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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
IRF3709ZCLPBF	-	RFQ	3522	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）			TO-262	下载		（1 （无限）	到达不受影响	*IRF3709ZCLPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	30 V	87A（TC）	4.5V，10V	6.3MOHM @ 21a，10V	2.25V @ 250µA	26 NC @ 4.5 V	±20V	2130 PF @ 15 V	-	79W（TC）
NTMFS4927NT3G	0.5700	RFQ	3	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4927	MOSFET （金属 o化物）			5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	30 V	7.9a（ta），38a tc）	4.5V，10V	7.3mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±20V	913 PF @ 15 V	-	（920MW）（TA），20.8W tc）
IRFH7921TRPBF-IR	0.3600	RFQ	11	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）			PQFN（5x6）单个死亡	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道	30 V	（15a）（34A （TC）（TC）	4.5V，10V	8.5mohm @ 15a，10v	2.35V @ 25µA	14 NC @ 4.5 V	±20V	1210 pf @ 15 V	-	3.1W（TA）
2PS12017E34W32132NOSA1	-	RFQ	9621	Infineon技术	-	托盘	过时的	-25°C〜55°C	底盘安装	模块	2PS12017			标准	模块	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8543.70.9860	1	三相逆变器												-			-		不
TW015N120C，S1F	68.0400	RFQ	2613	东芝半导体和存储	-	管子	积极的	175°C	通过洞	TO-247-3		sicfet （碳化硅）			TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30		n通道	1200 v	100A（TC）	18V	20mohm @ 50a，18v	5V @ 11.7mA	158 NC @ 18 V	+25V，-10V	6000 PF @ 800 V	-	431W（TC）
BSO110N03MSGXUMA1	0.4009	RFQ	2	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	BSO110	MOSFET （金属 o化物）			PG-DSO-8	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	10a（10a）	4.5V，10V	11MOHM @ 12.1a，10V	2V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	1500 pf @ 15 V	-	1.56W（TA）
UMD6N	0.0300	RFQ	300	Yangjie技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-umd6ntr	Ear99		3,000
SQUN700E-T1_GE3	2.4400	RFQ	5083	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	死	SQUN700	MOSFET （金属 o化物）	50W（TC），48W（tc）		死	下载		（1 （无限）		742平方米700E-T1_GE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,000	2 n 通道（双），p通道		200V，40V	16A（TC），30A （TC）		9.2MOHM @ 9.8A，10V，75MOHM @ 5A，10V，30MOHM @ 6A，10V	3.5V @ 250µA，2.5V @ 250µA	23nc @ 10v，11nc @ 10v，30.2nc @ 10v		1474pf @ 20v，600pf @ 100v，1302pf @ 100V	-
PMP5501V，115	0.3700	RFQ	6672	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	PMP5501		300MW		SOT-666	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	4,000														45V	100mA		15NA（icbo）		2（PNP （双）	400mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	175MHz
IPA60R145CFD7XKSA1	4.2900	RFQ	9440	Infineon技术	-	管子	积极的	-	-	-	IPA60R	-			-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		-		9A（TC）	-	-	-		-		-	-
NVC6S5A444NLZT2G	-	RFQ	4625	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	NVC6S5	MOSFET （金属 o化物）			6-CPH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	60 V	3.5A（ta）	4.5V，10V	78MOHM @ 2A，10V	2.6V @ 1mA	10 NC @ 10 V	±20V	505 pf @ 20 V	-	970MW（TA）
IXFA76N15T2-TRL	3.8409	RFQ	7266	ixys	HiperFet™，Trencht2™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXFA76	MOSFET （金属 o化物）			TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixfa76n15t2-trltr	Ear99	8541.29.0095	800		n通道	150 v	76A（TC）	10V	22mohm @ 38a，10v	4.5V @ 250µA	97 NC @ 10 V	±20V	5800 pf @ 25 V	-	350W（TC）
FDZ294N	0.9600	RFQ	53	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	9-vfbga		MOSFET （金属 o化物）			9-BGA（1.5x1.6）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	6a（6a）	2.5V，4.5V	23mohm @ 6a，4.5V	1.5V @ 250µA	10 NC @ 4.5 V	±12V	670 pf @ 10 V	-	1.7W（TA）
NTLUS3A90PZCTBG	-	RFQ	1925年	Onmi	µ -Cool™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-Powerufdfn	ntlus3a	MOSFET （金属 o化物）			6-udfn（1.6x1.6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	20 v	2.6a（ta）	1.5V，4.5V	62MOHM @ 4A，4.5V	1V @ 250µA	12.3 NC @ 4.5 V	±8V	950 pf @ 10 V	-	600MW（TA）
