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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
IPT65R080CFD7XTMA1	3.3605	RFQ	6407	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	8-Powersfn			-		PG-HSOF-8-3	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	-		650 v	-	-	-	-		-		-	-
IPT60T065S7XTMA1	3.5864	RFQ	2846	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响				2,000
IPB100N04S2L-03ATMA2	2.0900	RFQ	17	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3-2	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道		40 V	100A（TC）	4.5V，10V	3.3mohm @ 80a，10v	2V @ 250µA	230 NC @ 10 V	±20V	6000 pf @ 25 V	-	300W（TC）
JANKCCP2N3500	-	RFQ	9551	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/366	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3				1 w	TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-JANKCCP2N3500			100															150 v	300 MA						10µA（ICBO）	NPN	400mv @ 15mA，150mA	40 @ 150mA，10v	-
HGTG11N120CN	-	RFQ	4308	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	HGTG11N120	标准		298 w	TO-247-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	150		960V，11A，10欧姆，15V												npt	1200 v	43 a	80 a	2.4V @ 15V，11a	400µJ（在）上，1.3MJ（OFF）	100 NC	23ns/180ns
FDS3692	1.0000	RFQ	9168	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	1	n通道		100 v	4.5A（ta）	6V，10V	60mohm @ 4.5A，10V	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	746 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
NVMFS5C628NT1G	3.0400	RFQ	8707	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVMFS5C628NT1GTR	Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道		60 V	28a（28a），150a（tc）	10V	3mohm @ 27a，10v	4V @ 135µA	34 NC @ 10 V	±20V	2630 PF @ 30 V	-	3.7W（TA），110W（TC）
NTE2363	1.8900	RFQ	3	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3				1 w	TO-92L	下载	Rohs不合规			2368-NTE2363	Ear99	8541.29.0095	1															50 V	2 a						100NA（ICBO）	NPN	400mv @ 50mA，1a	140 @ 100mA，2V	150MHz
DTC113EET1G	-	RFQ	7133	Sanyo	*	大部分	积极的									-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-DTC113EET1G-600057			1
CZT955 TR PBFRE	0.5700	RFQ	10	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	CZT955			3 W	SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000															140 v	4 a						20NA	PNP	360mv @ 300mA，3a	100 @ 1A，5V	200MHz
IRFS4115Trl7pp	2.0900	RFQ	25	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6个线索 +选项卡，TO-263CB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（7铅）	下载					Ear99	8542.39.0001	1	n通道		150 v	105A（TC）	10V	11.8mohm @ 63a，10v	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	5320 PF @ 50 V	-	380W（TC）
AONS18314	-	RFQ	5946	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				AONS183					-	rohs3符合条件		到达不受影响	785-AONS18314TR			3,000
JANSR2N3636UB/TR	-	RFQ	9838	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/357	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅				1.5 w	UB	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANSR2N3636UB/TR	Ear99	8541.29.0095	1															175 v	10 µA						10µA	PNP	600mv @ 5mA，50mA	50 @ 50mA，10v	-
BUK7Y98-80E，115	-	RFQ	6769	NXP半导体	*	大部分	积极的									下载			到达不受影响	2156-BUK7Y98-80E，115-954			1
AUIRF7647S2TR	2.6600	RFQ	3	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距SC	AUIRF7647		MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™SC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,800	n通道		100 v	5.9a（ta），24a（tc）	10V	31mohm @ 14a，10v	5V @ 50µA	21 NC @ 10 V	±20V	910 PF @ 25 V	-	2.5W（TA），41W（TC）
IPD110N12N3GATMA1	2.5000	RFQ	9	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD110		MOSFET （金属 o化物）		pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道		120 v	75A（TC）	10V	11mohm @ 75a，10v	3V @ 83µA（83µA）	65 NC @ 10 V	±20V	4310 PF @ 60 V	-	136W（TC）
FDD8770	0.4000	RFQ	79	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载					Ear99	8542.39.0001	742	n通道		25 v	35A（TC）	4.5V，10V	4mohm @ 35a，10v	2.5V @ 250µA	73 NC @ 10 V	±20V	3720 PF @ 13 V	-	115W（TC）
BC817-16W_R1_00001	0.1900	RFQ	260	Panjit International Inc.	BC817-16W	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC817			300兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-BC817-16W_R1_00001DKR	Ear99	8541.21.0095	3,000															45 v	500 MA						100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
RJK0226DNS-WS＃j5	1.2900	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	2,600
2N5345	34.6800	RFQ	5569	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-2N5345			1
SIRC10DP-T1-GE3	0.8700	RFQ	5369	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIRC10		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道		30 V	60a（TC）	4.5V，10V	3.5MOHM @ 10A，10V	2.4V @ 250µA	36 NC @ 10 V	+20V，-16V	1873 PF @ 15 V	（（（）	43W（TC）
MTP10N40E	-	RFQ	6231	Onmi	*	大部分	积极的									下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1
73282	0.4900	RFQ	9	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）			7328		-			下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			0000.00.0000	2,500			60V	12a		107MOHM @ 8A，5V	3V @ 250µA	6.2nc @ 5V			-
SQ3418AEEV-T1_GE3	0.3929	RFQ	2137	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SQ3418		MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道		40 V	8a	4.5V，10V	35mohm @ 6a，10v	2.5V @ 250µA	3.5 NC @ 4.5 V	±20V	528 pf @ 25 V	-	5W（TC）
2SC3595D	0.6100	RFQ	7	Sanyo	*	大部分	积极的									下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1
YJD45G10A	0.3350	RFQ	250	Yangjie技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-YJD45G10ATR	Ear99		2,500
PMCM4401VPEZ	-	RFQ	8918	NXP半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-XFBGA，WLCSP			MOSFET （金属 o化物）		4-WLCSP（0.78x0.78）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PMCM4401VPEZ-954	Ear99	8541.29.0095	1	P通道		12 v	3.9a（ta）	1.8V，4.5V	65mohm @ 3A，4.5V	900mv @ 250µA	10 NC @ 4.5 V	±8V	415 pf @ 6 V	-	400MW（TA），12.5W（tc）
BSP317PE6327T	-	RFQ	9078	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BSP317		MOSFET （金属 o化物）		PG-SOT223-4	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	P通道		250 v	430ma（ta）	4.5V，10V	4330mA，10V	2V @ 370µA	15.1 NC @ 10 V	±20V	262 PF @ 25 V	-	1.8W（TA）
KSC5200OTU	0.4900	RFQ	5	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	KSC5200			130 w	HPM F2	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	1															230 v	13 a							NPN	3V @ 800mA，8a	80 @ 1A，5V	30MHz
IRGR4607DTRRPBF	-	RFQ	5809	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		标准		58 w	D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001549726	Ear99	8541.29.0095	3,000		400V，4A，100OHM，15V											48 ns	-	600 v	11 a	12 a	2.05V @ 15V，4A	（140µJ）（在62µJ上）	9 NC	27NS/120NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²