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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
TK2P60D（TE16L1，NQ）	-	RFQ	2671	东芝半导体和存储	π-mosvii	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TK2P60			MOSFET （金属 o化物）		PW-MOLD	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道						600 v	2A（TA）	10V	4.3OHM @ 1A，10V	4.4V @ 1mA	7 NC @ 10 V	±30V	280 pf @ 25 V	-	60W（TC）
2SK1399-T2B-A	0.1500	RFQ	83	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的											下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
BCX55-QF	0.1118	RFQ	4920	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA					500兆	SOT-89	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1727-BCX55-qftr	Ear99	8541.21.0075	4,000																				60 V	1 a							100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 50mA，500mA	63 @ 150mA，2V	180MHz
IXYP30N120C4	15.0810	RFQ	4449	ixys	-	管子	积极的											-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-IXYP30N120C4	Ear99	8541.29.0095	50
KST14MTF	0.0300	RFQ	287	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	KST14				350兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000																				30 V	300 MA							100NA（ICBO）	npn-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	20000 @ 100mA，5V	125MHz
BUZ102SL	-	RFQ	5703	Infineon技术	Sipmos®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	n通道						55 v	47A（TC）	4.5V，10V	18mohm @ 33a，10v	2V @ 90µA	90 NC @ 10 V	±14V	1730 pf @ 25 V	-	120W（TC）
SI1433DH-T1-E3	-	RFQ	3152	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1433			MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	P通道						30 V	1.9a（ta）	4.5V，10V	150MOHM @ 2.2a，10V	3V @ 100µA	5 NC @ 4.5 V	±20V		-	950MW（TA）
IGC08T65U12QX7SA1	-	RFQ	9953	Infineon技术	*	管子	过时的											-	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	45
PBSS4041PZ-QX	0.3614	RFQ	4262	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA					770兆w	SOT-223	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1727-PBSS4041PZ-QXTR	Ear99	8541.21.0075	1,000																				60 V	5.7 a							100NA	PNP	285MV @ 300mA，6V	200 @ 2a，2v	110MHz
HS2907ATX/TR	10.4937	RFQ	3749	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的											-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-HS2907ATX/TR			1
DXT2014P5-13	0.6400	RFQ	5	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerDi™5	DXT2014				3.2 w	PowerDi™5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	5,000																				140 v	4 a							20NA（ICBO）	PNP	360mv @ 300mA，3a	100 @ 1A，5V	120MHz
FDMS6673BZ	1.0000	RFQ	9931	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN				MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载					Ear99	8542.39.0001	1	P通道						30 V	15.2A（TA），28a （TC）	4.5V，10V	6.8mohm @ 15.2a，10v	3V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±25V	5915 pf @ 15 V	-	2.5W（ta），73W（tc）
LGD8201TH	-	RFQ	8093	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		逻辑			125 w	DPAK	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-LGD8201THTR	Ear99	8541.29.0095	2,500			-																-	440 v	20 a	50 a	1.9V @ 4.5V，20A	-		-
IXXH50N60B3	8.8916	RFQ	1530	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的		-	通过洞	TO-247-3	IXXH50	标准			600 w	TO-247AD（IXXH）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			360V，36a，5ohm，15V																pt	600 v	120 a	200 a	1.8V @ 15V，36a	670µJ（在）上，740µJ（OFF）	70 NC	27n/100ns
IPD06P004NSAUMA1	-	RFQ	1157	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD06P			MOSFET （金属 o化物）		PG-TO252-3-313	-		（1 （无限）	到达不受影响	SP001863518	Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道						60 V	16.4a（TC）	10V	90MOHM @ 16.4a，10V	4V @ 710µA	27 NC @ 10 V	±20V	1100 pf @ 30 V	-	63W（TC）
SCH2816-TL-E	-	RFQ	1898年	Onmi	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	5,000
IRFI9620G	-	RFQ	5746	Vishay Siliconix	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFI9620			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFI9620G	Ear99	8541.29.0095	1,000	P通道						200 v	3A（TC）	10V	1.5OHM @ 1.8A，10V	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	340 pf @ 15 V	-	30W（TC）
NTS4101PT1	-	RFQ	9923	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	NTS410			MOSFET （金属 o化物）		SC-70-3（SOT323）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	P通道						20 v	1.37A（TA）	2.5V，4.5V	120MOHM @ 1A，4.5V	1.5V @ 100µA	9 NC @ 4.5 V	±8V	840 pf @ 20 V	-	329MW（TA）
BUK964R2-60E，118	1.3559	RFQ	5310	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	Buk964			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道						60 V	100A（TC）	5V，10V	3.9mohm @ 25a，10v	2.1V @ 1mA	72 NC @ 5 V	±10V	11380 pf @ 25 V	-	263W（TC）
RJK6012DPE-00＃j3	-	RFQ	3032	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-83	RJK6012			MOSFET （金属 o化物）		ldpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道						600 v	10a（10a）	10V	920MOHM @ 5A，10V	-	30 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	100W（TC）
SPD50N03S2L06T	0.9900	RFQ	1	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SPD50N			MOSFET （金属 o化物）		PG-TO252-3-11	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道						30 V	50A（TC）	4.5V，10V	6.4mohm @ 50a，10v	2V @ 85µA	68 NC @ 10 V	±20V	2530 pf @ 25 V	-	136W（TC）
MRF5S21090HR5	-	RFQ	4248	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	SOT-957A	MRF5		2.11GHz	ldmos		NI-780H-2L	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		5A991G	8541.29.0075	50		-		850 MA	19w	14.5db											-										28 V
CPH3407-TL-E-ON	0.1900	RFQ	12	Onmi	*	大部分	积极的					CPH3407			-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			0000.00.0000	3,000															-
STGW50HF60S	6.0000	RFQ	408	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGW50	标准			284 w	TO-247-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，30a，10ohm，15V																-	600 v	110 a	130 a	1.45V @ 15V，30a	250µJ（在）上，4.2MJ（4.2MJ）	200 NC	50NS/220NS
FDD6670A	1.2800	RFQ	110	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD6670			MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道						30 V	（15a）（TA），66A （TC）	4.5V，10V	8mohm @ 15a，10v	3V @ 250µA	22 NC @ 5 V	±20V	1755 pf @ 15 V	-	3.2W（TA），63W（tc）
STGW28IH125DF	2.8914	RFQ	6452	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGW28	标准			375 w	TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			600V，25a，10ohm，15V																沟渠场停止	1250 v	60 a	120 a	2.5V @ 15V，25a	720µJ（OFF）	114 NC	- /128ns
GPA030A135MN-FDR	-	RFQ	5364	semiq	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		标准			329 w	to-3pn	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1			600V，30a，5ohm，15V															450 ns	沟渠场停止	1350 v	60 a	90 a	2.4V @ 15V，30a	4.4mj（在）上，1.18MJ off）	300 NC	30ns/145ns
EPC2304engrt	8.7500	RFQ	4	EPC	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的											-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000
SI1411DH-T1-GE3	0.9000	RFQ	9266	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1411			MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道						150 v	420mA（TA）	10V	2.6ohm @ 500mA，10v	4.5V @ 100µA	6.3 NC @ 10 V	±20V		-	1W（ta）
FQPF3N90_NL	-	RFQ	8863	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道						900 v	2.1A（TC）	10V	4.25OHM @ 1.05a，10V	5V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±30V	910 PF @ 25 V	-	43W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²