RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
SPB80N10L	-	RFQ	9304	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SPB80N		MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3-2	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道		100 v	80A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 58a，10v	2V @ 2mA	240 NC @ 10 V	±20V	4540 pf @ 25 V	-	250W（TC）
PMZB370UNE，315	-	RFQ	3565	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN			MOSFET （金属 o化物）		DFN1006B-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	10,000	n通道		30 V	900mA（ta）	1.8V，4.5V	490MOHM @ 500mA，4.5V	1.05V @ 250µA	1.16 NC @ 15 V	±8V	78 pf @ 25 V	-	360MW（TA），2.7W（TC）
2SC5772FR-TL-E	0.2800	RFQ	171	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000
FCPF11N60NT	2.2300	RFQ	14	Fairchild半导体	SuperMos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载					Ear99	8542.39.0001	135	n通道		600 v	10.8A（TC）	10V	299MOHM @ 5.4A，10V	4V @ 250µA	35.6 NC @ 10 V	±30V	1505 pf @ 100 V	-	32.1W（TC）
BC858CLT3	0.0400	RFQ	50	Onmi	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				300兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000															30 V	100 ma						15NA（icbo）	PNP	650mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	100MHz
FSS273-TL-E	0.5300	RFQ	2	Onmi	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度）			MOSFET （金属 o化物）		8-sop	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1,000	n通道		45 v	8a（8a）		22mohm @ 8a，10v	-	40 NC @ 10 V		2225 PF @ 20 V	-	2.4W（TA）
AUIRFR8401TRL	2.3700	RFQ	3	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AUIRFR8401		MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道		40 V	100A（TC）	10V	4.25MOHM @ 60a，10V	3.9V @ 50µA	63 NC @ 10 V	±20V	2200 PF @ 25 V	-	79W（TC）
YJG90G10B	0.7110	RFQ	500	Yangjie技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-yjg90g10btr	Ear99		5,000
TN6719A	-	RFQ	4174	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				1 w	TO-226-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	1,500															300 v	200 MA						100NA（ICBO）	NPN	750mv @ 3mA，30mA	40 @ 30mA，10V	-
IRF740R	-	RFQ	8783	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	46	n通道		400 v	10A（TC）	10V	550MOHM @ 5.2A，10V	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1250 pf @ 25 V	-	125W（TC）
2SA1527-AA	0.1000	RFQ	33	Onmi	*	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1
IXGH28N140B3H1	-	RFQ	4579	ixys	Genx3™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH28	标准		300 w	TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		960V，28a，5ohm，15V											350 ns	-	1400 v	60 a	150 a	3.6V @ 15V，28a	3.6mj（在）（3.9mj）上	88 NC	16NS/190NS
IRF6711STSTRPBF	0.8100	RFQ	4	国际整流器	DirectFet™	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距平方英尺			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™等距平方英尺	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		25 v	（19a（ta），84a tc（84a tc）		3.8mohm @ 19a，10v	2.35V @ 25µA	20 NC @ 4.5 V	±20V	1810 pf @ 13 V	-	2.2W（TA），42W（TC）
ixtp2r4n120p	6.7000	RFQ	30	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp2		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道		1200 v	2.4A（TC）	10V	7.5OHM @ 500mA，10v	4.5V @ 250µA	37 NC @ 10 V	±20V	1207 PF @ 25 V	-	125W（TC）
AOB288L	1.0621	RFQ	2460	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	AOB288		MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D2PAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道		80 V	10.5a（ta），46A（tc）	6V，10V	8.9mohm @ 20a，10v	3.4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	1871 PF @ 40 V	-	2.1W（ta），93.5W（tc）
ixta62n25t	-	RFQ	5809	ixys	沟	管子	在sic中停产	-	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta62		MOSFET （金属 o化物）		TO-263AA	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道		250 v	62A（TC）		-	-				-	-
SIPC69N65C3X1SA1	-	RFQ	7421	Infineon技术	-	大部分	积极的				SIPC69					-	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响	SP000437778		0000.00.0000	1				-
AA1A4M-T（nd）-a	0.4400	RFQ	17	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	1
2SK2111-D-T1-AZ	0.4300	RFQ	8	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的									下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1,000
2N6542	56.0700	RFQ	9853	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-204AA，TO-3				100 W	TO-204AD（TO-3）	-			到达不受影响	150-2N6542	Ear99	8541.29.0095	1															300 v	5 a						-	PNP	-	-	-
DTA114EE3HZGTL	0.4100	RFQ	3	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-75，SOT-416	DTA114			150兆	EMT3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	846-DTA114EE3HZGTLTR	Ear99	8541.21.0075	3,000															50 V	100 ma						500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V	250 MHz	10 kohms	10 kohms
IPP65R600C6XKSA1	-	RFQ	2398	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ipp65r		MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500	n通道		650 v	7.3A（TC）	10V	600mohm @ 2.1a，10v	3.5V @ 210µA	23 NC @ 10 V	±20V	440 pf @ 100 V	-	63W（TC）
ISZ0702NLSATMA1	1.2900	RFQ	9	Infineon技术	Optimos™5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	ISZ0702N		MOSFET （金属 o化物）		PG-TSDSON-8-25	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道		60 V	17a（17a），86a（tc）	4.5V，10V	4.5MOHM @ 20A，10V	2.3V @ 26µA	39 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 30 V	-	2.5W（TA），65W（tc）
IHW30N90T	2.6600	RFQ	5	Infineon技术	Trechstop®	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		428 w	PG-TO247-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		600V，30a，15ohm，15V												沟渠场停止	900 v	60 a	90 a	1.7V @ 15V，30a	1.8MJ（（）	280 NC	45NS/556NS
IKW50N65F5AXKSA1	-	RFQ	6525	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Trenchstop™	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ikw50n	标准		270 w	pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240		400V，25a，12ohm，15V											77 ns	沟	650 v	80 a	150 a	2.1V @ 15V，50a	（490µJ）（在140µJ上）	108 NC	21NS/156NS
CEZ6R40SL-HF	0.8647	RFQ	2476	comchip技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		P-pak（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		641-CEZ6R40SL-HFTR	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道		65 v	27a（27A），93A（tc）	4.5V，10V	4.5MOHM @ 20A，10V	3V @ 250µA	26 NC @ 4.5 V	±20V	1790 pf @ 30 V	-	73W（TC）
2SA2018E3HZGTL	0.4400	RFQ	2	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	2SA2018			150兆	EMT3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000															12 v	500 MA						100NA（ICBO）	NPN	250mv @ 10mA，200mA	270 @ 10mA，2V	260MHz
KSC2331YTA	0.0600	RFQ	387	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	KSC2331			1 w	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1															60 V	700 MA						100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	120 @ 50mA，2V	50MHz
2SC5265L	1.0000	RFQ	5955	Onmi	*	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
FQB19N20CTM	1.5300	RFQ	7254	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FQB19N20		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道		200 v	19a（tc）	10V	170MOHM @ 9.5A，10V	4V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±30V	1080 pf @ 25 V	-	3.13W（TA），139w（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²