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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
IXFN230N20T	37.7000	RFQ	401	ixys	hiperfet™，战沟	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN230			MOSFET （金属 o化物）		SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道						200 v	220A（TC）	10V	7.5MOHM @ 60a，10v	5V @ 8mA	378 NC @ 10 V	±20V	28000 PF @ 25 V	-	1090W（TC）
2N5209RLE	0.0400	RFQ	52	摩托罗拉	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）					625兆	TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	2,000																				50 V	50 mA							50NA（iCBO）	NPN	700mv @ 1mA，10mA	150 @ 10mA，5V	30MHz
NSVPZTA92T1G	0.4700	RFQ	7932	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	NSVPZTA92				1.5 w	SOT-223（TO-261）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																				300 v	500 MA							250NA	PNP	500mv @ 2mA，20mA	40 @ 30mA，10V	50MHz
SGL25N120RUFTU	1.0000	RFQ	6403	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	SGL25N	标准			270 w		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1				600V，25a，10ohm，15V															-	1200 v	40 a	75 a	3V @ 15V，25a	1.6mj（在）上，1.63mj off）	165 NC	30NS/70NS
2C6287	29.4994	RFQ	4612	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的											-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-2C6287			1
IPW90R120C3XKSA1	17.0000	RFQ	7385	Infineon技术	coolmos™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IPW90R120			MOSFET （金属 o化物）		PG-TO247-3-21	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道						900 v	36a（TC）	10V	120mohm @ 26a，10v	3.5V @ 2.9mA	270 NC @ 10 V	±20V	6800 PF @ 100 V	-	417W（TC）
FDB8445-F085	1.0000	RFQ	7636	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	不适用				Ear99	8541.29.0095	800		n通道						40 V	70A（TC）	10V	9MOHM @ 70A，10V	4V @ 250µA	62 NC @ 10 V	±20V	3805 PF @ 25 V	-	92W（TC）
PHB55N03LTA，118	-	RFQ	4559	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	PHB55			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道						25 v	55A（TC）	5V，10V	14mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	20 nc @ 5 V	±20V	950 pf @ 25 V	-	85W（TC）
AFT18S230-12NR3	-	RFQ	3805	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	OM-780-2L2L	AFT18		1.88GHz	ldmos		OM-780-2L2L	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935312781528	Ear99	8541.29.0075	250			-		1.4 a	50W	17.6dB											-									28 V
FQU1N50TU	0.1700	RFQ	2	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA				MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	5,040		n通道						500 v	1.1A（TC）	10V	9ohm @ 550mA，10v	5V @ 250µA	5.5 NC @ 10 V	±30V	150 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
BC846BWQ	0.0250	RFQ	300	Yangjie技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的											-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-BC846BWQTR	Ear99		3,000
IPI80N04S3-06	0.4500	RFQ	1	Infineon技术	*	大部分	过时的											下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
BSZ340N08NS3GATMA1	0.8200	RFQ	52	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSZ340			MOSFET （金属 o化物）		PG-TSDSON-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道						80 V	6A（6A），23A （TC）	6V，10V	34mohm @ 12a，10v	3.5V @ 12µA	9.1 NC @ 10 V	±20V	630 pf @ 40 V	-	2.1W（TA），32W（tc）
ixta48p05t-trl	2.8547	RFQ	5871	ixys	Trechp™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta48			MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixta48p05t-trltr	Ear99	8541.29.0095	800		P通道						50 V	48A（TC）	10V	30mohm @ 24a，10v	4.5V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±15V	3660 pf @ 25 V	-	150W（TC）
BD679A	0.9000	RFQ	2	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD679				40 W	SOT-32-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																				80 V	4 a							500µA	npn-达灵顿	2.8V @ 40mA，2a	750 @ 2a，3v	-
