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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
MPS8098_D75Z	-	RFQ	3366	Onmi	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	MPS809				625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																				60 V	500 MA							100NA	NPN	400mv @ 5mA，100mA	100 @ 1mA，5V	150MHz
DMP57D5UV-7	-	RFQ	3576	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	DMP57D5UV			MOSFET （金属 o化物）	400MW	SOT-563	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）							50V	160mA		6ohm @ 100mA，4V	1V @ 250µA	-		29pf @ 25V	逻辑级别门
PDTC123JQC-QZ	0.2900	RFQ	5	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装，可润湿的侧面	3-XDFN暴露垫	PDTC123				360兆w	DFN1412D-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	5,000																				50 V	100 ma							100NA	npn-预先偏见	100mV @ 250µA，5mA	100 @ 10mA，5v	230 MHz	2.2 kohms	47科姆斯
HUFA76413DK8	0.3100	RFQ	5694	Fairchild半导体	Ultrafet®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	HUFA76413			MOSFET （金属 o化物）	2.5W（TA）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	291	2 n 通道（双）							60V	5.1A（TC）		49mohm @ 5.1A，10V	3V @ 250µA	23nc @ 10V		620pf @ 25V	逻辑级别门
NDS8858H	0.5300	RFQ	11	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NDS885			MOSFET （金属 o化物）	1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道							30V	6.3a，4.8a		35MOHM @ 4.8A，10V	2.8V @ 250µA	30nc @ 10V		720pf @ 15V	逻辑级别门
MCACL110N08Y-TP	3.0400	RFQ	9	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	MCACL110			MOSFET （金属 o化物）		DFN5060	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道						80 V	110A（TC）	6V，10V	3.9mohm @ 55a，10v	4V @ 250µA	68 NC @ 10 V	±20V	5290 pf @ 40 V	-	125W
NJVMJK44H11TWG	1.0500	RFQ	3375	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-1023，4-LFPAK	NJVMJK44				20 w	LFPAK4（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	3,000																				80 V	8 a							1µA	NPN	1V @ 400mA，8a	60 @ 2a，1V	85MHz
YJL03G10A	0.3800	RFQ	2578	Yangzhou Yangjie电子技术有限公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						100 v	3A（3A）	4.5V，10V	140MOHM @ 3A，10V	3V @ 250µA	4.3 NC @ 10 V	±20V	206 PF @ 50 V	-	1.2W（TA）
FGB40N6S2T	3.4400	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准			290 w	D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	800				390V，20a，3ohm，15v															-	600 v	75 a	180 a	2.7V @ 15V，20A	（115µJ）（在195µJ of）上（OFF）	35 NC	8NS/35NS
2SD1825	0.3100	RFQ	16	Onmi	*	大部分	积极的											下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
BC857SE6327	0.0300	RFQ	4391	Infineon技术	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BC857				250MW	SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,475																				45V	100mA							15NA（icbo）	2 PNP （双）	650mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	250MHz
2SD1651C-CTV-YB	0.4700	RFQ	59	Onmi	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
ZTX749_D27Z	-	RFQ	8519	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	ZTX749				1 w	TO-226	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,000																				25 v	2 a							100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 200mA，2a	100 @ 1A，2V	100MHz
DMN3030LFG-13	-	RFQ	6766	二极管合并	汽车，AEC-Q101	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	DMN3030			MOSFET （金属 o化物）		PowerDI3333-8	下载				31-DMN3030LFG-13	过时的		1		n通道						30 V	5.3a（ta）	4.5V，10V	18mohm @ 10a，10v	2.1V @ 250µA	17.4 NC @ 10 V	±25V	751 PF @ 10 V	-	900MW（TA）
PMST5551,115	0.3300	RFQ	1	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	PMST5551				200兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																				160 v	300 MA							50NA（iCBO）	NPN	200mv @ 5mA，50mA	80 @ 10mA，5V	300MHz
