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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）
2N5086	-	RFQ	2079	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				1.5 w	到92	下载		供应商不确定	到达受影响	2156-2N5086-600039			1																		50 V	50 mA		50NA（iCBO）	PNP	300mv @ 1mA，10mA	150 @ 1mA，5V	40MHz
2SA2169-H-TL-E	-	RFQ	2785	Onmi	-	大部分	过时的					2SA2169					-	rohs3符合条件		到达不受影响	488-2SA2169-H-TL-E	Ear99	8541.29.0095	1
BC858W-QF	0.0252	RFQ	3088	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323				200兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1727-BC858W-QFTR	Ear99	8541.21.0095	10,000																		30 V	100 ma		15NA（icbo）	PNP	600mv @ 5mA，100mA	125 @ 2mA，5V	100MHz
NTB5405NG	-	RFQ	9309	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NTB54		MOSFET （金属 o化物）		D²Pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					40 V	116a（TC）	5V，10V	5.8mohm @ 40a，10v	3.5V @ 250µA	88 NC @ 10 V	±20V	4000 pf @ 32 V	-	（3w（ta），150w（tc）
KSD362R	0.2000	RFQ	4647	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				40 W	TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,170																		70 v	5 a		20µA（ICBO）	NPN	1V @ 500mA，5a	40 @ 5A，5V	10MHz
DDTB123TC-7-F	-	RFQ	5903	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DDTB123			200兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																		50 V	500 MA		500NA（ICBO）	pnp-预先偏见	300mv @ 2.5mA，50mA	100 @ 5mA，5V	200 MHz	2.2 kohms
BUK7513-75B，127	-	RFQ	6355	Nexperia USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					75 v	75A（TC）	10V	13mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	40 NC @ 10 V	±20V	2644 PF @ 25 V	-	157W（TC）
BUZ30AH	1.0000	RFQ	7250	Infineon技术	Sipmos®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道					200 v	21a（TC）		130MOHM @ 13.5A，10V	4V @ 1mA		±20V	1900 pf @ 25 V	-	125W（TC）
HN1C01FU-Y，LXHF	0.4100	RFQ	6	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	HN1C01			200MW	US6	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000																		50V	150mA		100NA（ICBO）	2 NPN （双）	250mv @ 10mA，100mA	120 @ 2mA，6v	80MHz
SQ4850EY-T1_GE3	1.3700	RFQ	24	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ4850		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					60 V	12A（TC）	4.5V，10V	22mohm @ 6a，5v	2.5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	1250 pf @ 25 V	-	6.8W（TC）
SPP15P10PH	0.5500	RFQ	944	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，SIPMOS®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		P通道					100 v	15A（TC）	10V	240mohm @ 10.6a，10V	2.1V @ 1.54mA	48 NC @ 10 V	±20V	1280 pf @ 25 V	-	128W（TC）
2N5245_L99Z	-	RFQ	7938	Onmi	-	大部分	过时的	30 V				2N5245	-	JFET		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000	n通道		15mA		-	-											-
BCV49-QX	0.1581	RFQ	3434	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	BCV49			1.3 w	SOT-89	-	rohs3符合条件		到达不受影响	1727-BCV49-QXTR	Ear99	8541.29.0075	1,000																		60 V	500 MA		100NA（ICBO）	npn-达灵顿	1V @ 100µA，100mA	10000 @ 100mA，5V	220MHz
BCW31 Tr	-	RFQ	7713	中央半导体公司	-	大部分	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				350兆	SOT-23	下载			到达不受影响	1514-BCW31TR	Ear99	8541.21.0095	1																		20 v	100 ma		-	NPN	250mv @ 500µA，10mA	110 @ 2mA，5V	4MHz
AO4803AL	-	RFQ	1132	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AO4803		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	2（p 通道（双）						30V	5a		46mohm @ 5A，10V	2.5V @ 250µA	11NC @ 10V		520pf @ 15V	逻辑级别门
