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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
IXFP12N50PM	-	RFQ	4466	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXFP12		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					500 v	6A（TC）	10V	500mohm @ 6a，10v	5.5V @ 1mA	29 NC @ 10 V	±30V	1830 pf @ 25 V	-	50W（TC）
IXFK230N20T	26.4300	RFQ	3307	ixys	hiperfet™，战沟	管子	积极的		-	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK230		MOSFET （金属 o化物）		TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道					200 v	230a（TC）	10V	7.5MOHM @ 60a，10v	5V @ 8mA	378 NC @ 10 V	±20V	28000 PF @ 25 V	-	1670W（TC）
IRFR430ATRRPBF	-	RFQ	7783	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR430		MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					500 v	5A（TC）	10V	1.7OHM @ 3A，10V	4.5V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±30V	490 pf @ 25 V	-	110W（TC）
BLC9G22XS-1220AGWTZ	-	RFQ	9442	Ampleon USA Inc.	BLC	托盘	过时的	65 v		表面安装	SOT-1278-1	BLC9	2.11GHz〜2.2GHz	ldmos		SOT1278-1	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的		20	双重，共同来源		1.4µA	200 MA	120W	17.1db											-			28 V
IXFR230N20T	22.9893	RFQ	2211	ixys	hiperfet™，战沟	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFR230		MOSFET （金属 o化物）		ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道					200 v	156a（TC）	10V	8mohm @ 60a，10v	5V @ 8mA	378 NC @ 10 V	±20V	28000 PF @ 25 V	-	600W（TC）
NTP150N65S3HF	5.1500	RFQ	9211	Onmi	FRFET®，SuperFet®III	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	NTP150		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					650 v	24A（TC）	10V	150MOHM @ 12A，10V	5V @ 540µA	43 NC @ 10 V	±30V	1985 pf @ 400 V	-	192W（TC）
MMBT6428-SB10220	0.0200	RFQ	1676年	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					SOT-23-3	-				2156-MMBT6428-SB10220			12,000																					10NA（ICBO）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	250 @ 100µA，5V	700MHz
SI3454DV	-	RFQ	9310	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6			MOSFET （金属 o化物）		SuperSot™-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	671		n通道					30 V	4.2A（ta）	4.5V，10V	65mohm @ 4.2A，10V	2V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	460 pf @ 15 V	-	800MW（TA）
BC857,215	0.1400	RFQ	115	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC857			250兆	TO-236AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																		45 v	100 ma		15NA（icbo）	PNP	650mv @ 5mA，100mA	125 @ 2mA，5V	100MHz
SI4953ADY-T1-GE3	-	RFQ	4441	Vishay Siliconix	-	（CT）	过时的			表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4953		MOSFET （金属 o化物）	1.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）						30V	3.7a		53MOHM @ 4.9A，10V	1V @ 250µA（250µA）	25nc @ 10V		-	逻辑级别门
MRF7S21170HR5	-	RFQ	4660	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	SOT-957A	MRF7	2.17GHz	ldmos		NI-880H-2L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	50			-	1.4 a	50W	16dB											-			28 V
EMH59T2R	0.0801	RFQ	1426	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-563，SOT-666	EMH59			150MW	EMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000																		50V	100mA		500NA	2 NPN- 预偏（双重）	150MV @ 500µA，5mA	80 @ 5mA，10v	250MHz	10KOHMS	47kohms
NTE190	12.6500	RFQ	12	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	to-202长标签				10 W	to-202n	下载	Rohs不合规			2368-NTE190	Ear99	8541.21.0095	1																		180 v	1 a		100µA（ICBO）	NPN	500mv @ 20mA，200mA	40 @ 10mA，10v	35MHz
IPTG018N10NM5ATMA1	6.1800	RFQ	1	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-powersmd，鸥翼	IPTG018N		MOSFET （金属 o化物）		PG-HSOG-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,800		n通道					100 v	32A（TA），273A TC）	6V，10V	1.8mohm @ 150a，10v	3.8V @ 202µA	152 NC @ 10 V	±20V	11000 PF @ 50 V	-	3.8W（TA），273W（tc）
