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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
UMZ1NFHATR	0.4800	RFQ	6	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	UMZ1				150MW		UMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																					50V	150mA							100NA（ICBO）			NPN，PNP	400mv @ 5mA，50mA / 500mv @ 5mA，50mA	120 @ 1mA，6v	180MHz，140MHz
SIL3724A-TP	0.4800	RFQ	462	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	SIL3724			MOSFET （金属 o化物）	2W		SOT-23-6L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道							30V	4.5a，3.5a		35mohm @ 3A，10V，90MOHM @ 3A，10V	2.5V @ 250µA	6.08NC @ 15V		315pf @ 10V，365pf @ 10V	-
DSC2001S0L	-	RFQ	6975	松下电子组件	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DSC2001				200兆		mini3-g3-b	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0075	3,000																					50 V	100 ma							100µA			NPN	300mv @ 10mA，100mA	290 @ 2mA，10v	150MHz
IPD90N06S4L05ATMA2	1.6800	RFQ	7852	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD90			MOSFET （金属 o化物）			PG-TO252-3-11	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						60 V	90A（TC）	4.5V，10V	4.6mohm @ 90a，10v	2.2V @ 60µA	110 NC @ 10 V	±16V	8180 pf @ 25 V	-	107W（TC）
AOTF190A60L_001	-	RFQ	7497	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	管子	过时的					AOTF190							-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	785-AOTF190A60L_001	Ear99	8541.29.0095	1,000
SSM6N7002KFU，LXH	0.3800	RFQ	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101，U-Mosvii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SSM6N7002			MOSFET （金属 o化物）	285MW（TA）		US6	下载		（1 （无限）		264-SSM6N7002KFULXHCT	Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）							60V	300mA（TA）		1.5OHM @ 100mA，10v	2.1V @ 250µA	0.6NC @ 4.5V		40pf @ 10V	-
NSVS50030SB3T1G	0.6000	RFQ	3306	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		175°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	NSVS50030				1.1 w		3-CPH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	3,000																						3 a							1µA（ICBO）			PNP	210mv @ 100mA，2a	200 @ 100mA，2V	380MHz
KSD471ACYBU	0.4200	RFQ	5239	Onmi	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	KSD471				800兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																					30 V	1 a							100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 100mA，1a	120 @ 100mA，1V	130MHz
TM3055-TL-E-ON	0.2000	RFQ	59	Onmi	*	大部分	积极的					TM3055			-				-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	700																-
BLF7G20L-200,118	-	RFQ	4217	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	SOT-502A	BLF7G20		1.81GHZ〜1.88GHz	ldmos			SOT502A	下载		（1 （无限）	到达不受影响	934064583118	Ear99	8541.29.0095	100			-		1.62 a	55W	18db											-										28 V
SI6925ADQ-T1-E3	-	RFQ	1125	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6925			MOSFET （金属 o化物）	800MW		8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）							20V	3.3a		45mohm @ 3.9a，4.5V	1.8V @ 250µA	6NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
BLM8D2327S-50pb（g）	-	RFQ	8525	Ampleon USA Inc.	-	托盘	积极的				-	BLM8D2327		-	-			-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响				1	-		-			-	-											-
FS200R12KT4RPBPSA1	-	RFQ	8368	Infineon技术	-	托盘	过时的					FS200R12							-		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	6
APT75GP120J	43.8700	RFQ	7825	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	同位素	APT75GP120				543 w	标准	isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的																			pt	1200 v	128 a		3.9V @ 15V，75a					1 MA	不	7.04 NF @ 25 V
DMN2014LHAB-7	0.5200	RFQ	9650	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-UFDFN暴露垫	DMN2014			MOSFET （金属 o化物）	800MW		U-DFN2030-6（B型）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）公共排水							20V	9a		13mohm @ 4A，4.5V	1.1V @ 250µA	16nc @ 4.5V		1550pf @ 10V	逻辑级别门
DMP2069UFY4-7	0.4600	RFQ	5240	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	DMP2069			MOSFET （金属 o化物）			DFN2015H4-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道						20 v	2.5a（ta）	1.8V，4.5V	54mohm @ 2.5a，4.5V	1V @ 250µA	9.1 NC @ 4.5 V	±8V	214 pf @ 10 V	-	530MW（TA）
