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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
TSM085NB03DCR RLG	2.2400	RFQ	5	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM085		MOSFET （金属 o化物）	2W（TA），40W（TC）	8-pdfnu（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）			30V	（12A）（ta），51a（tc）		8.5mohm @ 12a，10v	2.5V @ 250µA	20NC @ 10V		1091pf @ 15V	逻辑级别门
SI7852ADP-T1-E3	2.7800	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7852		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		80 V	30A（TC）	8V，10V	17mohm @ 10a，10v	4.5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	1825 PF @ 40 V	-	5W（5W），62.5W（TC）
HUF761393	0.9500	RFQ	12	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		30 V	75A（TC）	4.5V，10V	7.5MOHM @ 75A，10V	3V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±20V	2700 PF @ 25 V	-	165W（TC）
RGSX5TS65DHRC11	10.9100	RFQ	450	Rohm半导体	-	管子	不适合新设计	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	RGSX5TS65	标准		404 w	TO-247N	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-RGSX5TS65DHRC11	Ear99	8541.29.0095	30			400V，75A，10欧姆，15V											114 ns	沟渠场停止	650 v	114 a	225 a	2.15V @ 15V，75a	3.32MJ（在）上，1.9MJ off）	79 NC	43ns/113ns
MMIX1X100N60B3H1	28.6745	RFQ	4315	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	24-PowersMD，21个线索	MMIX1X100	标准		400 w	24-smpd	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20			360V，70a，2ohm，15V											140 ns	-	600 v	145 a	440 a	1.8V @ 15V，70a	1.9MJ（在），2MJ（2MJ）中	143 NC	30NS/120NS
r6009jnjgtl	2.9400	RFQ	9436	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	R6009		MOSFET （金属 o化物）		LPT	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		600 v	9A（TC）	15V	585MOHM @ 4.5A，15V	7V @ 1.38mA	22 NC @ 15 V	±30V	645 pf @ 100 V	-	125W（TC）
SIHF22N60E-E3	1.8728	RFQ	5341	Vishay Siliconix	-	管子	积极的		通过洞	TO-220-3完整包	SIHF22		MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		SIHF22N60EE3	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		600 v	21a（TC）		180mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	86 NC @ 10 V		1920 PF @ 100 V	-
BSH202,215	-	RFQ	5824	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的				BSN2					-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
STK130N4LF7AG	1.9500	RFQ	166	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	STK130N		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		40 V	100A（TC）	4.5V，10V	3mohm @ 50a，10v	2.5V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±20V	1850 pf @ 25 V	-	105W（TC）
IPA083N10N5XKSA1	2.4200	RFQ	420	Infineon技术	Optimos™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA083		MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-fp	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		100 v	44A（TC）	6V，10V	8.3mohm @ 44a，10v	3.8V @ 49µA	37 NC @ 10 V	±20V	2730 PF @ 50 V	-	36W（TC）
IRF8714TRPBF	0.7000	RFQ	2270	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF8714		MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道		30 V	14A（TA）	4.5V，10V	8.7MOHM @ 14A，10V	2.35V @ 25µA	12 nc @ 4.5 V	±20V	1020 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
IXTH36N20T	-	RFQ	1834年	ixys	沟	管子	积极的	-	通过洞	TO-247-3	ixth36		MOSFET （金属 o化物）		TO-247（IXTH）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		200 v	36a（TC）		-	-				-	-
IRF7756GTRPBF	-	RFQ	3304	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	IRF775		MOSFET （金属 o化物）	1W	8-tssop	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2（p 通道（双）			12V	4.3a		40mohm @ 4.3a，4.5V	900mv @ 250µA	18NC @ 4.5V		1400pf @ 10V	逻辑级别门
IXTT140N10P-TRL	7.8667	RFQ	4425	ixys	极性	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXTT140		MOSFET （金属 o化物）		TO-268	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixtt140n10p-trltr	Ear99	8541.29.0095	400		n通道		100 v	140a（TC）	10V，15V	11mohm @ 70a，10v	5V @ 250µA	155 NC @ 10 V	±20V	4700 PF @ 25 V	-	600W（TC）