BSC084P03NS3EGATMA1	-	RFQ	2695	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC084		MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		P通道					30 V	14.9a（ta），78.6a （TC）	6V，10V	8.4mohm @ 50a，10v	3V @ 110µA	57.7 NC @ 10 V	±25V	4240 pf @ 15 V	-	2.5W（TA），69w（tc）
2N5303	4.3200	RFQ	43	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3				200 w	TO-3	下载	rohs3符合条件			2368-2N5303	Ear99	8541.29.0095	1																		80 V	20 a		5mA	NPN	2V @ 4A，20A	15 @ 15a，2v	2MHz
FDB603AL	1.2200	RFQ	39	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					30 V	33A（TC）	4.5V，10V	22mohm @ 25a，10v	3V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±20V	670 pf @ 15 V	-	50W（TC）
NX7002BKWX	0.2400	RFQ	129	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	NX7002		MOSFET （金属 o化物）		SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					60 V	270mA（ta）	5V，10V	2.8ohm @ 200mA，10v	2.1V @ 250µA	1 NC @ 10 V	±20V	23.6 pf @ 10 V	-	310MW（TA），1.67W（tc）
ZXMN7A11KTC	0.9200	RFQ	9	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ZXMN7A11		MOSFET （金属 o化物）		TO-252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					70 v	4.2A（ta）	4.5V，10V	130MOHM @ 4.4A，10V	1V @ 250µA	7.4 NC @ 10 V	±20V	298 pf @ 40 V	-	2.11W（ta）
FCPF11N65_G	-	RFQ	8092	Onmi	-	大部分	过时的					FCPF11					-		不适用	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1								-
KSA1304YTU	0.2400	RFQ	1	Fairchild半导体	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				20 w	TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50																		150 v	1.5 a		10µA（ICBO）	PNP	1.5V @ 50mA，500mA	40 @ 500mA，10V	4MHz
BSS316NH6327XTSA1	0.4200	RFQ	694	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BSS316		MOSFET （金属 o化物）		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道					30 V	1.4a（ta）	4.5V，10V	160MOHM @ 1.4A，10V	2V @ 3.7µA	0.6 NC @ 5 V	±20V	94 pf @ 15 V	-	500MW（TA）
IXTN120P20T	54.3500	RFQ	10	ixys	Trechp™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXTN120		MOSFET （金属 o化物）		SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		P通道					200 v	106a（TC）	10V	30mohm @ 60a，10v	4.5V @ 250µA	740 NC @ 10 V	±15V	73000 PF @ 25 V	-	830W（TC）
DMPH4015SSSQ-13	0.9000	RFQ	2	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	DMPH4015		MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道					40 V	11.4a（ta）	4.5V，10V	11mohm @ 9.8a，10v	2.5V @ 250µA	91 NC @ 10 V	±25V	4234 PF @ 20 V	-	1.8W
RW4E045ATTCL1	0.8100	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	6-Powerufdfn	RW4E045		MOSFET （金属 o化物）		DFN1616-7T	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道					30 V	4.5A（ta）	4.5V，10V	48mohm @ 4.5A，10V	2.5V @ 1mA	11 NC @ 10 V	±20V	485 pf @ 15 V	-	1.5W（TA）
BC55-16PASX	-	RFQ	1555年	NXP半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	3-udfn裸露的垫子				420兆W	DFN2020d-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BC55-16PASX-954	Ear99	8541.21.0075	1																		60 V	1 a		100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 50mA，500mA	63 @ 150mA，2V	180MHz
NTR4171PT3G	-	RFQ	7164	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	NTR417		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000		P通道					30 V	2.2A（ta）	2.5V，10V	75mohm @ 2.2a，10v	1.4V @ 250µA	15.6 NC @ 10 V	±12V	720 PF @ 15 V	-	480MW（TA）
PTRA084808NF-V1-R5	96.0049	RFQ	1294	Wolfspeed，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	105 v		表面安装	HBSOF-6-2	PTRA084808	734MHz〜821MHz	ldmos		pg-hbsof-6-2	下载	Rohs符合条件				Ear99	8541.29.0075	500	双重，共同来源		10µA	450 MA	550W	18.2db											-			48 v
2SC3331T	0.0200	RFQ	6042	Onmi	*	大部分	积极的										下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,229

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²