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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）
2SD1936U-AC	0.1500	RFQ	65	Onmi	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	2,049
PDTC123EM，315	0.0300	RFQ	25	NXP半导体	*	大部分	积极的					PDTC123						下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PDTC123EM，315-954			15,000
KSC1507YTU	0.3600	RFQ	30	Fairchild半导体	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				15 W		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0075	50																		300 v	200 µA					100µA（ICBO）				NPN	2V @ 5mA，50mA	120 @ 10mA，10v	80MHz
FDMS3672	-	RFQ	7179	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn			MOSFET （金属 o化物）			8-MLP（5x6），Power56	下载	Rohs不合规		供应商不确定	2156-FDMS3672	Ear99	8541.29.0095	1		n通道				100 v	7.4A（TA），22a （TC）	6V，10V	23mohm @ 7.4a，10v	4V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V	2680 pf @ 50 V	-	2.5W（ta），78W（tc）
IRFS634B_FP001	-	RFQ	6831	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IRFS6		MOSFET （金属 o化物）			TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道				250 v	8.1A（TC）	10V	450MOHM @ 4.05A，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±30V	1000 pf @ 25 V	-	38W（TC）
IRFB7534PBF	2.5400	RFQ	9	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFB7534		MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道				60 V	195a（TC）	6V，10V	2.4MOHM @ 100A，10V	3.7V @ 250µA	279 NC @ 10 V	±20V	10034 pf @ 25 V	-	294W（TC）
J2A020YXS/T0BY425，	-	RFQ	5955	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-	-	-	J2A0					-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	935295719118	过时的	0000.00.0000	12,500		-											-
DMN2004VK-7B	0.0673	RFQ	8007	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	DMN2004		MOSFET （金属 o化物）	250MW（TA）		SOT-563	下载			到达不受影响	31-DMN2004VK-7BTR	Ear99	8541.21.0095	8,000	2 n 通道（双）					20V	540ma（ta）		550MOHM @ 540mA，4.5V	1V @ 250µA	-		150pf @ 16V	-
J177_D27Z	-	RFQ	7115	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	J177			350兆		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000		P通道											-								30 V	1.5 ma @ 15 V	800 mv @ 10 na				300欧姆
AONR62818	0.4816	RFQ	3830	Alpha＆欧米茄半导体公司	Alplosgt™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	AONR628		MOSFET （金属 o化物）			8-DFN-EP（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	785-AONR62818TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道				80 V	18A（18A），50A（50A）（TC）	4.5V，10V	6.6mohm @ 18a，10v	2.3V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±20V	2420 PF @ 40 V	-	4.1W（ta），54W（tc）
STD18N60M6	2.4400	RFQ	2	Stmicroelectronics	MDMESH™M6	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD18		MOSFET （金属 o化物）			D-pak（TO-252）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道				600 v	13A（TC）	10V	280MOHM @ 6.5a，10V	4.75V @ 250µA	16.8 NC @ 10 V	±25V	650 pf @ 100 V	-	110W（TC）
SPD30N08S2-22	-	RFQ	3504	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SPD30N		MOSFET （金属 o化物）			PG-TO252-3-11	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道				75 v	30A（TC）	10V	21.5mohm @ 25a，10v	4V @ 80µA	57 NC @ 10 V	±20V	1950 pf @ 25 V	-	136W（TC）
MSCSM120TAM11CTPAG	1.0000	RFQ	3	微芯片技术	-	管子	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	MSCSM120		（SIC）	1.042kW（TC）		sp6-p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCSM120TAM11CTPAG	Ear99	8541.29.0095	1	6 n通道（3相桥）					1200V（1.2kV）	251A（TC）		10.4mohm @ 120A，20V	2.8V @ 3mA	696nc @ 20V		9060pf @ 1000V	-
2N5245_J35Z	-	RFQ	6193	Onmi	-	大部分	过时的	30 V		通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2N5245	-	JFET			TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000	n通道		15mA	-	-											-
DTA114YUA	0.0240	RFQ	300	Yangjie技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的					DTA114						-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-DTA114YUATR	Ear99		3,000
