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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
2N6317	-	RFQ	5165	中央半导体公司	-	大部分	过时的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-213AA，TO-66-2					90 W		到66	下载			到达不受影响	1514-2N6317	Ear99	8541.29.0095	1																					60 V	7 a							500µA				2V @ 1.75a，7a	35 @ 500mA，4V	4MHz
IXBT42N300HV	55.2300	RFQ	3538	ixys	Bimosfet™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXBT42	标准			500 w		TO-268HV（IXBT）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				1500V，42A，20欧姆，15V															1.7 µs	-	3000 v	104 a	400 a	3V @ 15V，42a	-	200 NC	72NS/445NS
DDTA144TKA-7-F	-	RFQ	1543年	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DDTA144				200兆		SC-59-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																					50 V	100 ma							500NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，2.5mA	100 @ 1mA，5V	250 MHz	47科姆斯
BC636-16ZL1	0.0400	RFQ	24	Onmi	*	大部分	积极的												下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.21.0075	1
IRFI4110GPBF	4.0000	RFQ	32	Infineon技术	Hexfet®	管子	不适合新设计		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IRFI4110			MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB全盘	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						100 v	72A（TC）	10V	4.5MOHM @ 43A，10V	4V @ 250µA	290 NC @ 10 V	±20V	9540 pf @ 50 V	-	61W（TC）
SIL3724A-TP	0.4800	RFQ	462	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	SIL3724			MOSFET （金属 o化物）	2W		SOT-23-6L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道							30V	4.5a，3.5a		35mohm @ 3A，10V，90MOHM @ 3A，10V	2.5V @ 250µA	6.08NC @ 15V		315pf @ 10V，365pf @ 10V	-
2N3904	0.0241	RFQ	68	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					625兆		到92	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	2796-2N3904TR		8541.21.0000	4,000																					40 V	200 MA							50NA			NPN	300mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	300MHz
BC857,215	0.1400	RFQ	115	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC857				250兆		TO-236AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																					45 v	100 ma							15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	125 @ 2mA，5V	100MHz
MMBT5550-TP	0.2000	RFQ	1	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBT5550				225兆		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																					140 v	600 MA							100NA（ICBO）			NPN	250mv @ 5mA，50mA	60 @ 10mA，5V	-
IPTG018N10NM5ATMA1	6.1800	RFQ	1	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-powersmd，鸥翼	IPTG018N			MOSFET （金属 o化物）			PG-HSOG-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,800		n通道						100 v	32A（TA），273A TC）	6V，10V	1.8mohm @ 150a，10v	3.8V @ 202µA	152 NC @ 10 V	±20V	11000 PF @ 50 V	-	3.8W（TA），273W（tc）
FDS4559-F085	-	RFQ	1233	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS45			MOSFET （金属 o化物）	2W		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道							60V	4.5a，3.5a		55MOHM @ 4.5A，10V	3V @ 250µA	18NC @ 10V		650pf @ 25V	逻辑级别门
STW40N65M2	6.2500	RFQ	4759	Stmicroelectronics	MDMESH™M2	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW40			MOSFET （金属 o化物）			TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-15576-5	Ear99	8541.29.0095	30		n通道						650 v	32A（TC）	10V	99mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	56.5 NC @ 10 V	±25V	2355 PF @ 100 V	-	250W（TC）
BC847DS，115	0.4300	RFQ	2	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457	BC847				380MW		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																					45V	100mA							15NA（icbo）			2 NPN （双）	300mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	100MHz
SPW24N60CFDFKSA1	5.6670	RFQ	2847	Infineon技术	coolmos™	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SPW24N60			MOSFET （金属 o化物）			PG-TO247-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240		n通道						650 v	21.7A（TC）	10V	185mohm @ 15.4a，10v	5V @ 1.2mA	143 NC @ 10 V	±20V	3160 pf @ 25 V	-	240W（TC）
VS-70MT060WHTAPBF	-	RFQ	6381	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	托盘	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	12-mtp模块	70MT060				347 w	标准	MTP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	VS70MT060WHTAPBF	Ear99	8541.29.0095	105	半桥																			npt	600 v	100 a		3.4V @ 15V，140a					700 µA	不	8 nf @ 30 V
