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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
MMBT3904-TP-HF	-	RFQ	8966	微商业公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBT3904			350兆		SOT-23	下载				353-MMBT3904-TP-HF	Ear99	8541.21.0075	1																40 V	200 MA						50NA			NPN	300mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	300MHz
JANKCCD2N3501	-	RFQ	2984	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/366	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3				1 w		TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-JANKCCD2N3501			100																150 v	300 MA						10µA（ICBO）			NPN	400mv @ 15mA，150mA	100 @ 150mA，10V	-
RSQ045N03TR	0.8000	RFQ	4	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	RSQ045		MOSFET （金属 o化物）			TSMT6（SC-95）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道		30 V	4.5A（ta）	4V，10V	38mohm @ 4.5A，10V	2.5V @ 1mA	9.5 NC @ 5 V	±20V	520 pf @ 10 V	-	600MW（TA）
FQD7P06TM_F080	-	RFQ	1349	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD7		MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道		60 V	5.4A（TC）	10V	451MOHM @ 2.7A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±25V	295 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），28W（tc）
2N2946	24.6450	RFQ	7242	微芯片技术	*	大部分	积极的										-			到达不受影响	150-2N2946			1
JANSD2N3700	34.6500	RFQ	6540	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/391	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3				500兆		TO-18（（TO-206AA）	-			到达不受影响	150-JANSD2N3700			1																80 V	1 a						10NA			NPN	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
2N3752	273.7050	RFQ	5125	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	螺柱坐骑	TO-111-4，螺柱				30 W		TO-111	-			到达不受影响	150-2N3752	Ear99	8541.29.0095	1																80 V	5 a						-			PNP	250mv @ 100µA，1mA	-	-
2N2896	17.3831	RFQ	2494	微芯片技术	-	包	积极的	-	通过洞	TO-206AA，TO-18-3				1.8 w		TO-18（（TO-206AA）	-		（1 （无限）	到达不受影响	2N2896MS	Ear99	8541.29.0075	1																90 v	1 a						10NA（ICBO）			NPN	600mv @ 15mA，150mA	60 @ 150mA，10v	120MHz
2C3637-MSCL	7.3650	RFQ	3596	微芯片技术	*	大部分	积极的										-			到达不受影响	150-2C3637-MSCL			1
BC846AHE3-TP	0.2400	RFQ	4	微商业公司	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC846			225兆		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																65 v	100 ma						100NA				500mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	100MHz
BC846BWHE3-TP	0.1900	RFQ	4	微商业公司	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC846			200兆		SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																65 v	100 ma						100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	150MHz
BC53-16PAS-QX	0.0962	RFQ	1545年	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	3-udfn裸露的垫子				420兆W		DFN2020d-3	-	rohs3符合条件			1727-BC53-16PAS-QXTR	Ear99	8541.21.0075	3,000																80 V	1 a						100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	145MHz
15C02CH-TL-E	-	RFQ	7090	Sanyo	*	大部分	过时的										-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-15C02CH-TL-E-600057			1
2SB880	-	RFQ	7892	Sanyo	*	大部分	过时的										-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-2SB880-600057			1
UF4C120053K4S	16.1400	RFQ	1626年	Qorvo	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4			sicfet（cascode sicjfet）			TO-247-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2312-UF4C120053K4S	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1200 v	34A（TC）	12V	67mohm @ 20a，12v	6V @ 10mA	37.8 NC @ 15 V	±20V	1370 PF @ 800 V	-	263W（TC）
2SC4853-4-TL-E	0.0600	RFQ	15	Onmi	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
IMZA65R039M1HXKSA1	18.0600	RFQ	202	Infineon技术	COOLSIC™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4			sicfet （碳化硅）			PG-TO247-4-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		650 v	50A（TC）	18V	50mohm @ 25a，18v	5.7V @ 7.5mA	41 NC @ 18 V	+20V，-2V	1393 PF @ 400 V	-	176W（TC）
FDPF7N60NZT	0.6400	RFQ	5	Fairchild半导体	Unifet-II™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）			TO-220F-3	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		600 v	6.5A（TC）	10V	1.25OHM @ 3.25A，10V	5V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±30V	730 PF @ 25 V	-	33W（TC）
FP50R07N2E4B11BOSA1	-	RFQ	7095	Infineon技术	Econopim™2	大部分	在sic中停产	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FP50R07				标准	模块	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器														沟渠场停止	650 v	70 a		1.95V @ 15V，50a				1 MA	是的	3.1 NF @ 25 V
JANTX2N3507	9.7223	RFQ	1720年	微芯片技术	MIL-PRF-19500/349	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N3507			1 w		到39	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																50 V	3 a						1µA			NPN	1.5V @ 250mA，2.5a	35 @ 500mA，1V	-
PN2906A TRE TIN/LEAD	-	RFQ	3901	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				625兆		到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		1514-PN2906致蛋白/铅	Ear99	8541.21.0075	2,000																60 V	600 MA						50NA			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	40 @ 500mA，10V	200MHz
IPU05N03LA g	-	RFQ	7725	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IPU05N		MOSFET （金属 o化物）			P-TO251-3-1	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道		25 v	50A（TC）	4.5V，10V	5.3MOHM @ 30a，10v	2V @ 50µA	25 NC @ 5 V	±20V	3110 PF @ 15 V	-	94W（TC）
IRFSL7434PBF	-	RFQ	9234	国际整流器	hexfet®，strongirfet™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）			TO-262	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道		40 V	195a（TC）	6V，10V	1.6MOHM @ 100A，10V	3.9V @ 250µA	324 NC @ 10 V	±20V	10820 PF @ 25 V	-	294W（TC）
IRG7PH44K10D-EPBF	-	RFQ	2523	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	irg7ph	标准		320 w		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001536192	Ear99	8541.29.0095	25			600V，25a，10ohm，15V											130 ns	-	1200 v	70 a	100 a	2.4V @ 15V，25a	2.1mj（在）上，1.3MJ off）	200 NC	75NS/315NS
JANSF2N2222AUBC/tr	306.0120	RFQ	1581年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/255	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅				500兆		UBC	-			到达不受影响	150-JANSF2N222222AUBC/tr			50																50 V	800 MA						50NA			NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
NVTJD4105CT1G	-	RFQ	2458	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	NVTJD41		-			SC-88/SC70-6/SOT-363	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		-			-		-	-				-	-
2SB1323-TD-E	0.2500	RFQ	8	Onmi	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	1,000
DMN39M1LK3-13	0.6300	RFQ	2061	二极管合并	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	DMN39		MOSFET （金属 o化物）			TO-252，（-d-pak）	下载				31-DMN39M1LK3-13	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	17.9a（（ta），89.3a tc）	4.5V，10V	5.5MOHM @ 30a，10V	2.5V @ 250µA	38.6 NC @ 10 V	±20V	2253 PF @ 15 V	-	1.4W（TA），65.7W（tc）
NTMFS4926NT1G	0.5900	RFQ	3	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4926		MOSFET （金属 o化物）			5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道		30 V	（9A）（ta），44A （TC）	4.5V，10V	7mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	17.3 NC @ 10 V	±20V	1004 pf @ 15 V	-	920MW（TA），21.6W （TC）
BC856BT	0.0250	RFQ	300	Yangjie技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				BC856						-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-BC856BTTR	Ear99		3,000

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²