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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）
PJD85N03-AU_L2_000A1	0.4455	RFQ	2393	Panjit International Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	PJD85			MOSFET （金属 o化物）			TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-PJD85N03-AU_L2_000A1TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						30 V	16a（16A），85A（tc）	4.5V，10V	3.8mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	23 NC @ 4.5 V	±20V	2436 pf @ 25 V	-	2W（TA），58W（tc）
SPD30N06S2L-13	-	RFQ	3269	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SPD30N			MOSFET （金属 o化物）			PG-TO252-3-11	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						55 v	30A（TC）	4.5V，10V	13mohm @ 30a，10v	2V @ 80µA	69 NC @ 10 V	±20V	2300 PF @ 25 V	-	136W（TC）
BC557BZL1	-	RFQ	3377	Onmi	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	BC557				625兆		TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																					45 v	100 ma							100NA			PNP	650mv @ 5mA，100mA	180 @ 2mA，5v	320MHz
NTTFS4C53NTWG	-	RFQ	6936	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-	表面安装	8-Powerwdfn	NTTFS4			-			8-WDFN（3.3x3.3）	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		-							-		-	-				-	-
BLF7G20L-200,118	-	RFQ	4217	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	SOT-502A	BLF7G20		1.81GHZ〜1.88GHz	ldmos			SOT502A	下载		（1 （无限）	到达不受影响	934064583118	Ear99	8541.29.0095	100			-		1.62 a	55W	18db											-										28 V
APT75GP120J	43.8700	RFQ	7825	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	同位素	APT75GP120				543 w	标准	isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的																			pt	1200 v	128 a		3.9V @ 15V，75a					1 MA	不	7.04 NF @ 25 V
BLS7G2729L-350P，11	-	RFQ	1733年	NXP半导体	-	大部分	积极的												-				2156-BLS7G2729L-350P，11			1
DMN2310UW-7	0.0469	RFQ	5764	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	DMN2310			MOSFET （金属 o化物）			SOT-323	下载			到达不受影响	31-DMN2310UW-7TR	Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道						20 v	1.3a（ta）	1.8V，4.5V	200mohm @ 300mA，4.5V	950mv @ 250µA	0.7 NC @ 4.5 V	±8V	38 pf @ 10 V	-	450MW（TA）
FDB52N20TM	2.6400	RFQ	6423	Onmi	Unifet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FDB52N20			MOSFET （金属 o化物）			d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道						200 v	52A（TC）	10V	49mohm @ 26a，10v	5V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±30V	2900 PF @ 25 V	-	357W（TC）
IRF8707GTRPBF	-	RFQ	8387	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道						30 V	11a（11a）	4.5V，10V	11.9mohm @ 11a，10v	2.35V @ 25µA	9.3 NC @ 4.5 V	±20V	760 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
NSVS50030SB3T1G	0.6000	RFQ	3306	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		175°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	NSVS50030				1.1 w		3-CPH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	3,000																						3 a							1µA（ICBO）			PNP	210mv @ 100mA，2a	200 @ 100mA，2V	380MHz
SQJA76EP-T1_BE3	1.3300	RFQ	3	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8				MOSFET （金属 o化物）			PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						40 V	75A（TC）	10V	2.4mohm @ 10a，10v	3.5V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	5250 pf @ 25 V	-	68W（TC）
FS200R12KT4RPBPSA1	-	RFQ	8368	Infineon技术	-	托盘	过时的					FS200R12							-		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	6
2N6317	-	RFQ	5165	中央半导体公司	-	大部分	过时的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-213AA，TO-66-2					90 W		到66	下载			到达不受影响	1514-2N6317	Ear99	8541.29.0095	1																					60 V	7 a							500µA				2V @ 1.75a，7a	35 @ 500mA，4V	4MHz
IXBT42N300HV	55.2300	RFQ	3538	ixys	Bimosfet™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXBT42	标准			500 w		TO-268HV（IXBT）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				1500V，42A，20欧姆，15V															1.7 µs	-	3000 v	104 a	400 a	3V @ 15V，42a	-	200 NC	72NS/445NS
DDTA144TKA-7-F	-	RFQ	1543年	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DDTA144				200兆		SC-59-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																					50 V	100 ma							500NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，2.5mA	100 @ 1mA，5V	250 MHz	47科姆斯
