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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
STP30NF20	3.0800	RFQ	9666	Stmicroelectronics	StripFet™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP30		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-5825-5	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					200 v	30A（TC）	10V	75mohm @ 15a，10v	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	1597 PF @ 25 V	-	125W（TC）
BC817-40-13P	0.0247	RFQ	7185	微商业公司	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC817			300兆	SOT-23	下载				353-BC817-40-13P	Ear99	8541.21.0075	1																		45 v	500 MA		100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，1V	100MHz
BSS123IXTMA1	-	RFQ	6535	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BSS123		MOSFET （金属 o化物）		PG-SOT23-3-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道					100 v	（190ma ta）	4.5V，10V	6ohm @ 190mA，10v	1.8V @ 13µA	0.63 NC @ 10 V	±20V	15 pf @ 50 V	-	500MW（TA）
2SC3149M	0.3600	RFQ	3	Onmi	-	大部分	过时的										-				2156-2SC3149M			825
FQA6N70	1.2400	RFQ	4	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3			MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	30		n通道					700 v	6.4A（TC）	10V	1.5OHM @ 3.2A，10V	5V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±30V	1400 pf @ 25 V	-	152W（TC）
BCX70HE6433HTMA1	0.0492	RFQ	5228	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCX70			330兆	PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																		45 v	100 ma		20NA（ICBO）	NPN	550mv @ 1.25mA，50mA	180 @ 2mA，5v	250MHz
2SD734F	0.1400	RFQ	39	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				600兆	3-np	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-2SD734F	Ear99	8541.21.0075	2,219																		20 v	700 MA		1µA（ICBO）	NPN	300mv @ 50mA，500mA	160 @ 50mA，2V	250MHz
RJK6012DPP-E0 ＃T2	-	RFQ	1382	Renesas Electronics America Inc	-	管子	在sic中停产		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					600 v	10a（10a）	10V	920MOHM @ 5A，10V	-	30 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	30W（TC）
FDS9933	0.3600	RFQ	20	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS99		MOSFET （金属 o化物）	900MW	8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	2,500	2（p 通道（双）						20V	5a		55mohm @ 3.2A，4.5V	1.2V @ 250µA	20NC @ 4.5V		825pf @ 10V	逻辑级别门
2SK4097L	1.7200	RFQ	334	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FI（LS）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	100		n通道					500 v	8.3a（TC）		650MOHM @ 5A，10V	-	30 NC @ 10 V		750 pf @ 30 V	-	2W（TA），35W（tc）（TC）
BSP299L6327	-	RFQ	9136	Infineon技术	*	大部分	积极的										-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
blf984pu	144.4400	RFQ	526	Ampleon USA Inc.	-	托盘	积极的	104 v		底盘安装	SOT-1121A	BLF984	470MHz〜860MHz	ldmos		CDFM4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	20	双重，共同来源		1.4µA	650 MA	350W	21dB											-			50 V
APT60M75L2FLLG	50.6400	RFQ	3148	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	APT60M75		MOSFET （金属 o化物）		264 MAX™[L2]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					600 v	73A（TC）	10V	75MOHM @ 36.5A，10V	5V @ 5mA	195 NC @ 10 V	±30V	8930 PF @ 25 V	-	893W（TC）
MPS651RLM	0.0900	RFQ	308	Onmi	-	大部分	过时的					MPS651					下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000
NSVBCH817-40LT1G	0.0572	RFQ	6877	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																		45 v	500 MA		100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，1V	100MHz
PSMN4R2-80YSEX	3.3600	RFQ	1	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-1023，4-LFPAK			MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道					80 V	170a（ta）	10V	4.2MOHM @ 25A，10V	3.6V @ 1mA	110 NC @ 10 V	±20V	8000 PF @ 40 V	-	294W（TA）
JASP2N222221AUBC/TR	231.9816	RFQ	9187	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/255	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅				500兆	UBC	-			到达不受影响	150-JANSP2N222221AUBC/tr			50																		50 V	800 MA		50NA	NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
DDTC114YCAQ-7-F	0.0524	RFQ	3474	二极管合并	ddtc（r1≠r2系列）ca	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DDTC114			200兆	SOT-23-3	下载			到达不受影响	31-DDTC114YCAQ-7-FTR	Ear99	8541.21.0075	3,000																		50 V	100 ma		500NA	npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 5mA，5V	250 MHz	10 kohms	47科姆斯
IRF6610TRPBF	-	RFQ	9902	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距平方英尺			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™SQ	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,800		n通道					20 v	（15a）（TA），66A （TC）	4.5V，10V	6.8mohm @ 15a，10v	2.55V @ 250µA	17 NC @ 4.5 V	±20V	1520 pf @ 10 V	-	2.2W（TA），42W（TC）
SI2101-TP	-	RFQ	3217	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	SI2101		MOSFET （金属 o化物）		SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道					20 v	1.4A（TJ）	1.8V，4.5V	100mohm @ 1A，4.5V	1.2V @ 250µA		±8V	640 pf @ 8 V	-	290MW
BC817-16WHE3-TP	0.2400	RFQ	6	微商业公司	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC817			200兆	SOT-323	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																		45 v	500 MA		100NA（ICBO）		700mv @ 50mA，500mA	100 @ 500mA，1V	100MHz
AUIRFR5305TR	2.8500	RFQ	2	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AUIRFR5305		MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道					55 v	31a（TC）		65mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V		1200 pf @ 25 V	-
IXTP180N055T	-	RFQ	1440	ixys	-	管子	过时的		-	通过洞	TO-220-3	IXTP180		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					55 v	180a（TC）		-	4V @ 1mA				-	-
IRF433	-	RFQ	8910	哈里斯公司	-	大部分	积极的		-	通过洞	to-204aa			MOSFET （金属 o化物）		TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	154		n通道					450 v	4a	-	-	-		-		-	75W
KSA709GTA	-	RFQ	3660	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				800兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	2,000																		150 v	700 MA		100NA（ICBO）	PNP	400mv @ 20mA，200mA	200 @ 50mA，2V	50MHz
FDU6692	1.2800	RFQ	62	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK			MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					30 V	54A（ta）	4.5V，10V	12mohm @ 14a，10v	3V @ 250µA	25 NC @ 5 V	±16V	2164 pf @ 15 V	-	1.6W（TA）
aod526_delta	-	RFQ	4670	Alpha＆欧米茄半导体公司	alphamos	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AOD52		MOSFET （金属 o化物）		TO-252（DPAK）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					30 V	50A（TC）	4.5V，10V	5mohm @ 20a，10v	2.4V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±20V	1550 pf @ 15 V	-	2.5W（ta），50W（50W）（TC）
DMP4011SK3-13	0.5541	RFQ	5032	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	DMP4011		MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	DMP4011SK3-13DI	Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道					40 V	（14a）（ta），74a tc（TC）	4.5V，10V	11mohm @ 9.8a，10v	2.5V @ 250µA	52 NC @ 10 V	±20V	2747 PF @ 20 V	-	1.8W（ta），4.2W（TC）
IPD100N06S403ATMA2	2.3700	RFQ	3	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD100		MOSFET （金属 o化物）		PG-TO252-3-11	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					60 V	100A（TC）	10V	3.5MOHM @ 100A，10V	4V @ 90µA	128 NC @ 10 V	±20V	10400 PF @ 25 V	-	150W（TC）
IXTC180N10T	-	RFQ	7732	ixys	-	管子	过时的		-	通过洞	ISOPLUS220™	IXTC180		MOSFET （金属 o化物）		ISOPLUS220™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					100 v	90A（TC）		-	-				-	150W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²