SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 频率 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet (amp) 功率 -输出 获得 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 噪音图 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 当前 -收集器截止(最大) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡
STD5NK50Z-1 STMicroelectronics STD5NK50Z-1 -
RFQ
ECAD 3812 0.00000000 Stmicroelectronics SuperMesh™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-251-3,IPAK,TO-251AA STD5N MOSFET (金属 o化物) 我帕克 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 75 n通道 500 v 4.4A(TC) 10V 1.5OHM @ 2.2a,10v 4.5V @ 50µA 28 NC @ 10 V ±30V 535 pf @ 25 V - 70W(TC)
SI1033X-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1033X-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 9858 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-563,SOT-666 SI1033 MOSFET (金属 o化物) 250MW SC-89(SOT-563F) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2(p 通道(双) 20V 145mA 8ohm @ 150mA,4.5V 1.2V @ 250µA 1.5NC @ 4.5V - 逻辑级别门
JANKCBR2N2222A Microchip Technology jankcbr2n2222a -
RFQ
ECAD 8789 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜200°C 通过洞 TO-206AA,TO-18-3 500兆 TO-18 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANKCBR2N2222A Ear99 8541.21.0095 1 50 V 800 MA 50NA NPN 1V @ 50mA,500mA 100 @ 150mA,10V -
BUK7Y20-30B,115 NXP Semiconductors BUK7Y20-30B,115 1.0000
RFQ
ECAD 3955 0.00000000 NXP半导体 汽车,AEC-Q101,Trenchmos™ 大部分 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 SC-100,SOT-669 MOSFET (金属 o化物) LFPAK56,Power-SO8 下载 0000.00.0000 1 n通道 30 V 39.5A(TC) 10V 20mohm @ 20a,10v 4V @ 1mA 11.2 NC @ 10 V ±20V 688 pf @ 25 V - 59W(TC)
BC807-25QC-QZ Nexperia USA Inc. BC807-25QC-QZ 0.3000
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装,可润湿的侧面 3-XDFN暴露垫 380兆 DFN1412D-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 5,000 45 v 500 MA 100NA(ICBO) PNP 700mv @ 50mA,500mA 160 @ 100mA,1V 80MHz
DMC4029SSDQ-13 Diodes Incorporated DMC4029SSDQ-13 0.3502
RFQ
ECAD 7696 0.00000000 二极管合并 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) DMC4029 MOSFET (金属 o化物) 1.8W(TA) 8-so 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道互补 40V (9A)(6.5A)(6.5A) 24mohm @ 6a,10v,45mohm @ 5a,10v 3V @ 250µA 8.8nc @ 4.5V,10.6nc @ 4.5V 1060pf @ 20v,1154pf @ 20V -
BSS8402DWQ-13 Diodes Incorporated BSS8402DWQ-13 0.1273
RFQ
ECAD 3508 0.00000000 二极管合并 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 BSS8402 MOSFET (金属 o化物) 200mw(ta) SOT-363 下载 (1 (无限) 到达不受影响 31-BSS8402DWQ-13TR Ear99 8541.21.0095 10,000 n和p通道互补 60V,50V 115ma(ta),130mA(ta) 13.5ohm @ 500mA,10v,10ohm @ 100mA,5v 2.5V @ 250µA,2V @ 1mA - 50pf @ 25V,45pf @ 25V -
HUFA76629D3S onsemi HUFA76629D3S -
RFQ
ECAD 9110 0.00000000 Onmi Ultrafet™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 HUFA76 MOSFET (金属 o化物) TO-252AA 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,800 n通道 100 v 20A(TC) 4.5V,10V 52MOHM @ 20a,10v 3V @ 250µA 46 NC @ 10 V ±16V 1285 PF @ 25 V - 110W(TC)
FDB52N20TM onsemi FDB52N20TM 2.6400
RFQ
ECAD 6423 0.00000000 Onmi Unifet™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB FDB52N20 MOSFET (金属 o化物) d²pak(to-263) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 200 v 52A(TC) 10V 49mohm @ 26a,10v 5V @ 250µA 63 NC @ 10 V ±30V 2900 PF @ 25 V - 357W(TC)
