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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	申请	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
2SD1801T-E	-	RFQ	4351	Onmi	*	包	过时的						2SD1801				下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	700
2SC5980-TL-E	0.8700	RFQ	532	Sanyo	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	346
BUK7225-55A，118	-	RFQ	4337	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		55 v	43A（TC）	10V	25mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA		±20V	1310 PF @ 25 V	-	94W（TC）
FQPF30N06L	-	RFQ	6361	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-220-3完整包	FQPF3	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		60 V	22.5A（TC）	5V，10V	35mohm @ 11.3a，10v	2.5V @ 250µA	20 nc @ 5 V	±20V	1040 pf @ 25 V	-	38W（TC）
MMST3906Q	0.0250	RFQ	300	Yangjie技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的										-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-MMST3906QTR	Ear99		3,000
FQAF16N25C	-	RFQ	9969	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-3P-3	FQAF1	MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	360		n通道		250 v	11.4A（TC）	10V	270MOHM @ 5.7A，10V	4V @ 250µA	53.5 NC @ 10 V	±30V	1080 pf @ 25 V	-	73W（TC）
PBSS4350Z-QF	0.1271	RFQ	1227	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）		表面安装	TO-261-4，TO-261AA			1.35 w	SOT-223	-	rohs3符合条件		到达不受影响	1727-PBSS4350Z-qftr	Ear99	8541.29.0075	4,000														50 V	3 a	100NA（ICBO）	NPN	290mv @ 200mA，2a	200 @ 1A，2V	100MHz
NTE297	2.0900	RFQ	379	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的		150°C（TJ）		通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			1 w	到92	下载	rohs3符合条件			2368-NTE297	Ear99	8541.21.0095	1														80 V	500 MA	100NA（ICBO）	NPN	400mv @ 30mA，300mA	130 @ 150mA，10v	120MHz
BC848CL3-TP	0.0438	RFQ	9171	微商业公司	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	SC-101，SOT-883	BC848		150兆	DFN1006-3	下载				353-BC848CL3-TP	Ear99	8541.21.0075	1														30 V	100 ma	1ma	NPN	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	100MHz
MSCMC120AM07CT6LIAG	-	RFQ	7091	微芯片技术	-	管子	积极的		-40°C〜175°C（TJ）		底盘安装	模块	MSCMC120	（SIC）	1350W（TC）	sp6c li	下载			到达不受影响	150-MSCMC120AM07CT6LIAG	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（相腿）			1200V（1.2kV）	264a（TC）		8.7MOHM @ 240A，20V	4V @ 60mA	690NC @ 20V		11400pf @ 1000V	-
BC848CW_R1_00001	0.1900	RFQ	2	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	SC-70，SOT-323	BC848		250兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-BC848CW_R1_00001CT	Ear99	8541.21.0095	3,000														30 V	100 ma	15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	100MHz
FZ1200R12KF5NDSA1	-	RFQ	5038	Infineon技术	*	托盘	过时的										下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000551100	Ear99	8541.29.0095	1
MMBTA42-QR	0.0463	RFQ	8099	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			250兆	TO-236AB	下载					Ear99	8541.21.0095	3,000														300 v	100 ma	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 2mA，20mA	40 @ 30mA，10V	50MHz
SI4947ADY-T1-GE3	-	RFQ	6959	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4947	MOSFET （金属 o化物）	1.2W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）			30V	3a		80Mohm @ 3.9a，10V	1V @ 250µA（250µA）	8NC @ 5V		-	逻辑级别门
BSP295E6327T	-	RFQ	8423	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-261-4，TO-261AA		MOSFET （金属 o化物）		PG-SOT223-4	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		60 V	1.8A（ta）	4.5V，10V	300MOHM @ 1.8A，10V	1.8V @ 400µA	17 NC @ 10 V	±20V	368 PF @ 25 V	-	1.8W（TA）
DMN3401LDW-7	0.4200	RFQ	2	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	DMN3401	MOSFET （金属 o化物）	290MW（TA）	SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）			30V	800mA（ta）		400MOHM @ 590mA，10V	1.6V @ 250µA	1.2NC @ 10V		50pf @ 15V	-
STI24NM65N	-	RFQ	5788	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	STI24N	MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		650 v	19a（tc）	10V	190MOHM @ 9.5A，10V	4V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±25V	2500 PF @ 50 V	-	160W（TC）
2SC3938GQL	-	RFQ	8404	松下电子组件	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）		表面安装	SC-85	2SC3938		150兆	smini3-f2	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0075	3,000														40 V	100 ma	100NA（ICBO）	NPN	250mv @ 1mA，10mA	60 @ 10mA，1V	450MHz
DDTA114ECAQ-13-F	0.0291	RFQ	2532	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的				表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DDTA114		200兆	SOT-23-3	下载			到达不受影响	31-DDTA114ECAQ-13-FTR	Ear99	8541.21.0075	10,000														50 V	100 ma	500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V	250 MHz	10 kohms	10 kohms
NVMFS5C442NLWFT1G	-	RFQ	2428	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道		40 V	27a（27a），127a （TC）	4.5V，10V	2.8mohm @ 50a，10v	2V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V	3100 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），83W（tc）
FQB19N20TM	0.8800	RFQ	4720	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载					Ear99	8542.39.0001	254		n通道		200 v	19.4a（TC）	10V	150MOHM @ 9.7A，10V	5V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±30V	1600 pf @ 25 V	-	3.13W（TA），140W（tc）
SI4158DY-T1-GE3	-	RFQ	6438	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4158	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		20 v	36.5A（TC）	4.5V，10V	2.5MOHM @ 20A，10V	2.1V @ 250µA	132 NC @ 10 V	±16V	5710 PF @ 10 V	-	（3w（ta），6w（tc）
IPD50N03S2L06ATMA1	2.6300	RFQ	2	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD50	MOSFET （金属 o化物）		PG-TO252-3-11	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	50A（TC）	4.5V，10V	6.4mohm @ 50a，10v	2V @ 85µA	68 NC @ 10 V	±20V	1900 pf @ 25 V	-	136W（TC）
IPD90N06S4L05ATMA1	-	RFQ	2069	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD90	MOSFET （金属 o化物）		PG-TO252-3-11	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		60 V	90A（TC）	4.5V，10V	4.6mohm @ 90a，10v	2.2V @ 60µA	110 NC @ 10 V	±16V	8180 pf @ 25 V	-	107W（TC）
2SA1331-4-TB-E	0.0700	RFQ	171	Onmi	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
KTA1504-GR-TP	-	RFQ	8362	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	KTA1504		150兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		353-KTA1504-GR-TPTR	Ear99	8541.21.0095	3,000														50 V	150 ma	100NA（ICBO）	PNP	300mv @ 10mA，100mA	200 @ 2mA，6v	80MHz
2SC2271E-AE	-	RFQ	7419	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）		通过洞	TO-226-3，TO-92-3			900兆	3-MP	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-2SC2271E-AE-488			1														300 v	100 ma	1µA（ICBO）	NPN	600mv @ 2mA，20mA	100 @ 10mA，10v	50MHz
CP211-TIP41C-CT	-	RFQ	5970	中央半导体公司	-	大部分	过时的										-	rohs3符合条件		到达不受影响	1514-CP211-TIP41C-CT	过时的		1
ksp2222a	-	RFQ	5922	Fairchild半导体	*	大部分	积极的										-	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1
ALD810016SCL	4.7958	RFQ	5353	高级线性设备公司	SAB™	管子	积极的	10.6V		超级电容器自动平衡	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	ALD810016			16-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1014-1269-5	Ear99	8541.21.0095	50			80mA														4 n通道

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²