APT20M22LVFRG	22.6100	RFQ	6451	微芯片技术	PowerMosv®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	APT20M22		MOSFET （金属 o化物）		TO-264 [L]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		200 v	100A（TC）	10V	22mohm @ 500mA，10v	4V @ 2.5mA	435 NC @ 10 V	±30V	10200 PF @ 25 V	-	520W（TC）
RJK0392DPA-WS＃j53	1.3900	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
AOTF66919L	0.9678	RFQ	4178	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	AOTF66919		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	785-AOTF66919LTR	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		100 v	25A（25A），50A （TC）	4.5V，10V	6.5MOHM @ 20A，10V	2.6V @ 250µA	66 NC @ 10 V	±20V	3420 PF @ 50 V	-	8.3W（32W），32W（tc）
KSD1413TU	-	RFQ	9860	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	KSD1413			2 w	TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																40 V	3 a						20µA（ICBO）	npn-达灵顿	1.5V @ 4mA，2a	2000 @ 1A，2V	-
KSC3265OMTF	0.0400	RFQ	18	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				200兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	3,000																25 v	800 MA						100NA（ICBO）	NPN	400mv @ 20mA，500mA	100 @ 100mA，1V	120MHz
APT15GP60BDLG	-	RFQ	1687年	Microsemi Corporation	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT15GP60	标准		250 w	TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			400V，15A，5OHM，15V												pt	600 v	56 a	65 a	2.7V @ 15V，15a	130µJ（在）上，121µJ（121µJ）	55 NC	8NS/29NS
AOTS21313C	0.1921	RFQ	4302	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457	AOTS21313		MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	785-AOTS21313CTR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道		30 V	7.3a（ta）	4.5V，10V	32MOHM @ 7.3A，10V	2.2V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±20V	1100 pf @ 15 V	-	2.7W（TA）
IRFR4104PBF	-	RFQ	8776	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		40 V	42A（TC）	10V	5.5MOHM @ 42A，10V	4V @ 250µA	89 NC @ 10 V	±20V	2950 pf @ 25 V	-	140W（TC）
NTE2389	7.6700	RFQ	282	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件			2368-NTE2389	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		60 V	35A（TA）	10V	45mohm @ 20a，10v	4V @ 1mA		30V	2000 pf @ 25 V	-	125W（TA）
FS70SM-2＃201	5.9200	RFQ	3	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
APT106N60LC6	20.9500	RFQ	63	微芯片技术	coolmos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	APT106		MOSFET （金属 o化物）		TO-264（L）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	150-APT106N60LC6	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		600 v	106a（TC）	10V	35MOHM @ 53A，10V	3.5V @ 3.4mA	308 NC @ 10 V	±20V	8390 pf @ 25 V	-	833W（TC）
IRFPS3815pbf	-	RFQ	6082	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-274AA			MOSFET （金属 o化物）		SUPER-247™to-274AA）	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		150 v	105A（TC）	10V	15mohm @ 63a，10v	5V @ 250µA	390 NC @ 10 V	±30V	6810 PF @ 25 V	-	441W（TC）
IPD122N10N3GATMA1	1.6300	RFQ	22	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD122		MOSFET （金属 o化物）		pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		100 v	59A（TC）	6V，10V	12.2MOHM @ 46A，10V	3.5V @ 46µA	35 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 50 V	-	94W（TC）
FDS6676AS-G	0.5600	RFQ	24	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2832-FDS6676AS-GTR	Ear99	8541.29.0095	893		n通道		30 V	14.5A（TA）	4.5V，10V	6mohm @ 14.5a，10v	3V @ 1mA	63 NC @ 10 V	±20V	2510 pf @ 15 V	-	1W（ta）
FDS6673BZ-G	0.6600	RFQ	126	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2832-FDS6673BZ-GTR	Ear99	8541.29.0095	758		P通道		30 V	14.5A（TA）	4.5V，10V	7.8mohm @ 14.5A，10V	3V @ 250µA	65 NC @ 5 V	±25V	4700 PF @ 15 V	-	1W（ta）
AIGW50N65H5XKSA1	7.7800	RFQ	3081	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Trenchstop™5	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	AIGW50	标准		270 w	pg-to247-3-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，25a，12ohm，15V												沟	650 v		150 a	2.1V @ 15V，50a	（490µJ）（在140µJ上）	1018 NC	21NS/156NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²