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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
MMBTA06W_R1_00001	0.3400	RFQ	2	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	MMBTA06			225兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-MMBTA06W_R1_00001DKR	Ear99	8541.21.0075	3,000																80 V	500 MA						100NA	NPN	250mv @ 10mA，100mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
CMLT3474 BK	-	RFQ	9811	中央半导体公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	CMLT3474			350MW	SOT-563	下载			到达不受影响	1514-CMLT3474BK	Ear99	8541.21.0095	1																25V	1a						100NA（ICBO）	NPN，PNP	450mv @ 100mA，1a	100 @ 500mA，1V	100MHz
BSL207SPL6327HTSA1	-	RFQ	4013	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6			MOSFET （金属 o化物）		PG-TSOP6-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道		20 v	6a（6a）	2.5V，4.5V	41MOHM @ 6A，4.5V	1.2V @ 40µA	20 NC @ 4.5 V	±12V	1007 pf @ 15 V	-	2W（TA）
SQS140ENW-T1_GE3	1.3000	RFQ	9264	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	POWERPAK®1212-8SLW			MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®1212-8SLW	下载		（1 （无限）		742-SQS140ENW-T1_GE3CT	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		40 V	214a（TC）	10V	2.53mohm @ 10a，10v	3.5V @ 250µA	57 NC @ 10 V	±20V	3111 pf @ 25 V	-	197W（TC）
APT39M60J	30.0600	RFQ	5204	微芯片技术	Power MOS 8™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT39M60		MOSFET （金属 o化物）		isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		600 v	42A（TC）	10V	110mohm @ 28a，10v	5V @ 2.5mA	280 NC @ 10 V	±30V	11300 PF @ 25 V	-	480W（TC）
DTA114TCAT116	0.0488	RFQ	9887	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DTA114			200兆	SST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																50 V	100 ma						500NA（ICBO）	pnp-预先偏见	300mv @ 1mA，10mA	100 @ 1mA，5V	250 MHz	10 kohms
mpsa55rlrag	-	RFQ	8268	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	MPSA55			625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																60 V	500 MA						100NA	PNP	250mv @ 10mA，100mA	100 @ 100mA，1V	50MHz
S9012-I-AP	-	RFQ	4129	微商业公司	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	S9012			625兆	到92	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		353-S9012-IAPTB	Ear99	8541.21.0075	2,000																25 v	500 MA						200NA	PNP	600mv @ 50mA，500mA	190 @ 1mA，4V	150MHz
PMV230纪念	0.4400	RFQ	9	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PMV230		MOSFET （金属 o化物）		TO-236AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		60 V	1.5A（TA）	4.5V，10V	222MOHM @ 1.5A，10V	2.7V @ 250µA	4.8 NC @ 10 V	±20V	177 PF @ 30 V	-	480MW（TA），1.45W（tc）
IXYH16N170C	10.8700	RFQ	1	ixys	XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixyh16	标准		310 w	TO-247（IXYH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			850V，16a，10ohm，15V											19 ns	-	1700 v	40 a	100 a	3.8V @ 15V，16a	2.1mj（在）上，1.5mj off）	56 NC	11NS/140NS
TPN4R712MD，L1Q	0.8500	RFQ	4	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPN4R712		MOSFET （金属 o化物）		8-tson Advance（3.1x3.1）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	5,000		P通道		20 v	36a（TC）	2.5V，4.5V	4.7MOHM @ 18A，4.5V	1.2V @ 1mA	65 NC @ 5 V	±12V	4300 PF @ 10 V	-	42W（TC）
PJP12NA60_T0_00001	-	RFQ	6155	Panjit International Inc.	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PJP12		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	-	rohs3符合条件	不适用			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道		600 v	12a（12a）	10V	700mohm @ 6a，10v	4V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±30V	1492 PF @ 25 V	-	225W（TC）
TSM80N950CH C5G	2.7212	RFQ	1602	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSM80		MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道		800 v	6A（TC）	10V	950MOHM @ 3A，10V	4V @ 250µA	19.6 NC @ 10 V	±30V	691 PF @ 100 V	-	110W（TC）
PMZB290Une2yl	0.4100	RFQ	42	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	PMZB290		MOSFET （金属 o化物）		DFN1006B-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10,000		n通道		20 v	1.2A（TA）	1.5V，4.5V	320MOHM @ 1.2A，4.5V	950mv @ 250µA	1.4 NC @ 4.5 V	±8V	46 pf @ 10 V	-	350MW（TA），5.43W（TC）
PMCM6501VPE/S500Z	0.1900	RFQ	4	NXP半导体	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-PMCM6501VPE/S500Z-954			1
