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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
mvr2n2222aubc/tr	40.0197	RFQ	7184	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅				500兆	UBC	-			到达不受影响	150-MVR2N222222AUBC/tr			100																		50 V	800 MA		50NA	NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
PMV28 ureear	0.4000	RFQ	4172	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PMV28		MOSFET （金属 o化物）		TO-236AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					20 v	4.7a（ta）	1.8V，4.5V	32MOHM @ 4.7A，4.5V	1V @ 250µA	10 NC @ 4.5 V	±8V	490 pf @ 10 V	-	510MW（TA），3.9W（TC）
2SC6015-TD-E	-	RFQ	4418	Onmi	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	1,000
2SJ438（Cano，A，Q）	-	RFQ	6374	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的			通过洞	TO-220-3完整包	2SJ438				TO-220NIS	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1								5A（TJ）
PTAB182002TCV2R250XTMA1	-	RFQ	7801	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		表面安装	H-49248H-4		1.805GHZ〜1.88GHz	ldmos		H-49248H-4	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001483354	Ear99	8541.29.0075	250			10µA	520 MA	29W	14.8db											-			28 V
JAN2N7228U	-	RFQ	8973	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/592	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-267AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-267AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					500 v	12A（TC）	10V	515MOHM @ 12A，10V	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（150w（ta）（TC）
JASP2N2907AUB	101.3106	RFQ	5645	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/291	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅				500兆	UB	-			到达不受影响	150-JANSP2N2907AUB			1																		60 V	600 MA		50NA	PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
MMBTA56-13P	0.0206	RFQ	8674	微商业公司	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBTA56			225兆	SOT-23	下载				353-MMBTA56-13P	Ear99	8541.21.0095	1																		80 V	500 MA		100NA	PNP	250mv @ 10mA，100mA	100 @ 100mA，1V	50MHz
BC338-16-B0 B1G	-	RFQ	2392	台湾半导体公司	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				625兆	到92	下载			到达不受影响	1801-BC338-16-B0B1G	过时的		1																		25 v	800 MA		100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，5V	100MHz
ZXTN07060BGQTC	0.1417	RFQ	3130	二极管合并	-	大部分	积极的										-				31-ZXTN07060BGQTC			4,000
IXFB60N80P	29.5100	RFQ	3158	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFB60		MOSFET （金属 o化物）		加上264™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道					800 v	60a（TC）	10V	140mohm @ 30a，10v	5V @ 8mA	250 NC @ 10 V	±30V	18000 PF @ 25 V	-	1250W（TC）
FDD4141-F085	-	RFQ	4284	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD4141		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道					40 V	10.8A（ta），50a（tc）	4.5V，10V	12.3mohm @ 12.7a，10v	3V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V	2775 PF @ 20 V	-	2.4W（TA），69W（tc）
AON7200L	-	RFQ	4411	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	aon72		MOSFET （金属 o化物）		8-DFN-EP（3x3）	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					30 V	15.8A（TA），40a （TC）	4.5V，10V	8mohm @ 20a，10v	2.4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	1300 pf @ 15 V	-	3.1W（TA），62W（TC）
FDPF5N50FT	-	RFQ	1169	Onmi	Unifet™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FDPF5		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	2832-FDPF5N50FT	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					500 v	4.5A（TC）	10V	1.55OHM @ 2.25a，10V	5V @ 250µA	8 nc @ 10 V	±30V	700 pf @ 25 V	-	28W（TC）
RJK0452DPB-WS＃j5	-	RFQ	2633	Renesas Electronics America Inc	*	托盘	过时的										-				559-RJK0452DPB-WS＃j5	过时的		1
2SC536F-SPA-AC	0.2700	RFQ	11	Onmi	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1
BC817K-25-TP	0.0315	RFQ	4552	微商业公司	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC817			500兆	SOT-23	下载				353-BC817K-25-TP	Ear99	8541.21.0075	1																		45 v	500 MA		100µA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，1V	100MHz
SI4388DY-T1-E3	-	RFQ	6003	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4388		MOSFET （金属 o化物）	3.3W，3.5W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（半桥）						30V	10.7a，11.3a		16mohm @ 8a，10v	3V @ 250µA	27nc @ 10V		946pf @ 15V	-
CP388X-2N5088-CT	-	RFQ	7028	中央半导体公司	-	托盘	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死				625兆	死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1514-CP388X-2N5088-CT	Ear99	8541.29.0040	400																		30 V	50 mA		50NA（iCBO）		500mv @ 1mA，10mA	350 @ 1mA，5V
PXT8050-D-TP	0.1021	RFQ	1176	微商业公司	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	PXT8050			500兆	SOT-89	下载				353-PXT8050-D-TP	Ear99	8541.21.0075	1																		25 v	1.5 a		100NA	NPN	500mv @ 80mA，800mA	120 @ 100mA，1V	100MHz
DMP2003UPS-13	1.2800	RFQ	15	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	DMP2003		MOSFET （金属 o化物）		PowerDI5060-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道					20 v	150a（TC）	2.5V，10V	2.2MOHM @ 25A，10V	1.4V @ 250µA	177 NC @ 10 V	±12V	8352 PF @ 10 V	-	1.4W
DSS3515MQ-7	0.3300	RFQ	8553	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-UFDFN				400兆	X1-DFN1006-3	下载			到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																		15 v	500 MA		100NA（ICBO）	PNP	250mv @ 50mA，500mA	200 @ 10mA，2V	340MHz
mps2907arl1g	-	RFQ	4784	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	MPS290			625兆	TO-92（to-226）	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																		60 V	600 MA		10NA（ICBO）	PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	200MHz
FQP2P40-F080	1.3300	RFQ	2	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FQP2		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		P通道					400 v	2A（TC）	10V	6.5OHM @ 1A，10V	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	350 pf @ 25 V	-	63W（TC）
IRF710PBF-BE3	1.1100	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF710		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-IRF710PBF-BE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					400 v	2A（TC）		3.6OHM @ 1.2A，10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	170 pf @ 25 V	-	36W（TC）
DDTC114YKA-7-F	-	RFQ	3643	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DDTC114			200兆	SC-59-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																		50 V	100 ma		500NA	npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	68 @ 5mA，5V	250 MHz	10 kohms	47科姆斯
FDMS7670AS	1.2900	RFQ	182	Onmi	PoterTrench®，SyncFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS7670		MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					30 V	22a（22A），42a（tc）	4.5V，10V	3mohm @ 21a，10v	3V @ 1mA	66 NC @ 10 V	±20V	4225 pf @ 15 V	-	2.5W（TA），65W（tc）
NTP75N03-6G	-	RFQ	9350	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	NTP75N		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					30 V	75A（TC）	10V	6.5MOHM @ 37.5A，10V	2V @ 250µA	75 NC @ 5 V	±20V	5635 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），125W（tc）
BC848B	0.0170	RFQ	300	Yangjie技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				225兆	SOT-23	-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-BC848BTR	Ear99		3,000																		30 V	100 ma		100NA	NPN	500mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	100MHz
SCT3060ARHRC15	2000年年1月15日	RFQ	6091	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	管子	积极的		175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	SCT3060		MOSFET （金属 o化物）		TO-247-4L	下载		3（168））	到达不受影响	846-SCT3060ARHRC15	Ear99	8541.29.0095	450		n通道					650 v	39A（TC）	18V	78mohm @ 13a，18v	5.6V @ 6.67mA	58 NC @ 18 V	+22V，-4V	852 PF @ 500 V	-	165W

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²