2SD1527-E	1.2600	RFQ	5	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
BC847AL3-TP	0.0375	RFQ	6210	微商业公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883	BC847		150兆		DFN1006-3	下载				353-BC847AL3-TP	Ear99	8541.21.0075	1														45 v	100 ma		1ma		NPN	600mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	100MHz
BUK9K5R6-30EX	1.6300	RFQ	7762	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-12205，8-LFPAK56	buk9k5	MOSFET （金属 o化物）	64W		LFPAK56D	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	2 n 通道（双）		30V	40a		5.8mohm @ 10a，5v	2.1V @ 1mA	22.6nc @ 5V		2480pf @ 25V	逻辑级别门
ICE15N60W	-	RFQ	4099	ICEMOS技术	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		MOSFET （金属 o化物）			TO-247	下载				5133-ICE15N60W	Ear99	8541.29.0095	1		n通道	600 v	15A（TC）	10V	250MOHM @ 7.5A，10V	3.9V @ 250µA	59 NC @ 10 V	±20V	2064 PF @ 25 V	-	156W（TC）
STW13NM60N	-	RFQ	3852	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	stw13n	MOSFET （金属 o化物）			TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道	600 v	11A（TC）	10V	360MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±25V	790 pf @ 50 V	-	90W（TC）
IRFR3711ZCTRPBF	-	RFQ	3435	Infineon技术	-	（CT）	过时的		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	20 v	93A（TC）		5.7MOHM @ 15A，10V	2.45V @ 250µA	27 NC @ 4.5 V		2160 pf @ 10 V	-
IPP082N10NF2SAKMA1	1.7200	RFQ	133	Infineon技术	strongirfet™2	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP082N	MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	（15a）（ta），77a（tc）	6V，10V	8.2MOHM @ 50a，10v	3.8V @ 46µA	42 NC @ 10 V	±20V	2000 pf @ 50 V	-	3.8W（TA），100W（TC）
AOU4N60	1.0000	RFQ	4	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	管子	不适合新设计	-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	aou4	MOSFET （金属 o化物）			TO-251-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道	600 v	4A（TC）	10V	2.3OHM @ 2A，10V	4.5V @ 250µA	14.5 NC @ 10 V	±30V	640 pf @ 25 V	-	104W（TC）
auirfs8409trl	6.5000	RFQ	490	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	AUIRF8409	MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	40 V	195a（TC）	10V	1.2MOHM @ 100A，10V	3.9V @ 250µA	450 NC @ 10 V	±20V	14240 pf @ 25 V	-	375W（TC）
AO3409A	0.4300	RFQ	3	UMW	UMW	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）			SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99		3,000		P通道	30 V	2.6a（ta）	4.5V，10V	130MOHM @ 2.6a，10V	3V @ 250µA	9 NC @ 10 V	±20V	370 pf @ 15 V	-	1.4W（TA）
ECH8655R-TL-H	0.7700	RFQ	3	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	ECH8655	MOSFET （金属 o化物）	1.5W		8-ech	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		24V	9a		17mohm @ 4.5A，4.5V	-	16.8nc @ 10V		-	逻辑级别门
N0300P-T1B-AT	-	RFQ	3272	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的									下载	rohs3符合条件	供应商不确定			Ear99	8541.29.0095	3,000				4.5A（TJ）
NSV60101DMR6T2G	0.1471	RFQ	3538	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457	NSV60101		400MW		SC-74	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000														60V	1a		100NA（ICBO）		2 NPN （双）	250mv @ 50mA，1a	250 @ 100mA，5V	200MHz
SI7611DN-T1-GE3	1.6400	RFQ	3561	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7611	MOSFET （金属 o化物）			PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	40 V	18A（TC）	4.5V，10V	25mohm @ 9.3a，10v	3V @ 250µA	62 NC @ 10 V	±20V	1980 pf @ 20 V	-	3.7W（TA），39W（tc）
IXFP12N50PM	-	RFQ	4466	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXFP12	MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	6A（TC）	10V	500mohm @ 6a，10v	5.5V @ 1mA	29 NC @ 10 V	±30V	1830 pf @ 25 V	-	50W（TC）
IXFK230N20T	26.4300	RFQ	3307	ixys	hiperfet™，战沟	管子	积极的	-	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK230	MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道	200 v	230a（TC）	10V	7.5MOHM @ 60a，10v	5V @ 8mA	378 NC @ 10 V	±20V	28000 PF @ 25 V	-	1670W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²