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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
SGP10N60AXKSA1	-	RFQ	2029	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SGP10N60	标准		92 w		pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			400V，10a，25ohm，15V												npt	600 v	20 a	40 a	2.4V @ 15V，10a	320µJ	52 NC	28NS/178NS
FS100R07N2E4B11BOSA1	-	RFQ	7665	Infineon技术	Econopack™2	大部分	在sic中停产	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FS100R07			20兆	标准	模块	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器														沟渠场停止	650 v	125 a		1.95V @ 15V，100a							1 MA	是的	6.2 NF @ 25 V
2N3764	21.0938	RFQ	1859年	微芯片技术	-	大部分	积极的	-55°C 〜200°C	通过洞	TO-206AB，TO-46-3金属可以	2N3764			1 w		TO-46	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																40 V	1.5 a									100NA				PNP	900mv @ 100mA，1a	30 @ 1.5A，5V	-
BC53-16PA，115	-	RFQ	8453	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	3-Powerudfn	BC53			420兆W		3-Huson（2x2）	下载						0000.00.0000	1																80 V	1 a									100NA（ICBO）				PNP	500mv @ 50mA，500mA	63 @ 150mA，2V	145MHz
SI5471DC-T1-GE3	0.7500	RFQ	1050	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5471		MOSFET （金属 o化物）			1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道		20 v	6A（TC）	1.8V，4.5V	20mohm @ 9.1a，4.5V	1.1V @ 250µA	96 NC @ 10 V	±12V	2945 pf @ 10 V	-	2.5W（ta），6.3W（TC）
mpsa13rlrm	-	RFQ	6500	Onmi	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	MPSA13			625兆		TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																30 V	500 MA									100NA（ICBO）				npn-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	10000 @ 100mA，5V	125MHz
RGT50TM65DGC9	3.5200	RFQ	9904	Rohm半导体	-	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	RGT50	标准		47 W		TO-220NFM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			400V，25a，10ohm，15V											58 ns	沟渠场停止	650 v	21 a	75 a	2.1V @ 15V，25a	-	49 NC	27NS/88NS
BUJ403A/DG，127	0.3800	RFQ	2	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				100 W		TO-220AB	下载					Ear99	8541.29.0095	760																550 v	6 a									100µA				NPN	1V @ 400mA，2a	20 @ 500mA，5V	-
FS800R07A2E3IB31BPSA1	-	RFQ	7645	Infineon技术	Hybridpack™2	托盘	过时的				FS800R07						-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	3
KSA1298YMTF	0.2800	RFQ	19	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	KSA1298			200兆		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																25 v	800 MA									100NA（ICBO）				PNP	400mv @ 20mA，500mA	160 @ 100mA，1V	120MHz
PJD2NA1K_L2_00001	-	RFQ	1260	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	PJD2N		MOSFET （金属 o化物）			TO-252	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		1000 v	2A（TA）	10V	9ohm @ 1A，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±30V	385 pf @ 25 V	-	50W（TC）
NJVMJD127T4	-	RFQ	4178	Onmi	-	大部分	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				20 w		DPAK	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500																100 v	8 a									10µA				pnp-达灵顿	4V @ 80mA，8a	1000 @ 4A，4V	-
psmnr90-40ylhx	3.8700	RFQ	7	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-1023，4-LFPAK	PSMNR90		MOSFET （金属 o化物）			LFPAK56; Power-SO8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道		40 V	300A（TA）	4.5V，10V	0.94mohm @ 25a，10v	2.05V @ 1mA	168 NC @ 10 V	±20V	12673 PF @ 20 V	（（（）	333W（TA）
RP1H065SPTR	-	RFQ	3004	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅	RP1H065		MOSFET （金属 o化物）			MPT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道		45 v	6.5A（TA）	4V，10V	31mohm @ 6.5a，10v	3V @ 1mA	28 NC @ 5 V	±20V	3200 PF @ 10 V	-	2W（TA）
MKE11R600DCGFC	-	RFQ	2443	ixys	coolmos™	盒子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	isoplusi5-pak™	MKE11R600		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS I4-PAC™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		600 v	15A（TC）	10V	165mohm @ 12a，10v	3.5V @ 790µA	52 NC @ 10 V	±20V	2000 pf @ 100 V	-	-