BLC10G22XS-603AVTZ	136.7850	RFQ	8784	Ampleon USA Inc.	-	托盘	积极的	65 v		表面安装	SOT-1258-4	BLC10		2.11GHZ〜2.17GHz	ldmos		SOT1258-4	-	rohs3符合条件			1603-BLC10G22XS-603AVTZ			60	2 n 通道（双）公共来源		2.8µA		2.2 a	687W	15.4dB											-									30 V
2SK4099L	-	RFQ	5656	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SK4099			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FI（LS）	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100		n通道						600 v	6.9a（TC）	10V	940MOHM @ 4A，10V	5V @ 1mA	29 NC @ 10 V	±30V	750 pf @ 30 V	-	2W（TA），35W（tc）（TC）
NDH8304P	0.7000	RFQ	78	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tsop （0.130英寸，3.30mm）	NDH8304			MOSFET （金属 o化物）	800MW	Supersot™-8	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）							20V	2.7a		70MOHM @ 2.7a，4.5V	1V @ 250µA	23nc @ 4.5V		865pf @ 10V	逻辑级别门
RS1G300GNTB	2.1000	RFQ	16	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	RS1G			MOSFET （金属 o化物）		8-hsop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						40 V	30a（TA）	4.5V，10V	2.5MOHM @ 30a，10V	2.5V @ 1mA	56.8 NC @ 10 V	±20V	4230 PF @ 20 V	-	（3W（ta），35W（tc）
TK8A60W5，S5VX	1.7500	RFQ	6899	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK8A60			MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道						600 v	8a（8a）	10V	540MOHM @ 4A，10V	4.5V @ 400µA	22 NC @ 10 V	±30V	590 pf @ 300 V	-	30W（TC）
FDS3601	-	RFQ	4652	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS36			MOSFET （金属 o化物）	900MW	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500	2 n 通道（双）							100V	1.3a		480MOHM @ 1.3A，10V	4V @ 250µA	5NC @ 10V		153pf @ 50V	逻辑级别门
D44VM10	0.8200	RFQ	750	哈里斯公司	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3					50 W	TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	1																				80 V	8 a							10µA	NPN	600mv @ 300mA，6a	40 @ 4A，1V	50MHz
PMST4401,115	-	RFQ	1398	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323					200兆	SOT-323	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-PMST4401,115-954			1																				40 V	600 MA							50NA（iCBO）	NPN	750mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，1V	250MHz
NTMFS5844NLT1G	-	RFQ	1647年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS5844			MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道						60 V	11.2a（ta）	4.5V，10V	12mohm @ 10a，10v	2.3V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	1460 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），107W（tc）
JANSD2N3439	270.2400	RFQ	3352	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/368	大部分	积极的		-55°C 〜200°C	通过洞	到205AD，TO-39-3					800兆	TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-JANSD2N3439			1																				350 v	1 a							2µA	NPN	500mv @ 4mA，50mA	40 @ 20mA，10v	-
SIHF085N60EF-GE3	6.2400	RFQ	4067	Vishay Siliconix	EF	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）					1,000		n通道						600 v	13A（TC）	10V	84mohm @ 17a，10v	5V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±30V	2733 PF @ 100 V	-	35W（TC）
SISA12ADN-T1-GE3	0.8700	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISA12			MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						30 V	25A（TC）	4.5V，10V	4.3mohm @ 10a，10v	2.2V @ 250µA	45 NC @ 10 V	+20V，-16V	2070 pf @ 15 V	-	3.5W（ta），28W（28W）TC）
SSM3H137TU，LF	0.4500	RFQ	30	东芝半导体和存储	U-Mosiv	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C	表面安装	3-SMD，平坦的铅	SSM3H137			MOSFET （金属 o化物）		UFM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道						34 v	2A（TA）	4V，10V	240MOHM @ 1A，10V	1.7V @ 1mA	3 NC @ 10 V	±20V	119 pf @ 10 V	-	800MW（TA）
SFM9110TF	0.4800	RFQ	4	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA				MOSFET （金属 o化物）		SOT-223-4	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	4,000		P通道						100 v	1A（1A）	10V	1.2OHM @ 500mA，10V	4V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±30V	335 pf @ 25 V	-	2.52W（TA）
2SA1371D	0.1000	RFQ	16	Onmi	*	大部分	积极的											下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²