXL02 -
RFQ
 ECAD 7180 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 - 通过洞 TO-206AA，TO-18-3 2N4860 TO-206AA（to-18） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 40 - -
2N4860JTXV02 Vishay Siliconix 2N4860JTXV02 -
RFQ
 ECAD 2023 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 - 通过洞 TO-206AA，TO-18-3 2N4860 TO-206AA（to-18） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 40 - -
2N4861JTXL02 Vishay Siliconix 2N4861JTXL02 -
RFQ
 ECAD 1981 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 - 通过洞 TO-206AA，TO-18-3 2N4861 TO-206AA（to-18） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 40 - -
2N4861JTXV02 Vishay Siliconix 2N4861JTXV02 -
RFQ
 ECAD 1214 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 - 通过洞 TO-206AA，TO-18-3 2N4861 TO-206AA（to-18） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 40 - -
2N5114JAN02 Vishay Siliconix 2N5114JAN02 -
RFQ
 ECAD 1721年 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 - 通过洞 TO-206AA，TO-18-3 2N5114 TO-206AA（to-18） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 40 - -
2N5114JTX02 Vishay Siliconix 2N5114JTX02 -
RFQ
 ECAD 3462 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 - 通过洞 TO-206AA，TO-18-3 2N5114 TO-206AA（to-18） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 20 - -
2N5114JTXV02 Vishay Siliconix 2N5114JTXV02 -
RFQ
 ECAD 9281 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 - 通过洞 TO-206AA，TO-18-3 2N5114 TO-206AA（to-18） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 20 - -
2N5115 Vishay Siliconix 2N5115 -
RFQ
 ECAD 4657 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 - 通过洞 TO-206AA，TO-18-3 2N5115 TO-206AA（to-18） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 200 - -
2N5115JTVL02 Vishay Siliconix 2N5115JTVL02 -
RFQ
 ECAD 4741 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 - 通过洞 TO-206AA，TO-18-3 2N5115 TO-206AA（to-18） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 20 - -
2N5116JAN02 Vishay Siliconix 2N5116JAN02 -
RFQ
 ECAD 1064 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 - 通过洞 TO-206AA，TO-18-3 2N5116 TO-206AA（to-18） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 20 - -
2N5116JTVL02 Vishay Siliconix 2N5116JTVL02 -
RFQ
 ECAD 1489 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 积极的 - 通过洞 TO-206AA，TO-18-3 2N5116 TO-206AA（to-18） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 20 - -
2N5116JTXL02 Vishay Siliconix 2N5116JTXL02 -
RFQ
 ECAD 4372 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 积极的 - 通过洞 TO-206AA，TO-18-3 2N5116 TO-206AA（to-18） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 20 - -
2N6660-E3 Vishay Siliconix 2N6660-E3 -
RFQ
 ECAD 7399 0.00000000 Vishay Siliconix - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 到205AD，TO-39-3 2N6660 MOSFET （金属 o化物） TO-205AD（TO-39） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 100 n通道 60 V 990mA（tc） 5V，10V 3ohm @ 1a，10v 2V @ 1mA ±20V 50 pf @ 25 V - （725MW）（6.25W）TC）
2N6660JTXV02 Vishay Siliconix 2N6660JTXV02 -
RFQ
 ECAD 1075 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 到205AD，TO-39-3 2N6660 MOSFET （金属 o化物） TO-205AD（TO-39） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 20 n通道 60 V 990mA（tc） 5V，10V 3ohm @ 1a，10v 2V @ 1mA ±20V 50 pf @ 25 V - （725MW）（6.25W）TC）
2N6661-E3 Vishay Siliconix 2N6661-E3 -
RFQ
 ECAD 5595 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 到205AD，TO-39-3 2N6661 MOSFET （金属 o化物） 到39 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 100 n通道 90 v 860mA（tc） 5V，10V 4ohm @ 1A，10V 2V @ 1mA ±20V 50 pf @ 25 V - （725MW）（6.25W）TC）
2N6661JAN02 Vishay Siliconix 2N6661JAN02 -
RFQ