SI1056X-T1-E3	-	RFQ	1187	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SI1056		MOSFET （金属 o化物）			SC-89（SOT-563F）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道		20 v	1.32A（TA）	1.8V，4.5V	89mohm @ 1.32a，4.5V	950mv @ 250µA	8.7 NC @ 5 V	±8V	400 pf @ 10 V	-	236MW（TA）
MIC94053YC6TR	-	RFQ	8558	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363			MOSFET （金属 o化物）			SC-70-6	下载					Ear99	8542.39.0001	676		P通道		6 V	2A（TA）	1.8V，4.5V	84mohm @ 100mA，4.5V	1.2V @ 250µA		-6V		-	270MW（TA）
R6530knxc7g	6.6700	RFQ	894	Rohm半导体	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	R6530		MOSFET （金属 o化物）			TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-R6530knxc7g	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		650 v	30a（TA）	10V	140MOHM @ 14.5A，10V	5V @ 960µA	56 NC @ 10 V	±20V	2350 pf @ 25 V	-	86W（TC）
MMDT3946HE3-TP	0.4600	RFQ	5	微商业公司	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	MMDT3946			200MW		SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																40V	200mA									500NA，50NA（ICBO）				NPN，PNP	300mv @ 5mA，50mA / 400mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	300MHz
BSR56	-	RFQ	7320	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BSR56			250兆		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道									-												40 V	50 mA @ 15 V	4 V @ 0.5 NA				25欧姆
IRFR220NTR	-	RFQ	5216	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR220		MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道		200 v	5A（TC）	10V	600mohm @ 2.9a，10v	4V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±20V	300 pf @ 25 V	-	43W（TC）
STW3N170	5.6200	RFQ	8648	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW3N170		MOSFET （金属 o化物）			TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-16332-5	Ear99	8541.21.0095	30		n通道		1700 v	2.6A（TC）	10V	13ohm @ 1.3a，10v	5V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 100 V	-	160MW
SSM6P816R，LF	0.4900	RFQ	5	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	6-SMD，平坦的铅	SSM6P816		MOSFET （金属 o化物）	1.4W（TA）		6-TSOP-F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）			20V	6a（6a）		30.1MOHM @ 4A，4.5V	1V @ 1mA	16.6nc @ 4.5V		1030pf @ 10V	逻辑水平门，1.8V
NVMFS5C410NWFET1G	2.2759	RFQ	8851	Onmi	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的										-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVMFS5C410NWFET1GTR	Ear99	8541.29.0095	1,500
mps222222rlra	-	RFQ	3992	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	MPS222			625兆		TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																30 V	600 MA									10NA（ICBO）				NPN	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	250MHz
CP611-TIP42C-CT	-	RFQ	1671年	中央半导体公司	-	大部分	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死	CP611			2 w		死	下载			到达不受影响	1514-CP611-TIP42C-CT	Ear99	8541.29.0095	1																100 v	6 a									700µA				PNP	1.5V @ 600mA，6a	30 @ 300mA，4V	3MHz
2SD1619T-TD-E	0.1100	RFQ	21	Onmi	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1,000
BC846A-QR	0.0163	RFQ	2728	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，BC846X-Q	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC846			250兆		TO-236AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																65 v	100 ma									15NA（icbo）				NPN	400mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	100MHz
MG17300WB-BN4MM	-	RFQ	7036	Littelfuse Inc.	-	大部分	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块				1650 w	标准	WB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		-MG17300WB-BN4MM	Ear99	8541.29.0095	60	半桥														沟渠场停止	1700 v	375 a		2.45V @ 15V，300A							3 ma	是的	27 NF @ 25 V
FDS9412	0.2700	RFQ	116	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	7.9a（ta）	4.5V，10V	22mohm @ 7.9a，10v	2V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	830 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²