BC636-16ZL1	0.0400	RFQ	24	Onmi	*	大部分	积极的												下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.21.0075	1
IRFI4110GPBF	4.0000	RFQ	32	Infineon技术	Hexfet®	管子	不适合新设计		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IRFI4110			MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB全盘	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						100 v	72A（TC）	10V	4.5MOHM @ 43A，10V	4V @ 250µA	290 NC @ 10 V	±20V	9540 pf @ 50 V	-	61W（TC）
SIL3724A-TP	0.4800	RFQ	462	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	SIL3724			MOSFET （金属 o化物）	2W		SOT-23-6L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道							30V	4.5a，3.5a		35mohm @ 3A，10V，90MOHM @ 3A，10V	2.5V @ 250µA	6.08NC @ 15V		315pf @ 10V，365pf @ 10V	-
2N3904	0.0241	RFQ	68	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					625兆		到92	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	2796-2N3904TR		8541.21.0000	4,000																					40 V	200 MA							50NA			NPN	300mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	300MHz
BC857,215	0.1400	RFQ	115	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC857				250兆		TO-236AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																					45 v	100 ma							15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	125 @ 2mA，5V	100MHz
MMBT5550-TP	0.2000	RFQ	1	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBT5550				225兆		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																					140 v	600 MA							100NA（ICBO）			NPN	250mv @ 5mA，50mA	60 @ 10mA，5V	-
IPTG018N10NM5ATMA1	6.1800	RFQ	1	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-powersmd，鸥翼	IPTG018N			MOSFET （金属 o化物）			PG-HSOG-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,800		n通道						100 v	32A（TA），273A TC）	6V，10V	1.8mohm @ 150a，10v	3.8V @ 202µA	152 NC @ 10 V	±20V	11000 PF @ 50 V	-	3.8W（TA），273W（tc）
FDS4559-F085	-	RFQ	1233	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS45			MOSFET （金属 o化物）	2W		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道							60V	4.5a，3.5a		55MOHM @ 4.5A，10V	3V @ 250µA	18NC @ 10V		650pf @ 25V	逻辑级别门
STW40N65M2	6.2500	RFQ	4759	Stmicroelectronics	MDMESH™M2	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW40			MOSFET （金属 o化物）			TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-15576-5	Ear99	8541.29.0095	30		n通道						650 v	32A（TC）	10V	99mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	56.5 NC @ 10 V	±25V	2355 PF @ 100 V	-	250W（TC）
BC847DS，115	0.4300	RFQ	2	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457	BC847				380MW		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																					45V	100mA							15NA（icbo）			2 NPN （双）	300mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	100MHz
1月2N6782	-	RFQ	7371	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/556	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	to-205af金属罐				MOSFET （金属 o化物）			到39	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道						100 v	3.5A（TC）	10V	610MOHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	8.1 NC @ 10 V	±20V		-	800MW（TA），15W（tc）
SPW24N60CFDFKSA1	5.6670	RFQ	2847	Infineon技术	coolmos™	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SPW24N60			MOSFET （金属 o化物）			PG-TO247-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240		n通道						650 v	21.7A（TC）	10V	185mohm @ 15.4a，10v	5V @ 1.2mA	143 NC @ 10 V	±20V	3160 pf @ 25 V	-	240W（TC）
VS-70MT060WHTAPBF	-	RFQ	6381	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	托盘	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	12-mtp模块	70MT060				347 w	标准	MTP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	VS70MT060WHTAPBF	Ear99	8541.29.0095	105	半桥																			npt	600 v	100 a		3.4V @ 15V，140a					700 µA	不	8 nf @ 30 V
MRF7S21170HR5	-	RFQ	4660	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	SOT-957A	MRF7		2.17GHz	ldmos			NI-880H-2L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	50			-		1.4 a	50W	16dB											-										28 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²