BC557BZL1 onsemi BC557BZL1 -
RFQ
ECAD 3377 0.00000000 Onmi - (TB) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3) BC557 625兆 TO-92(to-226) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 45 v 100 ma 100NA PNP 650mv @ 5mA,100mA 180 @ 2mA,5v 320MHz
PJMH074N60FRC_T0_00601 Panjit International Inc. PJMH074N60FRC_T0_00601 8.3600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 PJMH074 MOSFET (金属 o化物) TO-247AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 53A(TC) 10V 74MOHM @ 26.5A,10V 4.5V @ 250µA 84 NC @ 10 V ±30V 3871 PF @ 400 V - 446W(TC)
2N6520TA Fairchild Semiconductor 2N6520TA 1.0000
RFQ
ECAD 5741 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) 2N6520 625兆 TO-92-3 下载 0000.00.0000 1 350 v 500 MA 50NA(iCBO) PNP 1V @ 5mA,50mA 20 @ 50mA,10v 200MHz
IRF7470TRPBF International Rectifier IRF7470TRPBF 0.6800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 国际整流器 Hexfet® 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) MOSFET (金属 o化物) 8-so 下载 Ear99 8542.39.0001 439 n通道 40 V 10a(10a) 2.8V,10V 13mohm @ 10a,10v 2V @ 250µA 44 NC @ 4.5 V ±12V 3430 PF @ 20 V - 2.5W(TA)
SQJA76EP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJA76EP-T1_BE3 1.3300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 PowerPak®SO-8 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®SO-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 40 V 75A(TC) 10V 2.4mohm @ 10a,10v 3.5V @ 250µA 100 nc @ 10 V ±20V 5250 pf @ 25 V - 68W(TC)
IXFK240N15T2 IXYS IXFK240N15T2 21.7200
RFQ
ECAD 1242 0.00000000 ixys HiperFet™,Trencht2™ 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-264-3,TO-264AA IXFK240 MOSFET (金属 o化物) TO-264AA(IXFK) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 150 v 240a(TC) 10V 5.2MOHM @ 60a,10V 5V @ 8mA 460 NC @ 10 V ±20V 32000 PF @ 25 V - 1250W(TC)
MCB30P1200LB-TRR IXYS MCB30P1200LB-TRR -
RFQ
ECAD 8033 0.00000000 ixys MCB30P1200LB 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 表面安装 9-PowersMD MCB30P1200 (SIC) - 9-SMPD-B - rohs3符合条件 到达不受影响 238-MCB30P1200LB-TRRTR Ear99 8541.29.0095 200 4(n n 通道(半桥) 1200V(1.2kV) - - - - - -
UM6K31NFHATCN Rohm Semiconductor UM6K31NFHATCN 0.4900
RFQ
ECAD 4516 0.00000000 Rohm半导体 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 UM6K31 MOSFET (金属 o化物) 150MW UMT6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道(双) 60V 250mA(ta) 2.4OHM @ 250mA,10V 2.3V @ 1mA - 15pf @ 25V -
IRF8707GTRPBF Infineon Technologies IRF8707GTRPBF -
RFQ
ECAD 8387 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) MOSFET (金属 o化物) 8-so 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 n通道 30 V 11a(11a) 4.5V,10V 11.9mohm @ 11a,10v 2.35V @ 25µA 9.3 NC @ 4.5 V ±20V 760 pf @ 15 V - 2.5W(TA)
FQPF20N06L onsemi FQPF20N06L 1.6500
RFQ
ECAD 1545年 0.00000000 Onmi QFET® 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 FQPF20 MOSFET (金属 o化物) TO-220F-3 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 60 V 15.7A(TC) 5V,10V 55mohm @ 7.85a,10V 2.5V @ 250µA 13 NC @ 5 V ±20V 630 pf @ 25 V - 30W(TC)
NVMFS5C456NLT1G onsemi NVMFS5C456NLT1G -
RFQ
