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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 电压 -额定值 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 频率 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | (amp) | 功率 -输出 | 获得 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 噪音图 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STD5NK50Z-1 | - | ![]() | 3812 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | SuperMesh™ | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-251-3,IPAK,TO-251AA | STD5N | MOSFET (金属 o化物) | 我帕克 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | n通道 | 500 v | 4.4A(TC) | 10V | 1.5OHM @ 2.2a,10v | 4.5V @ 50µA | 28 NC @ 10 V | ±30V | 535 pf @ 25 V | - | 70W(TC) | |||||||||||||||||
![]() | SI1033X-T1-GE3 | - | ![]() | 9858 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | SI1033 | MOSFET (金属 o化物) | 250MW | SC-89(SOT-563F) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2(p 通道(双) | 20V | 145mA | 8ohm @ 150mA,4.5V | 1.2V @ 250µA | 1.5NC @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | |||||||||||||||||||
jankcbr2n2222a | - | ![]() | 8789 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜200°C | 通过洞 | TO-206AA,TO-18-3 | 500兆 | TO-18 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANKCBR2N2222A | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 V | 800 MA | 50NA | NPN | 1V @ 50mA,500mA | 100 @ 150mA,10V | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7Y20-30B,115 | 1.0000 | ![]() | 3955 | 0.00000000 | NXP半导体 | 汽车,AEC-Q101,Trenchmos™ | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | SC-100,SOT-669 | MOSFET (金属 o化物) | LFPAK56,Power-SO8 | 下载 | 0000.00.0000 | 1 | n通道 | 30 V | 39.5A(TC) | 10V | 20mohm @ 20a,10v | 4V @ 1mA | 11.2 NC @ 10 V | ±20V | 688 pf @ 25 V | - | 59W(TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | BC807-25QC-QZ | 0.3000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装,可润湿的侧面 | 3-XDFN暴露垫 | 380兆 | DFN1412D-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 5,000 | 45 v | 500 MA | 100NA(ICBO) | PNP | 700mv @ 50mA,500mA | 160 @ 100mA,1V | 80MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | DMC4029SSDQ-13 | 0.3502 | ![]() | 7696 | 0.00000000 | 二极管合并 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | DMC4029 | MOSFET (金属 o化物) | 1.8W(TA) | 8-so | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n和p通道互补 | 40V | (9A)(6.5A)(6.5A) | 24mohm @ 6a,10v,45mohm @ 5a,10v | 3V @ 250µA | 8.8nc @ 4.5V,10.6nc @ 4.5V | 1060pf @ 20v,1154pf @ 20V | - | |||||||||||||||||||
![]() | BSS8402DWQ-13 | 0.1273 | ![]() | 3508 | 0.00000000 | 二极管合并 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | BSS8402 | MOSFET (金属 o化物) | 200mw(ta) | SOT-363 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 31-BSS8402DWQ-13TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 10,000 | n和p通道互补 | 60V,50V | 115ma(ta),130mA(ta) | 13.5ohm @ 500mA,10v,10ohm @ 100mA,5v | 2.5V @ 250µA,2V @ 1mA | - | 50pf @ 25V,45pf @ 25V | - | |||||||||||||||||||
![]() | HUFA76629D3S | - | ![]() | 9110 | 0.00000000 | Onmi | Ultrafet™ | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | HUFA76 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252AA | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,800 | n通道 | 100 v | 20A(TC) | 4.5V,10V | 52MOHM @ 20a,10v | 3V @ 250µA | 46 NC @ 10 V | ±16V | 1285 PF @ 25 V | - | 110W(TC) | ||||||||||||||||||
