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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
NTMFS4C06NBT1G	1.3500	RFQ	2515	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4			MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道						30 V	20A（20A），69A （TC）	4.5V，10V	4mohm @ 30a，10v	2.1V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±20V	1683 PF @ 15 V	-	2.55W（TA），30.5W（tc）
MPSA10	0.0200	RFQ	7589	Fairchild半导体	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					625兆	TO-92-3	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.21.0095	1,660																				40 V	100 ma							100NA（ICBO）	NPN	-	40 @ 5µA，10V	125MHz
SI7922DN-T1-E3	1.7700	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®1212-8	SI7922			MOSFET （金属 o化物）	1.3W	POWERPAK®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）							100V	1.8a		195mohm @ 2.5a，10v	3.5V @ 250µA	8NC @ 10V		-	逻辑级别门
IPI80N04S403BAKSA1	-	RFQ	6119	Infineon技术	-	大部分	过时的		-			IPI80N			-			-			到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		-							-	-	-	-		-		-	-
PSMN4R2-30MLDX	0.9100	RFQ	3	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-1210，8-LFPAK33（5铅）	PSMN4R2			MOSFET （金属 o化物）		LFPAK33	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道						30 V	70A（TC）	4.5V，10V	4.3mohm @ 25a，10v	2.2V @ 1mA	29.3 NC @ 10 V	±20V	1795 pf @ 15 V	（（（）	65W（TC）
CPH6604-TL-E	0.1400	RFQ	2	Sanyo	*	大部分	积极的											下载		供应商不确定	供应商不确定	2156-CPH6604-TL-E-600057			1
EFC6604R-Tr	-	RFQ	8346	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	6-XFBGA	EFC6604			MOSFET （金属 o化物）	1.6W	6-EFCP（1.9x1.46）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）							-	-		-	-	29nc @ 4.5V		-	逻辑水平门，2.5V
SI2301BDS-T1-E3	0.4600	RFQ	64	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2301			MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道						20 v	2.2A（ta）	2.5V，4.5V	100mohm @ 2.8a，4.5V	950mv @ 250µA	10 NC @ 4.5 V	±8V	375 pf @ 6 V	-	700MW（TA）
NZT751	1.1200	RFQ	1	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	NZT751				1.2 w	SOT-223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	4,000																				60 V	4 a							100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 200mA，2a	40 @ 2a，2v	75MHz
KSE3055T	1.0000	RFQ	8145	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3					600兆	TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	200																				60 V	10 a							700µA	NPN	8V @ 3.3a，10a	20 @ 4A，4V	2MHz
BC817-25W-TP	0.0318	RFQ	2439	微商业公司	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC817				200兆	SOT-323	下载				353-BC817-25W-TP	Ear99	8541.21.0075	1																				45 v	500 MA							100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，1V	100MHz
STP185N55F3	5.6500	RFQ	2	Stmicroelectronics	StripFet™	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP185			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						55 v	120A（TC）	10V	3.8mohm @ 60a，10v	4V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	6800 PF @ 25 V	-	330W（TC）
MTAJ3055EL	0.4700	RFQ	36	Onmi	*	大部分	积极的											-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1
BUK7M20-40HX	0.7700	RFQ	6	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-1210，8-LFPAK33（5铅）	BUK7M20			MOSFET （金属 o化物）		LFPAK33	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道						40 V	25A（TA）	10V	20mohm @ 10a，10v	3.6V @ 1mA	10.2 NC @ 10 V	+20V，-10V	598 pf @ 25 V	-	38W（TA）
NTMS4503NR2G-001	1.0800	RFQ	108	Onmi	*	大部分	积极的					NTMS4503			-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	2,500																-
BUK661R8-30C，118	1.1300	RFQ	1	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道						30 V	120A（TC）	4.5V，10V	1.9mohm @ 25a，10v	2.8V @ 1mA	168 NC @ 10 V	±16V	10918 PF @ 25 V	-	263W（TC）
HUFA753093	-	RFQ	7527	Onmi	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	HUFA75			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400		n通道						55 v	19a（tc）	10V	70mohm @ 19a，10v	4V @ 250µA	24 NC @ 20 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	55W（TC）
ART700FHGJ	174.9300	RFQ	84	Ampleon USA Inc.	-	（CT）	积极的	177 v		底盘安装	SOT-1214C			1MHz〜450MHz	ldmos		SOT1214C	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	100	双重，共同来源		1.4µA		1.2 a	700W	28.6dB											-									55 v
UPA2719GR-E2-AT	0.9400	RFQ	7	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的											-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500
C3M0040120J1-MVF	20.3616	RFQ	9239	Wolfspeed，Inc。	-	管子	积极的											-	rohs3符合条件	不适用			Ear99	8541.29.0095	1
MRF19030LSR5	-	RFQ	1502	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	Ni-400s	MRF19		1.96GHz	ldmos		Ni-400s	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		5A991G	8542.31.0001	50			-		300 MA	30W	13DB											-									26 V
IRF9530SPBF	2.4500	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF9530			MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		P通道						100 v	12A（TC）	10V	300MOHM @ 7.2A，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	860 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），88W（TC）
2SA1037-S	0.0150	RFQ	300	Yangjie技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					200兆	SOT-23	下载	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-2SA1037-STR	Ear99		3,000																				50 V	150 ma							100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 5mA，5mA	270 @ 1mA，6v	120MHz
pmp3906ays-qz	0.5200	RFQ	9	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	PMP3906				230MW	6-TSSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000																				40V	200mA							50NA（iCBO）	2（PNP （双）	400mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	250MHz
FGPF30N30	-	RFQ	5295	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FGPF3	标准			46 W	TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1				-															-	300 v		80 a	1.5V @ 15V，10A	-	39 NC	-
STB18N55M5	-	RFQ	8003	Stmicroelectronics	MDMESH™v	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB18N			MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						550 v	16A（TC）	10V	192MOHM @ 8A，10V	5V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±25V	1260 pf @ 100 V	-	110W（TC）
CP305-2N3019-CT20	150.5200	RFQ	25	中央半导体公司	-	托盘	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死						死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	CP305-2N3019-CT20 PBFRE	Ear99	8541.29.0095	1																				80 V	1 a							10NA（ICBO）	NPN	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	100MHz
DMP31D7LQ-7	0.0600	RFQ	3603	二极管合并	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DMP31			MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载				31-DMP31D7LQ-7	Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道						30 V	580mA（ta）	4.5V，10V	900MOHM @ 420mA，10V	2.6V @ 250µA	0.36 NC @ 4.5 V	±20V	19 pf @ 15 V	-	430MW（TA）
BC338-25-B0 A1	-	RFQ	6810	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）					625兆	到92	-			到达不受影响	1801-BC338-25-B0A1TB	过时的		1																				25 v	800 MA							100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，5V	100MHz
PD54008Tr-E	10.5270	RFQ	1847年	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	25 v			Powerso-10rf 暴露底部垫（ 2个形成的导线）	PD54008		500MHz	ldmos		Powerso-10rf （形成的铅）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	600			5a		150 ma	8W	11.5db											-									7.5 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²