MVR2N222222AUA	-	RFQ	7915	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅				650兆		UA	-			到达不受影响	150-MVR2N222222AUA			100																		50 V	800 MA					50NA				NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
CPH5614-TL-E-ON	0.3200	RFQ	6	Onmi	*	大部分	积极的					CPH5614		-				-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000														-
MJ10015	12.0000	RFQ	3436	NTE Electronics，Inc	SwitchMode™	包	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3				250 w		TO-3	下载	rohs3符合条件			2368-MJ10015	Ear99	8541.29.0095	1																		400 v	50 a					250µA				npn-达灵顿	5V @ 10a，50a	25 @ 20a，5v	-
2SK3484-S16-AY	0.8500	RFQ	3	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的											下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
STL50N6F7	1.2400	RFQ	8818	Stmicroelectronics	StripFet™F7	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL50		MOSFET （金属 o化物）			PowerFlat™（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道				60 V	60a（TC）	10V	11MOHM @ 7.5A，10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	1035 PF @ 30 V	-	71W（TC）
FDMS7608	0.5100	RFQ	1	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	FDMS7608		MOSFET （金属 o化物）	1W		Power56	下载					Ear99	8542.39.0001	589	2 n 通道（双）					30V	12a，15a		10mohm @ 12a，10v	3V @ 250µA	24NC @ 10V		1510pf @ 15V	逻辑级别门
IRF8721GTRPBF	-	RFQ	7428	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道				30 V	14A（TA）	4.5V，10V	8.5mohm @ 14a，10v	2.35V @ 25µA	12 nc @ 4.5 V	±20V	1040 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
RM8N650HD	0.5200	RFQ	3581	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			TO-263-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM8N650HDTR		8541.10.0080	8,000		n通道				650 v	8A（TC）	10V	450MOHM @ 4A，10V	3.5V @ 250µA		±30V	680 pf @ 50 V	-	80W（TC）
FMMT560TA-50	0.1395	RFQ	5086	二极管合并	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				500兆		SOT-23-3	下载				31-FMMT560TA-50	Ear99	8541.21.0095	3,000																		500 v	150 ma					100NA（ICBO）				PNP	500mv @ 10mA，50mA	100 @ 1mA，10v	60MHz
BCV47QTA	0.0820	RFQ	5374	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCV47			310 MW		SOT-23-3	下载			到达不受影响	31-BCV47QTATR	Ear99	8541.21.0075	3,000																		60 V	500 MA					100NA（ICBO）				npn-达灵顿	1V @ 100µA，100mA	10000 @ 100mA，5V	170MHz
IRFR18N15DTRLP	-	RFQ	4771	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001572838	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道				150 v	18A（TC）		125mohm @ 11a，10v	5.5V @ 250µA	43 NC @ 10 V		900 pf @ 25 V	-
STI45N10F7	2.3900	RFQ	630	Stmicroelectronics	DeepGate™，diplfet™VII	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	STI45N		MOSFET （金属 o化物）			i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道				100 v	45A（TC）	10V	18mohm @ 22.5a，10v	4.5V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	1640 pf @ 50 V	-	60W（TC）
IPP80N06S3-05	-	RFQ	2417	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ipp80n		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道				55 v	80A（TC）	10V	5.4MOHM @ 63A，10V	4V @ 110µA	240 NC @ 10 V	±20V	10760 pf @ 25 V	-	165W（TC）
APTGT50TL601G	65.8500	RFQ	1	微芯片技术	-	大部分	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SP1	APTGT50			176 w	标准	SP1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	三级逆变器																沟渠场停止	600 v	80 a	1.9V @ 15V，50a				250 µA	不	3.15 NF @ 25 V
BCR169WE6327	0.0200	RFQ	54	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			表面安装	SC-70，SOT-323	BCR169			250兆		PG-SOT323-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000																		50 V	100 ma					100NA（ICBO）				pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	120 @ 5mA，5V	200 MHz	4.7科姆斯

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²