![]() | FDB52N20TM | 2.6400 | ![]() | 6423 | 0.00000000 | Onmi | Unifet™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | FDB52N20 | MOSFET (金属 o化物) | d²pak(to-263) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 200 v | 52A(TC) | 10V | 49mohm @ 26a,10v | 5V @ 250µA | 63 NC @ 10 V | ±30V | 2900 PF @ 25 V | - | 357W(TC) | |||||||||||||||||
![]() | BC557BZL1 | - | ![]() | 3377 | 0.00000000 | Onmi | - | (TB) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3) | BC557 | 625兆 | TO-92(to-226) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 45 v | 100 ma | 100NA | PNP | 650mv @ 5mA,100mA | 180 @ 2mA,5v | 320MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | PJMH074N60FRC_T0_00601 | 8.3600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | PJMH074 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 600 v | 53A(TC) | 10V | 74MOHM @ 26.5A,10V | 4.5V @ 250µA | 84 NC @ 10 V | ±30V | 3871 PF @ 400 V | - | 446W(TC) | |||||||||||||||||
![]() | 2N6520TA | 1.0000 | ![]() | 5741 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) | 2N6520 | 625兆 | TO-92-3 | 下载 | 0000.00.0000 | 1 | 350 v | 500 MA | 50NA(iCBO) | PNP | 1V @ 5mA,50mA | 20 @ 50mA,10v | 200MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7470TRPBF | 0.6800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 国际整流器 | Hexfet® | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MOSFET (金属 o化物) | 8-so | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 439 | n通道 | 40 V | 10a(10a) | 2.8V,10V | 13mohm @ 10a,10v | 2V @ 250µA | 44 NC @ 4.5 V | ±12V | 3430 PF @ 20 V | - | 2.5W(TA) | |||||||||||||||||||||
![]() | SQJA76EP-T1_BE3 | 1.3300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 40 V | 75A(TC) | 10V | 2.4mohm @ 10a,10v | 3.5V @ 250µA | 100 nc @ 10 V | ±20V | 5250 pf @ 25 V | - | 68W(TC) | |||||||||||||||||||
![]() | IXFK240N15T2 | 21.7200 | ![]() | 1242 | 0.00000000 | ixys | HiperFet™,Trencht2™ | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-264-3,TO-264AA | IXFK240 | MOSFET (金属 o化物) | TO-264AA(IXFK) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | n通道 | 150 v | 240a(TC) | 10V | 5.2MOHM @ 60a,10V | 5V @ 8mA | 460 NC @ 10 V | ±20V | 32000 PF @ 25 V | - | 1250W(TC) | |||||||||||||||||
![]() | MCB30P1200LB-TRR | - | ![]() | 8033 | 0.00000000 | ixys | MCB30P1200LB | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 表面安装 | 9-PowersMD | MCB30P1200 | (SIC) | - | 9-SMPD-B | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 238-MCB30P1200LB-TRRTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 200 | 4(n n 通道(半桥) | 1200V(1.2kV) | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||
![]() | UM6K31NFHATCN | 0.4900 | ![]() | 4516 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | UM6K31 | MOSFET (金属 o化物) | 150MW | UMT6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 60V | 250mA(ta) | 2.4OHM @ 250mA,10V | 2.3V @ 1mA | - | 15pf @ 25V | - | |||||||||||||||||||
![]() | IRF8707GTRPBF | - | ![]() | 8387 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MOSFET (金属 o化物) | 8-so | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n通道 | 30 V | 11a(11a) | 4.5V,10V | 11.9mohm @ 11a,10v | 2.35V @ 25µA | 9.3 NC @ 4.5 V | ±20V | 760 pf @ 15 V | - | 2.5W(TA) | ||||||||||||||||||
![]() | FQPF20N06L | 1.6500 | ![]() | 1545年 | 0.00000000 | Onmi | QFET® | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | FQPF20 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F-3 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 60 V | 15.7A(TC) | 5V,10V | 55mohm @ 7.85a,10V | 2.5V @ 250µA | 13 NC @ 5 V | ±20V | 630 pf @ 25 V | - | 30W(TC) | |||||||||||||||||