MRF7S21170HR5	-	RFQ	4660	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	SOT-957A	MRF7		2.17GHz	ldmos			NI-880H-2L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	50			-		1.4 a	50W	16dB											-										28 V
EMH59T2R	0.0801	RFQ	1426	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-563，SOT-666	EMH59				150MW		EMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000																					50V	100mA							500NA			2 NPN- 预偏（双重）	150MV @ 500µA，5mA	80 @ 5mA，10v	250MHz	10KOHMS	47kohms
UPA2719GR-E2-A	0.9400	RFQ	5	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的												-	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	319
DMT43M8LFV-13	0.3557	RFQ	1507	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	DMT43			MOSFET （金属 o化物）			PowerDI3333-8（UX）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						40 V	87A（TC）	4.5V，10V	4mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	44.4 NC @ 10 V	±20V	3213 PF @ 20 V	-	2.25W（TA）
DTA114TETL	0.0678	RFQ	4855	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-75，SOT-416	DTA114				150兆		EMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																					50 V	100 ma							500NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 1mA，10mA	100 @ 1mA，5V	250 MHz	10 kohms
TPN6R003NL，LQ	0.8800	RFQ	9982	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPN6R003			MOSFET （金属 o化物）			8-tson Advance（3.1x3.1）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						30 V	27a（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 13.5a，10v	2.3V @ 200µA	17 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 15 V	-	700MW（TA），32W （TC）
DMT12H090LFDF4-13	0.3227	RFQ	5445	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-powerxdfn	DMT12			MOSFET （金属 o化物）			X2-DFN2020-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	31-DMT12H090LFDF4-13TR	Ear99	8541.21.0095	10,000		n通道						115 v	3.4a（ta）	3V，10V	90MOHM @ 3.5A，10V	2.2V @ 250µA	6 NC @ 10 V	±12V	251 PF @ 50 V	-	900MW（TA）
IPBE65R145CFD7AATMA1	3.4789	RFQ	7132	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA	IPBE65R			MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-7-11	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						650 v	17a（TC）	10V	145mohm @ 8.5a，10v	4.5V @ 420µA	36 NC @ 10 V	±20V	1694 PF @ 400 V	-	98W（TC）
SI4953ADY-T1-GE3	-	RFQ	4441	Vishay Siliconix	-	（CT）	过时的			表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4953			MOSFET （金属 o化物）	1.1W		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）							30V	3.7a		53MOHM @ 4.9A，10V	1V @ 250µA（250µA）	25nc @ 10V		-	逻辑级别门
2SCR554PHZGT100	0.6900	RFQ	175	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA					500兆		SOT-89	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000																					80 V	1.5 a							1µA（ICBO）			NPN	300mv @ 25mA，500mA	120 @ 100mA，3v	300MHz
DMT3006LPB-13	0.2533	RFQ	4085	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	DMT3006			MOSFET （金属 o化物）			PowerDi5060-8（S）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	DMT3006LPB-13DI	Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）								（11a）（35a ta）（35a tc），14a（ta（50a tc）（TC）（TC）		11.1MOHM @ 11.5A，10V，6MOHM @ 20a，10v	3V @ 250µA				-
APTM50HM75STG	164.9400	RFQ	2832	微芯片技术	-	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP4	APTM50			MOSFET （金属 o化物）	357W		SP4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	4（n n 通道（半桥）							500V	46a		90MOHM @ 23A，10V	5V @ 2.5mA	123nc @ 10V		5600pf @ 25V	-
FQPF4N80	0.8300	RFQ	4136	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）			TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	334		n通道						800 v	2.2A（TC）	10V	3.6ohm @ 1.1a，10v	5V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±30V	880 pf @ 25 V	-	43W（TC）
FCP600N60Z	1.1600	RFQ	781	Fairchild半导体	SuperFet®II	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载					Ear99	8542.39.0001	258		n通道						600 v	7.4A（TC）	10V	600MOHM @ 3.7A，10V	3.5V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±20V	1120 PF @ 25 V	-	89W（TC）
2SB1201S-TL-E	0.8900	RFQ	5	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	2SB1201				800兆		TP-FA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	700																					50 V	2 a							100NA（ICBO）			PNP	700mv @ 50mA，1a	100 @ 100mA，2V	150MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²