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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
FDMS7608	0.5100	RFQ	1	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	FDMS7608			MOSFET （金属 o化物）	1W	Power56	下载					Ear99	8542.39.0001	589	2 n 通道（双）							30V	12a，15a		10mohm @ 12a，10v	3V @ 250µA	24NC @ 10V		1510pf @ 15V	逻辑级别门
STL40DN3LLH5	1.4700	RFQ	9258	Stmicroelectronics	StripFet™v	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL40			MOSFET （金属 o化物）	60W	PowerFlat™（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）							30V	40a		18mohm @ 5.5a，10v	1.5V @ 250µA	4.5NC @ 4.5V		475pf @ 25V	-
IRFB4410	-	RFQ	4585	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFB4410	Ear99	8541.29.0095	50		n通道						100 v	96A（TC）	10V	10mohm @ 58a，10v	4V @ 150µA	180 NC @ 10 V	±20V	5150 PF @ 50 V	-	250W（TC）
HGTP20N60A4	-	RFQ	7933	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	HGTP20	标准			290 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50				390V，20a，3ohm，15v															-	600 v	70 a	280 a	2.7V @ 15V，20A	（105µJ）（在150µJ）上（OFF）	142 NC	15NS/73NS
BC848B	0.0182	RFQ	9908	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					250兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2796-BC848BTR		8541.21.0000	3,000																				30 V	100 ma							15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	300MHz
BC856B-AU_R1_000A1	0.1900	RFQ	5	Panjit International Inc.	汽车，AEC-Q101，BC856-AU	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC856				330兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-BC856B-AU_R1_000A1DKR	Ear99	8541.21.0075	3,000																				65 v	100 ma							15NA（icbo）	PNP	650mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	200MHz
IRF3709STRLPBF	1.0000	RFQ	8735	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道						30 V	90A（TC）	4.5V，10V	9mohm @ 15a，10v	3V @ 250µA	41 NC @ 5 V	±20V	2672 PF @ 16 V	-	3.1W（ta），120W（（tc）
MJD32CTM	-	RFQ	4788	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63					1.56 w	TO-252-3（DPAK）	下载	不适用				Ear99	8541.29.0095	2,500																				100 v	3 a							50µA	PNP	1.2V @ 375mA，3a	10 @ 3A，4V	3MHz
NTE2371	8.0600	RFQ	203	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件			2368-NTE2371	Ear99	8541.29.0095	1		P通道						100 v	19a（tc）	10V	200mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	61 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	150W（TC）
BD539A-S	-	RFQ	3643	Bourns Inc.	-	管子	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	BD539				2 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	15,000																				60 V	5 a							300µA	NPN	1.5V @ 1a，5a	12 @ 3a，4v	-
PXAC210552FC-V1-R0	68.3892	RFQ	9508	Wolfspeed，Inc。	*	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计					PXAC210552						下载	Rohs符合条件	（1 （无限）					50
2SD2124STR-E	-	RFQ	9279	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	3,000
NSBA124XDXV6T1G	0.0698	RFQ	1432	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-563，SOT-666	NSBA124				500MW	SOT-563	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000																				50V	100mA							500NA	2 PNP-）	250mv @ 1mA，10mA	80 @ 5mA，10v	-	22KOHMS	47kohms
SIDR104AEEP-T1-RE3	3.0500	RFQ	8	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8				MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SO-8DC	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						100 v	21.1a（ta），90.5a （TC）	7.5V，10V	6.1MOHM @ 15A，10V	4V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±20V	3250 pf @ 50 V	-	6.5W（ta），120W（120W）TC）
IRL8113PBF-IR	-	RFQ	8581	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道						30 V	105A（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 21a，10v	2.25V @ 250µA	35 NC @ 4.5 V	±20V	2840 pf @ 15 V	-	110W（TC）
APT77N60JC3	38.3900	RFQ	452	微芯片技术	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT77N60			MOSFET （金属 o化物）		isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道						600 v	77A（TC）	10V	35mohm @ 60a，10v	3.9V @ 5.4mA	640 NC @ 10 V	±20V	13600 PF @ 25 V	-	568W（TC）
STF20NM60D	-	RFQ	9871	Stmicroelectronics	FDMESH™	管子	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF20			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						600 v	20A（TC）	10V	290MOHM @ 10A，10V	5V @ 250µA	37 NC @ 10 V	±30V	1300 pf @ 25 V	-	45W（TC）
HUF75309T3ST	-	RFQ	9254	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	HUF75			MOSFET （金属 o化物）		SOT-223-4	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						55 v	3A（3A）	10V	70MOHM @ 3A，10V	4V @ 250µA	23 NC @ 20 V	±20V	352 PF @ 25 V	-	1.1W（TA）
AOD254_002	-	RFQ	3532	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AOD25					TO-252（DPAK）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	800									30A（TC）
FDI038AN06A0_NL	3.8100	RFQ	169	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA				MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道						60 V	17a（17a），80A（tc）	6V，10V	3.8mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	124 NC @ 10 V	±20V	6400 PF @ 25 V	-	310W（TC）
IXTP44N25T	-	RFQ	1837年	ixys	沟	管子	积极的		-	通过洞	TO-220-3	ixtp44			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						250 v	44A（TC）		-	-				-	-
FDMB3900AN	-	RFQ	8648	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	FDMB3900			MOSFET （金属 o化物）	800MW	8-MLP，微型FOFET （3x1.9）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）							25V	7a		23mohm @ 7a，10v	3V @ 250µA	17NC @ 10V		890pf @ 13V	逻辑级别门
PDTC124ET-QR	0.0324	RFQ	8006	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PDTC124				250兆	TO-236AB	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1727-PDTC124ET-QRTR	Ear99	8541.21.0075	3,000																				50 V	100 ma							100NA	npn-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	60 @ 5mA，5v	230 MHz	22 KOHMS	22 KOHMS
SIHA21N65EF-GE3	4.7200	RFQ	3706	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载		（1 （无限）		742-SIHA21N65EF-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						650 v	21a（TC）	10V	180mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	106 NC @ 10 V	±30V	2322 PF @ 100 V	-	35W（TC）
MRF18060ALR5	-	RFQ	1982	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	SOT-957A	MRF18		1.81GHZ〜1.88GHz	ldmos		NI-780H-2L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	50			-		500 MA	60W	13DB											-									26 V
IPW65R280E6FKSA1	-	RFQ	3088	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IPW65R			MOSFET （金属 o化物）		PG-TO247-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240		n通道						650 v	13.8A（TC）	10V	280MOHM @ 4.4A，10V	3.5V @ 440µA	45 NC @ 10 V	±20V	950 pf @ 100 V	-	104W（TC）
BC338	0.0400	RFQ	8136	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	258																				25 v	800 MA							100NA	NPN	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
RFP15N08L	0.5700	RFQ	49	哈里斯公司	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道						80 V	15A（TC）	5V	140MOHM @ 7.5A，5V	2.5V @ 1mA	80 NC @ 10 V	±10V		-	72W（TC）
HUF75631SK8	0.9500	RFQ	4	Fairchild半导体	Ultrafet®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道						100 v	5.5A（ta）	10V	39mohm @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	79 NC @ 20 V	±20V	1225 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
IPI09N03LA	-	RFQ	1646年	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI09N			MOSFET （金属 o化物）		pg-to262-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道						25 v	50A（TC）	4.5V，10V	9.2MOHM @ 30a，10V	2V @ 20µA	13 NC @ 5 V	±20V	1642 PF @ 15 V	-	63W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²