PBSS5130QAZ	0.0600	RFQ	9	NXP半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	3-XDFN暴露垫				325兆	DFN1010D-3	下载	Rohs不合规		供应商不确定	2156-PBSS5130QAZ			1																		30 V	1 a		100NA	PNP	240mv @ 100mA，1a	250 @ 100mA，2V	170MHz
IXYP30N120C4	15.0810	RFQ	4449	ixys	-	管子	积极的										-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-IXYP30N120C4	Ear99	8541.29.0095	50
PHD97NQ03LT，118	-	RFQ	8451	Nexperia USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	PHD97NQ03		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					25 v	75A（TC）	4.5V，10V	6.3MOHM @ 25A，10V	2.15V @ 1mA	11.7 NC @ 4.5 V	±20V	1570 pf @ 12 V	-	107W（TC）
FDS4559-F085	-	RFQ	1233	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS45		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道						60V	4.5a，3.5a		55MOHM @ 4.5A，10V	3V @ 250µA	18NC @ 10V		650pf @ 25V	逻辑级别门
BCX55-QF	0.1118	RFQ	4920	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA				500兆	SOT-89	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1727-BCX55-qftr	Ear99	8541.21.0075	4,000																		60 V	1 a		100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 50mA，500mA	63 @ 150mA，2V	180MHz
KST14MTF	0.0300	RFQ	287	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	KST14			350兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000																		30 V	300 MA		100NA（ICBO）	npn-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	20000 @ 100mA，5V	125MHz
FQPF4N80	0.8300	RFQ	4136	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	334		n通道					800 v	2.2A（TC）	10V	3.6ohm @ 1.1a，10v	5V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±30V	880 pf @ 25 V	-	43W（TC）
2SA1402E	-	RFQ	3204	Onmi	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	1
TK2P60D（TE16L1，NQ）	-	RFQ	2671	东芝半导体和存储	π-mosvii	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TK2P60		MOSFET （金属 o化物）		PW-MOLD	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道					600 v	2A（TA）	10V	4.3OHM @ 1A，10V	4.4V @ 1mA	7 NC @ 10 V	±30V	280 pf @ 25 V	-	60W（TC）
2SK1399-T2B-A	0.1500	RFQ	83	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的										下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
FJMA790	1.0000	RFQ	2286	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	6-vdfn裸露的垫子	FJMA79			1.56 w	6-microfet（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000																		35 v	2 a		100NA（ICBO）	PNP	450mv @ 50mA，2a	100 @ 1.5A，1.5V	-
BSS138W-TP	0.2800	RFQ	41	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜155°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BSS138		MOSFET （金属 o化物）		SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道					50 V	220mA（ta）	10V	3.5OHM @ 220mA，10V	1.5V @ 1mA		±20V	27 PF @ 25 V	-	300MW（TA）
SPW24N60CFDFKSA1	5.6670	RFQ	2847	Infineon技术	coolmos™	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SPW24N60		MOSFET （金属 o化物）		PG-TO247-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240		n通道					650 v	21.7A（TC）	10V	185mohm @ 15.4a，10v	5V @ 1.2mA	143 NC @ 10 V	±20V	3160 pf @ 25 V	-	240W（TC）
FCP600N60Z	1.1600	RFQ	781	Fairchild半导体	SuperFet®II	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载					Ear99	8542.39.0001	258		n通道					600 v	7.4A（TC）	10V	600MOHM @ 3.7A，10V	3.5V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±20V	1120 PF @ 25 V	-	89W（TC）
MMBT5550-TP	0.2000	RFQ	1	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBT5550			225兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																		140 v	600 MA		100NA（ICBO）	NPN	250mv @ 5mA，50mA	60 @ 10mA，5V	-
2SB1201S-TL-E	0.8900	RFQ	5	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	2SB1201			800兆	TP-FA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	700																		50 V	2 a		100NA（ICBO）	PNP	700mv @ 50mA，1a	100 @ 100mA，2V	150MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²