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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
AON6754	-	RFQ	9093	Alpha＆欧米茄半导体公司	alphamos	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-powersmd，平面线	aon67			MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（5x6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						30 V	52a（ta），85a（tc）	4.5V，10V	1.8mohm @ 20a，10v	2.4V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±20V	2796 pf @ 15 V	（（（）	7.3W（ta），83W（tc）
AOY516	-	RFQ	6970	Alpha＆欧米茄半导体公司	alphamos	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	Aoy51			MOSFET （金属 o化物）		TO-251B	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,500		n通道						30 V	46A（TC）	4.5V，10V	5mohm @ 20a，10v	2.6V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±20V	1333 PF @ 15 V	-	2.5W（ta），50W（50W）（TC）
STP10NM50N	-	RFQ	2083	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP10			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						500 v	7A（TC）	10V	630MOHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±25V	450 pf @ 50 V	-	70W（TC）
SCH1337-TL-HX	-	RFQ	7419	Onmi	-	大部分	过时的		-	-	-	SCH133			-		-	-		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		-							-	-	-	-		-		-	-
BLM7G1822S-80PBGY	59.9900	RFQ	315	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	65 v		表面安装	SOT-1212-2	BLM7		2.17GHz	ldmos		16-HSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	100	双重的		-		240 MA	8W	28DB											-										28 V
HGT1S15N120C3	3.7100	RFQ	4	哈里斯公司	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		标准			164 w	i2pak（（TO-262）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1				-																-	1200 v	35 a	120 a	3.5V @ 15V，15a	-	100 NC	-
KSA940H1TU	-	RFQ	5522	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	KSA940				1.5 w	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																					150 v	1.5 a							10µA（ICBO）	PNP	1.5V @ 50mA，500mA	40 @ 500mA，10V	4MHz
SI4923DY-T1-E3	-	RFQ	2788	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4923			MOSFET （金属 o化物）	1.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）							30V	6.2a		21mohm @ 8.3a，10v	3V @ 250µA	70NC @ 10V		-	逻辑级别门
MKE38P600TLB-TRR	-	RFQ	8430	ixys	-	大部分	积极的		-	表面安装	9-SMD模块	MKE38			-	-	ISOPLUS-SMPD™.b	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	-							-	-		-	-	-		-	-
PTRA084808NF-V1-R5	96.0049	RFQ	1294	Wolfspeed，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	105 v		表面安装	HBSOF-6-2	PTRA084808		734MHz〜821MHz	ldmos		pg-hbsof-6-2	下载	Rohs符合条件				Ear99	8541.29.0075	500	双重，共同来源		10µA		450 MA	550W	18.2db											-										48 v
2N1482	-	RFQ	5206	哈里斯公司	-	大部分	过时的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以					1 w	TO-5AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1																					55 v	1.5 a							5µA（ICBO）	NPN	750mv @ 10mA，200mA	35 @ 200ma，4V
MCG30N03A-TP	0.5500	RFQ	24	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	MCG30			MOSFET （金属 o化物）		DFN3333	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	353-MCG30N03A-TPTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道						30 V	30A（TC）	4.5V，10V	10mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	28 NC @ 10 V	±20V	1020 pf @ 15 V	-	20W（TC）
SPS9600RLE	1.0000	RFQ	3396	Onmi	*	大部分	积极的											-	Rohs不合规	3（168））	到达受影响				2,000
AO3498	-	RFQ	4993	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-SMD，SOT-23-3变体	AO34			MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	785-AO3498Tr	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						30 V	3.8A（TA）	2.5V，10V	55MOHM @ 3.8A，10V	1.5V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±12V	235 pf @ 15 V	-	1.4W（TA）
BUK7520-100A，127	-	RFQ	1638年	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	296		n通道						100 v	63A（TC）	10V	20mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA		±20V	4373 PF @ 25 V	-	200W（TC）