DMP6250SFDF-7	0.2741	RFQ	9652	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫	DMP6250			MOSFET （金属 o化物）			U-DFN2020-6（f型）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道						60 V	3.2A（ta）	4.5V，10V	155MOHM @ 2A，10V	3V @ 250µA	8.9 NC @ 10 V	±20V	612 PF @ 20 V	-	800MW（TA）
IRFI4110GPBF	4.0000	RFQ	32	Infineon技术	Hexfet®	管子	不适合新设计		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IRFI4110			MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB全盘	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						100 v	72A（TC）	10V	4.5MOHM @ 43A，10V	4V @ 250µA	290 NC @ 10 V	±20V	9540 pf @ 50 V	-	61W（TC）
SI4436DY-T1-E3	0.9400	RFQ	29	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4436			MOSFET （金属 o化物）			8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						60 V	8A（TC）	4.5V，10V	36mohm @ 4.6A，10V	2.5V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±20V	1100 pf @ 30 V	-	2.5W（ta），5W（（（（（（（）
IXGL200N60B3	-	RFQ	9725	ixys	Genx3™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXGL200	标准			400 w		ISOPLUS264™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25				300V，100A，1OHM，15V																pt	600 v	150 a	600 a	1.5V @ 15V，100a	1.6MJ（在）上，2.9MJ off）	750 NC	44NS/310NS
AOI8N25	0.4160	RFQ	3681	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	AOI8			MOSFET （金属 o化物）			TO-251A	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	785-1454-5	Ear99	8541.29.0095	3,500		n通道						250 v	8A（TC）	10V	560MOHM @ 1.5A，10V	4.3V @ 250µA	7.2 NC @ 10 V	±30V	306 pf @ 25 V	-	78W（TC）
DMP2900UDW-7	0.3500	RFQ	3120	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	DMP2900			MOSFET （金属 o化物）	370MW（TA）		SOT-363	下载			到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）							20V	630ma（ta）		750MOHM @ 430mA，4.5V	1V @ 250µA	0.7NC @ 4.5V		49pf @ 16V	-
AOTL66610	3.8800	RFQ	13	Alpha＆欧米茄半导体公司	Alplosgt™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powersfn	AOTL666			MOSFET （金属 o化物）			托拉	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道						60 V	61A（TA），350a （TC）	6V，10V	1.2MOHM @ 20a，10v	3.6V @ 250µA	145 NC @ 10 V	±20V	7625 PF @ 30 V	-	8.3W（ta），272W（TC）
STF11N65M5	2.2300	RFQ	9	Stmicroelectronics	MDMESH™v	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF11			MOSFET （金属 o化物）			TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						650 v	9A（TC）	10V	480MOHM @ 4.5A，10V	5V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±25V	644 pf @ 100 V	-	25W（TC）
FQB27P06TM	2.0600	RFQ	9234	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FQB27			MOSFET （金属 o化物）			d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		P通道						60 V	27a（TC）	10V	70MOHM @ 13.5A，10V	4V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±25V	1400 pf @ 25 V	-	3.75W（TA），120W（tc）
IXSH30N60BD1	-	RFQ	2679	ixys	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixsh30	标准			200 w		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				480V，30a，4.7Ohm，15V															50 ns	-	600 v	55 a	110 a	2.7V @ 15V，55a	1.5mj（（）	100 NC	30NS/150NS
DMN2029USD-13	0.4000	RFQ	4	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	DMN2029			MOSFET （金属 o化物）	1.2W		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）							20V	5.8a		25mohm @ 6.5a，4.5V	1.5V @ 250µA	18.6nc @ 8v		1171pf @ 10V	逻辑级别门
MMUN2113LT3	-	RFQ	1237	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMUN2113				246兆		SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000																					50 V	100 ma							500NA			pnp-预先偏见	250mv @ 300µA，10mA	80 @ 5mA，10v		47科姆斯	47科姆斯
DDB2U30N08VRBOMA1307	1.0000	RFQ	6912	Infineon技术	-	大部分	积极的		-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块					20兆	标准	模块	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	3独立																			-	600 v	25 a		2.55V @ 15V，20A					1 MA	是的	880 pf @ 25 V
SI6928DQ-T1-E3	-	RFQ	6592	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6928			MOSFET （金属 o化物）	1W		8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）							30V	4a		35mohm @ 4A，10V	1V @ 250µA	14NC @ 5V		-	逻辑级别门

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²