ECAD 8851 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 8-Powertdfn,5个线索 NVMFS5 MOSFET (金属 o化物) 5-DFN (5x6)(8-SOFL) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 40 V 87A(TC) 4.5V,10V 3.7MOHM @ 20A,10V 2V @ 250µA 18 nc @ 10 V ±20V 1600 pf @ 25 V - 3.6W(TA),55W(tc)
BLC6G27-100,118 Ampleon USA Inc. BLC6G27-100,118 -
RFQ
ECAD 3682 0.00000000 Ampleon USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 28 V 底盘安装 SOT-895A BLC6G27 - - SOT-895A - (1 (无限) 到达不受影响 934060917118 Ear99 8541.29.0075 100 - - 14W - -
BLS7G2729L-350P,11 NXP Semiconductors BLS7G2729L-350P,11 -
RFQ
ECAD 1733年 0.00000000 NXP半导体 - 大部分 积极的 - 2156-BLS7G2729L-350P,11 1
SPD30N06S2L-13 Infineon Technologies SPD30N06S2L-13 -
RFQ
ECAD 3269 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 SPD30N MOSFET (金属 o化物) PG-TO252-3-11 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 55 v 30A(TC) 4.5V,10V 13mohm @ 30a,10v 2V @ 80µA 69 NC @ 10 V ±20V 2300 PF @ 25 V - 136W(TC)
NTTFS4C53NTWG onsemi NTTFS4C53NTWG -
RFQ
ECAD 6936 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 - 表面安装 8-Powerwdfn NTTFS4 - 8-WDFN(3.3x3.3) - (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 - - - - - -
PJD85N03-AU_L2_000A1 Panjit International Inc. PJD85N03-AU_L2_000A1 0.4455
RFQ
ECAD 2393 0.00000000 Panjit International Inc. 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 PJD85 MOSFET (金属 o化物) TO-252 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3757-PJD85N03-AU_L2_000A1TR Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 16a(16A),85A(tc) 4.5V,10V 3.8mohm @ 20a,10v 2.5V @ 250µA 23 NC @ 4.5 V ±20V 2436 pf @ 25 V - 2W(TA),58W(tc)
IXFN70N100X IXYS IXFN70N100X 68.1400
RFQ
ECAD 51 0.00000000 ixys Hiperfet™,Ultra X 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 IXFN70 MOSFET (金属 o化物) SOT-227B 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 1000 v 56A(TC) 10V 89mohm @ 35a,10v 6V @ 8mA 350 NC @ 10 V ±30V 9150 PF @ 25 V - 1200W(TC)
NVBGS6D5N15MC onsemi NVBGS6D5N15MC 4.3374
RFQ
ECAD 1802年 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 上次购买 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-7,D²Pak(6 +选项卡) NVBGS6 MOSFET (金属 o化物) D2PAK(TO-263) - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 150 v (15a)(ta),121a(tc) 8V,10V 7mohm @ 69a,10v 4.5V @ 379µA 57 NC @ 10 V ±20V 4745 PF @ 75 V - 3.7W(TA),238W(tc)
DMC2710UDW-13 Diodes Incorporated DMC2710UDW-13 0.0565
RFQ
ECAD 2152 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 DMC2710 MOSFET (金属 o化物) 290MW(TA) SOT-363 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 DMC2710UDW-13DI Ear99 8541.21.0095 10,000 n和p通道互补 20V 750mA(ta),600mA(ta) 450MOHM @ 600mA,4.5V,750MOHM @ 430mA,4.5V 1V @ 250µA 0.6NC @ 4.5V,0.7NC @ 4.5V 42pf @ 16v,49pf @ 16V -
SCT3160KW7TL Rohm Semiconductor SCT3160KW7TL 11.2700
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 175°C(TJ) 表面安装 TO-263-8,D²Pak(7 + Tab),TO-263CA SCT3160 sicfet (碳化硅) TO-263-7 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 1200 v 17a(TC) 208MOHM @ 5A,18V 5.6V @ 2.5mA 42 NC @ 18 V +22V,-4V 398 PF @ 800 V - 100W
MTD3N25E1 onsemi MTD3N25E1 0.4600
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 mtd3n - 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 1 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库