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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
FJN5471BU	-	RFQ	5819	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	FJN547			750兆w	TO-92-3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																20 v	5 a						100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 100mA，3a	700 @ 500mA，2V	150MHz
2SJ559-T1-A	0.1500	RFQ	9	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	积极的		表面安装	SC-75，SOT-416			MOSFET （金属 o化物）		SC-75-3，USM	下载					Ear99	8541.21.0095	1		P通道		30 V	（100mA）（TA）		13ohm @ 10mA，10v	1.7V @ 10µA			5000 pf @ 3 V	-
SISF02DN-T1-GE3	1.5600	RFQ	28	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8SCD	SISF02		MOSFET （金属 o化物）	5.2W（ta），69.4W（TC）	PowerPak®1212-8SCD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）公共排水			25V	30.5A（TA），60a tc）		3.5MOHM @ 7A，10V	2.3V @ 250µA	56nc @ 10V		2650pf @ 10V	-
MMFT2N25ET3	0.1500	RFQ	4	Onmi	*	大部分	积极的									下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	4,000
HN1B04FE-GR，LXHF	0.4500	RFQ	2	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	HN1B04			100MW	ES6	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	4,000																50V	150mA						100NA（ICBO）	NPN，PNP	250mv @ 10mA，100mA / 300mv @ 10mA，100mA	200 @ 2mA，6v	80MHz
IXFT23N60Q	-	RFQ	7224	ixys	Hiperfet™，Q类	盒子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft23		MOSFET （金属 o化物）		TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		600 v	23A（TC）	10V	320MOHM @ 500mA，10V	4.5V @ 4mA	90 NC @ 10 V	±30V	3300 PF @ 25 V	-	400W（TC）
SIHG20N50E-GE3	3.2800	RFQ	4650	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG20		MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	500		n通道		500 v	19a（tc）	10V	184mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	92 NC @ 10 V	±30V	1640 pf @ 100 V	-	179W（TC）
SCH1337-TL-H	-	RFQ	4980	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SCH133		MOSFET （金属 o化物）		6-SCH	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	5,000		P通道		30 V	2A（TA）	4V，10V	150MOHM @ 1A，10V	-	3.9 NC @ 10 V	±20V	172 PF @ 10 V	-	800MW（TA）
IPP65R125C7	1.0000	RFQ	2962	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-1	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道		650 v	18A（TC）	10V	125mohm @ 8.9a，10v	4V @ 440µA	35 NC @ 10 V	±20V	1670 PF @ 400 V	-	101W（TC）
BCR116SE6327	-	RFQ	5291	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BCR116			250MW	PG-SOT363-6-1	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																50V	100mA						100NA（ICBO）	2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	150MHz	4.7kohms	47kohms
RFM10N45	-	RFQ	2712	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		450 v	10A（TC）	10V	600MOHM @ 5A，10V	4V @ 1mA		±20V	3000 pf @ 25 V	-	150W（TC）
STWA50N65DM2AG	5.8831	RFQ	8910	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，MDMESH™DM2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STWA50		MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	600		n通道		650 v	38A（TC）	10V	87mohm @ 19a，10v	5V @ 250µA	69 NC @ 10 V	±25V	3200 PF @ 100 V	-	300W（TC）
IPC100N04S5L1R5ATMA1	2.1200	RFQ	7756	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	IPC100		MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8-34	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		40 V	100A（TC）	4.5V，10V	1.5MOHM @ 50a，10v	2V @ 60µA	95 NC @ 10 V	±16V	5340 pf @ 25 V	-	115W（TC）
BCW65C	1.0000	RFQ	3062	Infineon技术	-	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000
STD15N50M2AG	1.9300	RFQ	3088	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，MDMESH™M2	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD15		MOSFET （金属 o化物）		D-pak（TO-252）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		500 v	10A（TC）	10V	380MOHM @ 5A，10V	4V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	530 pf @ 100 V	-	85W（TC）
IRFS7734Trl7pp	-	RFQ	7522	国际整流器	hexfet®，strongirfet™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）			MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-7	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道		75 v	197a（TC）	6V，10V	3.05MOHM @ 100A，10V	3.7V @ 150µA	270 NC @ 10 V	±20V	10130 pf @ 25 V	-	294W（TC）
IKB20N60TATMA1	3.0500	RFQ	2	Infineon技术	Trechstop®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IKB20N60	标准		166 w	pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			400V，20A，12OHM，15V											41 ns	沟渠场停止	600 v	40 a	60 a	2.05V @ 15V，20A	770µJ	120 NC	18NS/199N
VN2450N8-G	1.5000	RFQ	44	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	VN2450		MOSFET （金属 o化物）		TO-243AA（SOT-89）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道		500 v	250mA（TJ）	4.5V，10V	13ohm @ 400mA，10v	4V @ 1mA		±20V	150 pf @ 25 V	-	1.6W（TA）
IPB010N06NATMA1	7.9800	RFQ	1428	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	IPB010		MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		60 V	45a（ta），180a （TC）	6V，10V	1MOHM @ 100A，10V	4V @ 280µA	208 NC @ 10 V	±20V	15000 PF @ 30 V	-	300W（TC）
BUK9230-100B，118	-	RFQ	9343	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的				Buk92					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500
auirfs8408-7trl	1.0000	RFQ	4524	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-7-900	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		40 V	240a（TC）	10V	1MOHM @ 100A，10V	3.9V @ 250µA	315 NC @ 10 V	±20V	10250 pf @ 25 V	-	294W（TC）
SSW2N60BTM	0.4600	RFQ	4	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		600 v	2A（TC）	10V	5ohm @ 1A，10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±30V	490 pf @ 25 V	-	3.13W（ta），54W（tc）
BSC091N03MSCG	0.2400	RFQ	15	Infineon技术	*	大部分	积极的									下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	5,000
BSS138BKW/DG/B2X	0.0400	RFQ	12	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323			MOSFET （金属 o化物）		SOT-323	-				2156-BSS138BKW/DG/B2X			7,212		n通道		60 V	320mA（TA）	2.5V，10V	1.6OHM @ 320mA，10V	1.6V @ 250µA	0.7 NC @ 4.5 V	±20V	56 pf @ 10 V	-	260MW（TA），830MW（tc）
NVMFS5844NLWFT1G	-	RFQ	8593	Onmi	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的				NVMFS5					下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,500
BC817-40W-QX	0.0381	RFQ	27	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，BC817W-Q	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC817			200兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																45 v	500 MA						100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，1V	100MHz
KSB564ACGTA	-	RFQ	8989	Onmi	-	（TB）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	KSB56			800兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																25 v	1 a						100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 100mA，1a	200 @ 100mA，1V	110MHz
BSS84	0.1500	RFQ	4	好公园的半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道		50 V	130mA（ta）	5V，10V	10ohm @ 100mA，5v	2V @ 250µA		±20V	30 pf @ 5 V	-	225MW
SPB04N60C3	-	RFQ	2049	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		600 v	4.5A（TC）	10V	950MOHM @ 2.8A，10V	3.9V @ 200µA	25 NC @ 10 V	±20V	490 pf @ 25 V	-	50W（TC）
MCH3307-TL-E	0.1000	RFQ	138	Onmi	*	大部分	积极的				MCH3307		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	3,000												-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²