PZT751T1	-	RFQ	1426	Onmi	-	大部分	过时的		-	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	PZT751				800兆	SOT-223（TO-261）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000																					60 V	2 a							100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 200mA，2a	75 @ 1A，2V	75MHz
FQD30N06TF	-	RFQ	2710	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD3			MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道						60 V	22.7A（TC）	10V	45mohm @ 11.4a，10v	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±25V	945 PF @ 25 V	-	2.5W（TA），44W（tc）
MRF9080LR3	-	RFQ	1939年	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	SOT-957A	MRF90		960MHz	ldmos		NI-780H-2L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	250			-		600 MA	70W	18.5db											-										26 V
IPD60R520C6BTMA1	-	RFQ	5233	Infineon技术	Coolmos™C6	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ipd60r			MOSFET （金属 o化物）		pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						600 v	8.1A（TC）	10V	520MOHM @ 2.8A，10V	3.5V @ 230µA	23.4 NC @ 10 V	±20V	512 PF @ 100 V	-	66W（TC）
FGB5N60UNDF	-	RFQ	6364	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FGB5N60	标准			73.5 w	d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800				400V，5A，10OHM，15V															35 ns	npt	600 v	10 a	15 a	2.4V @ 15V，5A	80µJ（在）上，70µJ（70µJ）	12.1 NC	5.4NS/25.4NS
AUIRFL024NTR	-	RFQ	5769	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA				MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载		供应商不确定	到达受影响	2156-AUIRFL024NTR-600047			1		n通道						55 v	2.8A（ta）	10V	75MOHM @ 2.8A，10V	4V @ 250µA	18.3 NC @ 10 V	±20V	400 pf @ 25 V	-	1W（ta）
FS5AS-06-T13 ＃B21	0.6800	RFQ	63	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的					FS5AS			-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	3,000																-
SFM9110TF	-	RFQ	1924年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	SFM911			MOSFET （金属 o化物）		SOT-223-4	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		P通道						100 v	1A（1A）	10V	1.2OHM @ 500mA，10V	4V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±30V	335 pf @ 25 V	-	2.52W（TA）
NTMFS5C646NT1G	1.1651	RFQ	3248	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS5			MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NTMFS5C646NT1GTR	Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道						60 V	20A（20A），93A （TC）	10V	5mohm @ 16a，10v	4V @ 80µA	19.2 NC @ 10 V	±20V	1500 pf @ 10 V	-	3.7W（ta），79w（tc）
FDMD8240L	3.6600	RFQ	6	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	12-Powerwdfn	FDMD8240			MOSFET （金属 o化物）	2.1W	12-Power3.3x5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）							40V	23a		2.6MOHM @ 23A，10V	3V @ 250µA	56nc @ 10V		4230pf @ 20V	-
SCH1301-TL-E	0.0900	RFQ	115	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅				MOSFET （金属 o化物）		6-SCH	-	不适用				Ear99	8541.21.0095	5,000		P通道						12 v	2.4A（TA）		120MOHM @ 1.3A，4.5V	-	6.5 NC @ 4.5 V		450 pf @ 6 V	-	800MW（TA）
SI5441DC-T1-E3	-	RFQ	4826	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5441			MOSFET （金属 o化物）		1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道						20 v	3.9a（ta）	2.5V，4.5V	55mohm @ 3.9a，4.5V	1.4V @ 250µA	22 NC @ 4.5 V	±12V		-	1.3W（TA）
RF4L070BGTCR	1.0900	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	8-Powerudfn	RF4L070			MOSFET （金属 o化物）		DFN2020-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						60 V	7a（ta）	4.5V，10V	27mohm @ 7a，10v	2.5V @ 1mA	7.6 NC @ 10 V	±20V	460 pf @ 30 V	-	2W（TA）
STP16NM50N	-	RFQ	9710	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP16N			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						500 v	15A（TC）	10V	260MOHM @ 7.5A，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±25V	1200 PF @ 50 V	-	125W（TC）
JANTXV2N6800	-	RFQ	8784	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/557	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	to-205af金属罐				MOSFET （金属 o化物）		to-205af（39）	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道						400 v	3A（TC）	10V	1.1OHM @ 3A，10V	4V @ 250µA	34.75 NC @ 10 V	±20V		-	800MW（TA），25W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²