 ECAD 3321 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 到205AD，TO-39-3 2N6661 MOSFET （金属 o化物） 到39 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 20 n通道 90 v 860mA（tc） 5V，10V 4ohm @ 1A，10V 2V @ 1mA ±20V 50 pf @ 25 V - （725MW）（6.25W）TC）
2N6661JTXL02 Vishay Siliconix 2N6661JTXL02 -
RFQ
 ECAD 8572 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 到205AD，TO-39-3 2N6661 MOSFET （金属 o化物） 到39 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 20 n通道 90 v 860mA（tc） 5V，10V 4ohm @ 1A，10V 2V @ 1mA ±20V 50 pf @ 25 V - （725MW）（6.25W）TC）
3N163-E3 Vishay Siliconix 3N163-E3 -
RFQ
 ECAD 5647 0.00000000 Vishay Siliconix - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-206AF，TO-72-4金属可以 3N163 MOSFET （金属 o化物） 到72 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 200 P通道 40 V 50mA（TA） 20V 250ohm @ 100µA，20V 5V @ 10µA ±30V 3.5 pf @ 15 V - 375MW（TA）
3N164 Vishay Siliconix 3N164 -
RFQ
 ECAD 4665 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-206AF，TO-72-4金属可以 - MOSFET （金属 o化物） 到72 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 200 P通道 30 V 50mA（TA） 20V 300ohm @ 100µA，20V 5V @ 10µA ±30V 3.5 pf @ 15 V - 375MW（TA）
FDMS86255 onsemi FDMS86255 4.3800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN FDMS86 MOSFET （金属 o化物） 8-pqfn（5x6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 150 v 10a（10A），45a（tc） 6V，10V 12.4mohm @ 10a，10v 4V @ 250µA 63 NC @ 10 V ±20V 4480 pf @ 75 V - 2.7W（ta），113W（tc）
CSD19506KCS Texas Instruments CSD19506KC 4.9300
RFQ
 ECAD 323 0.00000000 Texas Instruments NexFet™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 CSD19506 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 80 V 100A（TA） 6V，10V 2.3MOHM @ 100A，10V 3.2V @ 250µA 156 NC @ 10 V ±20V 12200 PF @ 40 V - 375W（TC）
FCH47N60F-F085 onsemi FCH47N60F-F085 18.1300
RFQ
 ECAD 316 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101，SuperFet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 FCH47N60 MOSFET （金属 o化物） TO-247-3 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 47A（TC） 10V 75MOHM @ 47A，10V 5V @ 250µA 250 NC @ 10 V ±30V 8000 PF @ 25 V - 417W（TC）
FCP104N60F onsemi FCP104N60F 6.3200
RFQ
 ECAD 5216 0.00000000 Onmi Hiperfet™，Polar™ 管子 不适合新设计 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 FCP104 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 37A（TC） 10V 104mohm @ 18.5a，10v 5V @ 250µA 145 NC @ 10 V ±20V 6130 PF @ 25 V - 357W（TC）
NGTB20N120IHRWG onsemi NGTB20N120IHRWG 5.8200
RFQ
 ECAD 68 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 NGTB20 标准 384 w TO-247 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 600V，20a，10ohm，15V 沟渠场停止 1200 v 40 a 120 a 2.45V @ 15V，20A 450µJ（离） 225 NC - /235ns
NGTB30N120L2WG onsemi NGTB30N120L2WG 8.3800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Onmi * 管子 积极的 NGTB30 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30
NGTB30N135IHRWG onsemi NGTB30N135IHRWG -
RFQ
 ECAD 9323 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 NGTB30 标准 394 w TO-247 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 600V，30a，10ohm，15V 沟渠场停止 1350 v 60 a 120 a 2.65V @ 15V，30a 850µJ（离） 234 NC - /250NS
NGTB40N120FL2WG onsemi NGTB40N120FL2WG -
RFQ
 ECAD 1936年 0.00000000 Onmi - 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 NGTB40 标准 535 w TO-247 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 600V，40a，10ohm，15V 240 ns 沟渠场停止 1200 v 80 a 200 a 2.4V @ 15V，40a 3.4mj（在）上，1.1MJ off） 313 NC 116NS/286NS
NGTB40N60FLWG onsemi NGTB40N60FLWG -
RFQ
 ECAD 6710 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 NGTB40 标准 257 w TO-247 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 400V，40a，10ohm，15V 77 ns 沟渠场停止 600 v 80 a 160 a 2.1V @ 15V，40a （890µJ）（在），440µJ（OFF）上） 171 NC 85NS/174NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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