IRF7820pbf	-	RFQ	7291	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001570478	Ear99	8541.29.0095	95		n通道						200 v	3.7a（ta）	10V	78mohm @ 2.2a，10v	5V @ 100µA	44 NC @ 10 V	±20V	1750 pf @ 100 V	-	2.5W（TA）
BC546B	0.0447	RFQ	5561	台湾半导体公司	-	（TB）	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC546				500兆	到92	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BC546BTB	Ear99	8541.21.0095	10,000																				65 v	100 ma							15NA（icbo）	NPN	-	200 @ 2mA，5v	-
IRFS3004-7PPBF	-	RFQ	2470	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6个线索 +选项卡，TO-263CB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（7铅）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						40 V	240a（TC）	10V	1.25MOHM @ 195a，10V	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	9130 PF @ 25 V	-	380W（TC）
IMX1T108	0.1469	RFQ	7697	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457	IMX1				300MW	SMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																				50V	150mA							100NA（ICBO）	2 NPN （双）	400mv @ 5mA，50mA	120 @ 1mA，6v	180MHz
PBSS4160PAN，115	0.5200	RFQ	7117	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	6-UFDFN暴露垫	PBSS4160				510MW	6-Huson（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																				60V	1a							100NA（ICBO）	2 NPN （双）	120MV @ 50mA，500mA	150 @ 500mA，2V	175MHz
MRF8P20140WGHSR3	-	RFQ	4697	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		表面安装	NI-780S-4L	MRF8P20140		1.88GHz〜1.91GHz	ldmos		NI-780S-4L	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935311633128	Ear99	8541.29.0075	250	双重的		-		500 MA	24W	16dB											-									28 V
ECH8660-S-TL-H	-	RFQ	4720	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-	表面安装	8-SMD，平坦的铅	ECH8660			-	-	8-ech	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	-							-	-		-	-	-		-	-
BFS20	0.0363	RFQ	8266	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					200兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2796-BFS20Tr		8541.21.0000	3,000																				20 v	25 ma							100NA（ICBO）	NPN	-	40 @ 7mA，10v	450MHz
SI2129DW-TP	0.4400	RFQ	2	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI2129			MOSFET （金属 o化物）	243MW	SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）							20V	1a		140MOHM @ 1A，4.5V	1V @ 250µA	4.5NC @ 4.5V		327pf @ 10V	-
2SB1140T	0.2000	RFQ	8	Onmi	*	大部分	积极的											-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,480
IRLR8729PBF	-	RFQ	2904	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道						30 V	58A（TC）		8.9mohm @ 25a，10v	2.35V @ 25µA	16 NC @ 4.5 V	±20V	1350 pf @ 15 V	-	55W（TC）
PD55008S-E	10.8779	RFQ	8557	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	40 V			Powerso-10裸露的底部垫	PD55008		500MHz	ldmos		Powerso-10rf （直线直线）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			4a		150 ma	8W	17dB											-									12.5 v
RQ5E025TNTL	0.5200	RFQ	15	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-96	RQ5E025			MOSFET （金属 o化物）		TSMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道						30 V	2.5a（ta）	2.5V，4.5V	92MOHM @ 2.5A，4.5V	1.5V @ 1mA	4.6 NC @ 4.5 V	±12V	220 pf @ 10 V	-	700MW（TA）
SI3853DV-T1-E3	-	RFQ	8860	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3853			MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道						20 v	1.6a（ta）	2.5V，4.5V	200mohm @ 1.8A，4.5V	500mv @ 250µA（250µA））	4 NC @ 4.5 V	±12V		Schottky 二极管（孤立）	830MW（TA）
NTZD3155CT5G	-	RFQ	9126	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	NTZD3155			MOSFET （金属 o化物）	250MW	SOT-563	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000	n和p通道							20V	540mA，430mA		550MOHM @ 540mA，4.5V	1V @ 250µA	2.5NC @ 4.5V		150pf @ 16V	逻辑级别门

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²