![]() | NVMFS5C456NLT1G | - | ![]() | 8851 | 0.00000000 | Onmi | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powertdfn,5个线索 | NVMFS5 | MOSFET (金属 o化物) | 5-DFN (5x6)(8-SOFL) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n通道 | 40 V | 87A(TC) | 4.5V,10V | 3.7MOHM @ 20A,10V | 2V @ 250µA | 18 nc @ 10 V | ±20V | 1600 pf @ 25 V | - | 3.6W(TA),55W(tc) | |||||||||||||||||
![]() | BLC6G27-100,118 | - | ![]() | 3682 | 0.00000000 | Ampleon USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 28 V | 底盘安装 | SOT-895A | BLC6G27 | - | - | SOT-895A | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | 934060917118 | Ear99 | 8541.29.0075 | 100 | - | - | 14W | - | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | BLS7G2729L-350P,11 | - | ![]() | 1733年 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | - | 2156-BLS7G2729L-350P,11 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPD30N06S2L-13 | - | ![]() | 3269 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | SPD30N | MOSFET (金属 o化物) | PG-TO252-3-11 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 55 v | 30A(TC) | 4.5V,10V | 13mohm @ 30a,10v | 2V @ 80µA | 69 NC @ 10 V | ±20V | 2300 PF @ 25 V | - | 136W(TC) | |||||||||||||||||
![]() | NTTFS4C53NTWG | - | ![]() | 6936 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | 表面安装 | 8-Powerwdfn | NTTFS4 | - | 8-WDFN(3.3x3.3) | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | PJD85N03-AU_L2_000A1 | 0.4455 | ![]() | 2393 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | PJD85 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 3757-PJD85N03-AU_L2_000A1TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 16a(16A),85A(tc) | 4.5V,10V | 3.8mohm @ 20a,10v | 2.5V @ 250µA | 23 NC @ 4.5 V | ±20V | 2436 pf @ 25 V | - | 2W(TA),58W(tc) | ||||||||||||||||
![]() | IXFN70N100X | 68.1400 | ![]() | 51 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™,Ultra X | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | IXFN70 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-227B | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | n通道 | 1000 v | 56A(TC) | 10V | 89mohm @ 35a,10v | 6V @ 8mA | 350 NC @ 10 V | ±30V | 9150 PF @ 25 V | - | 1200W(TC) | |||||||||||||||||
NVBGS6D5N15MC | 4.3374 | ![]() | 1802年 | 0.00000000 | Onmi | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-7,D²Pak(6 +选项卡) | NVBGS6 | MOSFET (金属 o化物) | D2PAK(TO-263) | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 150 v | (15a)(ta),121a(tc) | 8V,10V | 7mohm @ 69a,10v | 4.5V @ 379µA | 57 NC @ 10 V | ±20V | 4745 PF @ 75 V | - | 3.7W(TA),238W(tc) | ||||||||||||||||||
![]() | DMC2710UDW-13 | 0.0565 | ![]() | 2152 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | DMC2710 | MOSFET (金属 o化物) | 290MW(TA) | SOT-363 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | DMC2710UDW-13DI | Ear99 | 8541.21.0095 | 10,000 | n和p通道互补 | 20V | 750mA(ta),600mA(ta) | 450MOHM @ 600mA,4.5V,750MOHM @ 430mA,4.5V | 1V @ 250µA | 0.6NC @ 4.5V,0.7NC @ 4.5V | 42pf @ 16v,49pf @ 16V | - | ||||||||||||||||||
![]() | SCT3160KW7TL | 11.2700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-8,D²Pak(7 + Tab),TO-263CA | SCT3160 | sicfet (碳化硅) | TO-263-7 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 1200 v | 17a(TC) | 208MOHM @ 5A,18V | 5.6V @ 2.5mA | 42 NC @ 18 V | +22V,-4V | 398 PF @ 800 V | - | 100W | ||||||||||||||||||
![]() | MTD3N25E1 | 0.4600 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Onmi | * | 大部分 | 积极的 | mtd3n | - | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - |
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