DDTC143EKA-7-F	-	RFQ	1416	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DDTC143			200兆	SC-59-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																50 V	100 ma						500NA	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	20 @ 10mA，5v	250 MHz	4.7科姆斯	4.7科姆斯
IXFR200N10P	18.9800	RFQ	290	ixys	Hiperfet™，极性	盒子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFR200		MOSFET （金属 o化物）		ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		100 v	133a（TC）	10V	9MOHM @ 100A，10V	5V @ 8mA	235 NC @ 10 V	±20V	7600 PF @ 25 V	-	300W（TC）
UMT4403U3T106	0.5100	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	UMT4403			200兆	UMT3	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																40 V	600 MA						100NA（ICBO）	PNP	750mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，1V	200MHz
BC549BBK	0.0241	RFQ	5126	diotec半导体	-	盒子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				500兆	到92	下载	rohs3符合条件	不适用		2796-BC549BBK		8541.21.0000	5,000																30 V	100 ma						15NA	NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	300MHz
DMC3071LVT-13	0.0948	RFQ	7607	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	DMC3071		MOSFET （金属 o化物）	700MW（TA）	TSOT-26	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000	n和p通道互补			30V	4.6a（ta），3.3a（ta）		50mohm @ 3.5a，10v，95mohm @ 3.8a，10v	2.5V @ 250µA	4.5nc @ 10V，6.5NC @ 10V		190pf @ 15V，254pf @ 15V	-
AO4447A_102	-	RFQ	9941	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AO44		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		P通道		30 V	18.5a（ta）	4.5V，10V	5.8mohm @ 18.5a，10v	2.2V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	5020 PF @ 15 V	-	3.1W（TA）
STP165N10F4	-	RFQ	8752	Stmicroelectronics	DeepGate™，diveFet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP165		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		100 v	120A（TC）	10V	5.5MOHM @ 60a，10V	4V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	10500 PF @ 25 V	-	315W（TC）
IRFI4228PBF-IR	1.0800	RFQ	280	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB全盘	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	280		n通道		150 v	34A（TC）	10V	16mohm @ 20a，10v	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±30V	4560 pf @ 25 V	-	46W（TC）
TK3R3E08QM，S1X	2.3500	RFQ	82	东芝半导体和存储	U-MOSX-H	管子	积极的	175°C	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道		80 V	120A（TC）	6V，10V	3.3mohm @ 50a，10v	3.5V @ 1.3mA	110 NC @ 10 V	±20V	7670 pf @ 40 V	-	230W（TC）
BC857CWHE3-TP	0.0379	RFQ	6028	微商业公司	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC857			150兆	SOT-323	下载				353-BC857CWHE3-TP	Ear99	8541.21.0075	1																45 v	100 ma						100NA（ICBO）	PNP	650mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	100MHz
STW43N60DM2	6.9400	RFQ	7706	Stmicroelectronics	MDMESH™DM2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW43		MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-16343-5	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	34A（TC）	10V	93mohm @ 17a，10v	5V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±25V	2500 PF @ 100 V	-	250W（TC）
DMTH8008LFG-13	0.4973	RFQ	4753	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn			MOSFET （金属 o化物）		PowerDI3333-8	下载			到达不受影响	31-DMTH8008LFG-13TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		80 V	（17a）（ta），70a （TC）	4.5V，10V	6.9mohm @ 20a，10v	2.5V @ 1mA	37.7 NC @ 10 V	±20V	2254 PF @ 40 V	-	1.2W（ta），50W（TC）
TIPL791A-S	-	RFQ	2577	Bourns Inc.	-	管子	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TIPL791			75 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	12,000																450 v	4 a						5µA	npn-达灵顿	2.5V @ 1A，4A	60 @ 500mA，5V	-
SSM6P40TU，LF	0.4800	RFQ	3853	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	6-SMD，平坦的铅	SSM6P40		MOSFET （金属 o化物）	500MW（TA）	UF6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）			30V	1.4a（ta）		226mohm @ 1A，10V	2V @ 1mA	2.9nc @ 10V		120pf @ 15V	逻辑水平门，4V驱动器
IXFA34N65X3	8.5300	RFQ	4526	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXFA34		MOSFET （金属 o化物）		TO-263AA（IXFA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-ixfa34n65x3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		650 v	34A（TC）	10V	100mohm @ 17a，10v	5.2V @ 2.5mA	29 NC @ 10 V	±20V	2025 PF @ 25 V	-	446W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²